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1. 发明申请

WO2009078482A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009078482A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/JP2008/073189
申请日：2008-12-19
申请人：ローム株式会社 , 尺田幸男
发明人：尺田幸男
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/3214
摘要：リッジストライプ構造を備えていても、素子の駆動電圧の上昇や内部発熱による寿命低下を防止し、レーザ特性を均一にすることができる窒化物半導体発光素子を提供する。　ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮ層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。ｐ型ＧａＮ層６上には絶縁膜７と透明電極８が形成されている。透明電極８の一部は、ｐ型ＧａＮ層６と接するように形成されている。導波路形成のためのリッジストライプ部Ｄは、透明膜９で構成されている。透明電極８とｐ型ＧａＮ層６と接触している領域が、ストライプ形状の電流注入領域となる。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体发光器件，即使当器件具有脊状条纹结构时，由于器件的驱动电压的增加或内部发热而防止寿命缩短，从而具有均匀的激光特性。具体地，n型GaN层（2），n型AlGaN层（3），有源层（4），p型AlGaN层（5）和p型GaN层（6）分别为顺序地布置在GaN衬底（1）上。在p型GaN层（6）上形成绝缘膜（7）和透明电极（8）。透明电极（8）的一部分形成为与p型GaN层（6）接触。用于形成波导的脊条部分（D）由透明膜（9）组成。与透明电极（8）和p型GaN层（6）接触的区域用作条纹电流注入区域。

2. 发明申请

WO2017120269A1 TUNABLE WAVEGUIDE DEVICES 审中-公开
标题翻译：可调谐波导设备
公开(公告)号：WO2017120269A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：PCT/US2017/012229
申请日：2017-01-04
申请人： INFINERA CORPORATION
发明人： EVANS, Peter W. , LU, Mingzhi , KISH, Fred A. , LAL, Vikrant , CORZINE, Scott , OSENBACH, John W. , YAN, Jeanne
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/024 , H01S5/06 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/0612 , G02B6/12004 , G02B6/2813 , G02B26/04 , G02B2006/12121 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/58 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/06256 , H01S5/1003 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1215 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/3214 , H01S2301/176 , H04B10/2507 , H04B10/40 , H04B10/503 , H04B10/616 , H04B10/67
摘要： Methods, systems, and apparatus, including a laser including a layer having first and second regions, the first region including a void; a mirror section provided on the layer, the mirror section including a waveguide core, at least part of the waveguide core is provided over at least a portion of the void; a first grating provided on the waveguide core; a first cladding layer provided between the layer and the waveguide core and supported by the second region of the layer; a second cladding layer provided on the waveguide core; and a heat source configured to change a temperature of at least one of the waveguide core and the grating, where an optical mode propagating in the waveguide core of the mirror section does not incur substantial loss due to interaction with portions of the mirror section above and below the waveguide core.
摘要翻译：包括激光器的方法，系统和设备，所述激光器包括具有第一和第二区域的层，所述第一区域包括空隙; 设置在所述层上的反射镜部分，所述反射镜部分包括波导芯，所述波导芯的至少一部分设置在所述空腔的至少一部分上; 设置在波导芯上的第一光栅; 设置在所述层和波导芯之间并由所述层的第二区域支撑的第一包层; 设置在波导芯上的第二包层; 以及热源，所述热源被配置为改变所述波导芯和所述光栅中的至少一个的温度，其中在所述反射镜部分的所述波导芯中传播的光学模式由于与上述反射镜部分的部分的相互作用而不会导致实质损失，低于波导芯。

3. 发明申请

WO2015123566A1 MONOLITHICALLY INTEGRATED WHITE LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
标题翻译：单组合白色发光器件
公开(公告)号：WO2015123566A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/US2015/015894
申请日：2015-02-13
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人： NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/15 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/46 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1032 , H01S5/12 , H01S5/2027 , