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    • 1. 发明申请
    • マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
    • 多路复用器,高频前端电路和通信设备
    • WO2016208447A1
    • 2016-12-29
    • PCT/JP2016/067573
    • 2016-06-13
    • 株式会社村田製作所
    • 高峰 裕一
    • H03H9/72H03H9/145H03H9/25
    • H03H9/02086H01L41/1873H03H9/02574H03H9/0576H03H9/059H03H9/13H03H9/14594H03H9/54H03H9/6436H03H9/6483H03H9/703H03H9/725H04B1/0057
    • デュプレクサ及び該デュプレクサ以外の帯域通過型フィルタを有し、デュプレクサのフィルタ特性において、他の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量が大きくされている、マルチプレクサを提供する。 マルチプレクサは実装基板14上に配置される。マルチプレクサは、第1,第2の帯域通過型フィルタ3A,3Bにより構成されているデュプレクサ2A及びデュプレクサ2A以外の少なくとも1個の帯域通過型フィルタを有する。第1,第2の帯域通過型フィルタ3A,3Bは、それぞれ第1,第2の積層体11A,11Bを有し、別の部品として構成されている。デュプレクサ2Aにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域と、デュプレクサ2A以外の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、第1の積層体11Aの構成と第2の積層体11Bの構成とが異なっている。
    • 提供了具有双工器并且具有不是双工器的带通滤波器的多路复用器。 双工器具有滤波器特征,其中在另一带通滤波器的通带处衰减较大。 多路复用器布置在安装基板14上。多路复用器具有由第一和第二带通滤波器3A,3B配置的双工器2A,并且还具有至少一个不是双工器2A的带通滤波器。 第一和第二带通滤波器3A,3B具有各自的第一和第二层叠体11A,11B,并且被构造为分离的构件。 第一层压体11A的构造和第二层叠体11B的构造不同,使得在双工器2A处发生的与不是带通滤波器的通带不同的高模式杂散的频率范围不同 双工器2A。
    • 2. 发明申请
    • SPURIOUS-MODE SUPPRESSION PIEZOELECTRIC RESONATOR DESIGN
    • SPURIOUS-MODE抑制压电谐振器设计
    • WO2013074848A1
    • 2013-05-23
    • PCT/US2012/065366
    • 2012-11-15
    • QUALCOMM INCORPORATED
    • PARK, Sang-JuneKIM, Jonghae
    • H03H9/02H03H9/05
    • H03H9/54H03H9/02086H03H9/02228H03H9/0504Y10T29/42
    • Provided are methods and apparatus to improve upon conventional piezoelectric resonators. Also provided are apparatus and methods to improve upon filters having piezoelectric resonators. In an example, a piezoelectric resonator includes a substrate, and a piezoelectric material disposed on the substrate. A first electrode and a second electrode are disposed on the piezoelectric material. The piezoelectric resonator has a passband, and a portion of the perimeter of the piezoelectric material is anchored to the substrate to suppress an in-band spurious mode of the piezoelectric material. The portion, if unanchored, would exhibit maximum, near-maximum, and/or excessive displacement deflection at resonance. The piezoelectric resonator can be integrated in a semiconductor die. Multiple filters having piezoelectric resonators with respective different passbands can be disposed on the substrate.
    • 提供了改进常规压电谐振器的方法和装置。 还提供了改进具有压电谐振器的滤波器的装置和方法。 在一个示例中,压电谐振器包括基板和设置在基板上的压电材料。 第一电极和第二电极设置在压电材料上。 压电谐振器具有通带,并且压电材料的周边的一部分锚定到基板以抑制压电材料的带内杂散模式。 该部分(如果未锚定)将在共振时表现出最大,接近最大和/或过大的位移偏移。 压电谐振器可以集成在半导体管芯中。 具有各自不同通带的压电谐振器的多个滤波器可以设置在基板上。
    • 4. 发明申请
    • 圧電共振部品の周波数調整方法及び圧電共振部品
    • 压电谐振器频率调整方法和压电谐振器
    • WO2005071832A1
    • 2005-08-04
    • PCT/JP2004/016043
    • 2004-10-28
    • 株式会社村田製作所池田 功
    • 池田 功
    • H03H3/04
    • H03H9/0514H03H3/04H03H9/02086H03H9/0547H03H9/58
    •  上方からエネルギー線を照射して電極をエッチングするようにして周波数調整を行った場合に、絶縁抵抗の低下、短絡不良及び電極間マイグレーションなどが生じ難い、圧電共振部品の周波数調整方法を提供する。  側面14a,14b及び上面を有する圧電体14と、圧電体14の上面に設けられた電極15とを有し、側面14a,14bが、上端に比べて下方部分が圧電体14の中心側に位置するように傾斜面とされている圧電共振部品の上面に開口部22aを有するマスク22を配置し、上方からイオンビームを照射することにより圧電共振部品の周波数を調整する周波数調整方法。
    • 提供了一种压电谐振器频率调节方法,用于通过从上方施加能量射线来进行用于蚀刻电极的频率调节时,抑制绝缘电阻,短路缺陷和电极间迁移的降低。 压电谐振器包括:具有侧表面(14a,14b)和上表面的压电体(14); 以及布置在所述压电体(14)的上表面上的电极(15)。 侧面(14a,14b)倾斜,使得下部与上端相比朝向压电体(14)的中心移动。 具有开口(22a)的掩模(22)布置在压电谐振器的上表面上,从而从上方施加离子束以调节压电谐振器的频率。
    • 6. 发明申请
    • 弾性波フィルタ装置
    • 弹性波滤波器
    • WO2016208236A1
    • 2016-12-29
    • PCT/JP2016/058559
    • 2016-03-17
    • 株式会社村田製作所
    • 高峰 裕一
    • H03H9/145H03H9/25H03H9/64H03H9/72
    • H03H9/02086H01L41/0805H01L41/18H03H9/02574H03H9/13H03H9/14594H03H9/568H03H9/6436H03H9/6483H03H9/6496H03H9/725
    • 圧電膜4を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材としての高音速支持基板2、高音速支持基板2上に直接または間接に積層された圧電膜4、圧電膜4に接するように設けられた複数のIDT電極5が積層されており、複数のIDT電極により、少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12と、少なくとも1つの並列腕共振子P11とが構成されている。少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12及び少なくとも1つの並列腕共振子P11を構成しているIDT電極において、IDT電極により励振される弾性波の伝搬方向ψに対し、複数本の第1,第2の電極指の先端を結ぶ方向がνの傾斜角度をなしており、少なくとも1つの直列腕共振子S11,S12における傾斜角度をν1、少なくとも1つの並列腕共振子P11における傾斜角度をν2としたときに、ν1とν2とが異なっている、弾性波フィルタ装置11。
    • 弹性波滤波器装置11,其中层叠有:高声速支撑基板2,其作为高声速构件,通过该高声速构件,体波以比主模式的声速更高的声速传播 弹性波传播通过压电膜4; 直接或间接地层压在高声速支撑基板2上的压电膜4; 以及设置成与压电膜4接触的多个IDT电极5.至少一个串联臂谐振器S11,S12和至少一个并联臂谐振器P11由多个IDT电极构成。 在配置至少一个串联臂谐振器S11,S12和至少一个并联臂谐振器P11的IDT电极处,连接多个第一和第二电极指的尖端的方向形成相对于 由IDT电极激发的弹性波的传播方向ψ。 当至少一个串联臂谐振器S11,S12的倾斜角为ν1,并且至少一个并联臂谐振器P11的倾斜角为ν2时,ν1和ν2是不同的。
    • 7. 发明申请
    • OSZILLATOR MIT VERRINGERTER BESCHLEUNIGUNGSEMPFINDLICHKEIT
    • 具有降低加速度灵敏度振荡器
    • WO2016180417A1
    • 2016-11-17
    • PCT/DE2016/200222
    • 2016-05-11
    • KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY GMBH
    • SAUR-BROSCH, Roland
    • H03B5/04H03B5/32H03H9/02
    • H03H9/02086H03B5/04H03B5/32H03H9/205
    • Oszillator umfassend zwei Resonatoren, wobei die Richtung des Vektors der Beschleunigungsempfindlichkeit bezogen auf seine Montagefläche mindestens eines ersten Resonators der mindestens zwei Resonatoren im Wesentlichen der an einer Spiegelebene gespiegelten Richtung des Vektors der Beschleunigungsempfindlichkeit bezogen auf seine Montagefläche mindestens eines zweiten Resonators der mindestens zwei Resonatoren entspricht; und Oszillator umfassend zwei Resonatoren, wobei der Oszillator einen Widerstand umfasst, der einem der Resonatoren effektiv parallel geschaltet ist, und dessen Widerstandswert geringer ist, als das Einhundertfache des Serienresonanzwiderstandes des kombinierten Resonators bei der gewünschten Resonanzfrequenz.
    • 振荡器,包括,由基本上镜像到加速度的感应到其安装表面的载体的镜平面方向对应于两个谐振器,其特征在于,相对于它的安装表面至少所述至少两个谐振器中的至少一个第二谐振器中的至少两个谐振器的第一谐振器加速度灵敏度的矢量的方向; 和振荡器,包括两个谐振器,其中,所述振荡器包括被有效地并联连接的谐振器之一,并且其电阻值与所需的谐振频率组合的谐振器的串联谐振电阻小于一百倍的电阻器。
    • 9. 发明申请
    • 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ
    • 薄膜压电谐振器和薄膜压电滤波器
    • WO2010095640A1
    • 2010-08-26
    • PCT/JP2010/052336
    • 2010-02-17
    • 宇部興産株式会社岩下 和樹土屋 博史田中 謙介
    • 岩下 和樹土屋 博史田中 謙介
    • H03H9/17H01L41/09H01L41/18H01L41/22H01L41/24
    • H03H9/173H03H3/02H03H9/02086H03H9/02133H03H9/02149H03H9/174H03H9/605
    •  基板6と、圧電層2、上部電極10及び下部電極8を有する圧電共振器スタック12と、空隙4と、を含んでなる。圧電共振器スタック12は、厚み方向に見て上部電極と下部電極とが互いに重なる振動領域40を有し、振動領域は第1振動領域、第2振動領域及び第3振動領域からなる。厚み方向に見て、第1振動領域は最外側に存在し、第3振動領域は最内側に存在し且つ第1振動領域とは接しておらず、第2振動領域は第1振動領域と第3振動領域との間に介在している。振動領域40の一次厚み縦振動の共振周波数は、第1振動領域においてf 1 であり、第3振動領域においてf 2 であり、ここでf 1 とf 2 とがf 1 <f 2 の関係を満たし、第2振動領域においては第1振動領域に接する外側部分から第3振動領域に接する内側部分に向かってf 1 からf 2 の間の値をとりながら増加している。
    • 一种薄膜压电谐振器,包括基板(6),压电层(2),具有顶部电极(10)和底部电极(8)的压电谐振器叠层(12)和空腔(4)。 压电谐振器叠层(12)具有顶部电极和底部电极在厚度方向上重叠的振动区域(40),振动区域包括第一振动区域,第二振动区域和第三振动区域。 当从厚度方向观察时,第一振动区域存在于最外侧,第三振动区域存在于最内侧并且不与第一振动区域接触,并且第二振动区域介于第一振动区域和第二振动区域之间, 第三振动区域。 振动区域(40)的初始厚度 - 纵向振动的共振频率在第一振动区域为f1,在第三振动区域为f2,其中f1和f2满足f12的关系,并且是f1和 f2,所述值从接触第一振动区域的外部部分到接触第三振动区域的内部部分增加。
    • 10. 发明申请
    • PROTECTED RESONATOR
    • 保护谐振器
    • WO2010085743A2
    • 2010-07-29
    • PCT/US2010021975
    • 2010-01-25
    • CYMATICS LAB CORPSINHA RAJARISHICARLEY L RICHARDCHOMAS LOUISSAFAR HUGO
    • SINHA RAJARISHICARLEY L RICHARDCHOMAS LOUISSAFAR HUGO
    • H03H9/15
    • H01L41/0533H03H9/02086H03H9/02102H03H9/02133H03H9/02149H03H9/0557H03H9/1007H03H9/105H03H9/175
    • A bulk acoustic wave resonator structure (52) that isolates the core resonator (42) from both environmental effects and aging effects. The structure has a piezoelectric layer (16) at least partially disposed between two electrodes (14, 18). The structure is protected against contamination, package leaks, and changes to the piezoelectric material (16) due to external effects while still providing inertial resistance. The structure has one or more protective elements that limit aging effects to at or below a specified threshold. The resonator behavior is stabilized across the entire bandwidth of the resonance, not just at the series resonance. Examples of protective elements include a collar (44) of material around the core resonator so that perimeter and edge-related environmental and aging phenomena are kept away from the core resonator, a Bragg reflector (34, 48) formed above or below the piezoelectric layer and a cap (60) formed over the piezoelectric layer.
    • 一种将核心谐振器(42)与环境效应和老化效应隔离的体声波谐振器结构(52)。 该结构具有至少部分地设置在两个电极(14,18)之间的压电层(16)。 该结构被保护以防止污染,封装泄漏以及由于外部效应而在压力材料(16)的同时仍然提供惯性阻力的变化。 该结构具有一个或多个将老化效应限制在等于或低于特定阈值的保护元件。 谐振器的行为在谐振的整个带宽上是稳定的,而不仅仅是串联谐振。 保护元件的示例包括围绕芯谐振器的材料的环(44),使得周边和边缘相关的环境和老化现象远离芯谐振器,形成在压电层上方或下方的布拉格反射器(34,48) 以及形成在所述压电层上的盖(60)。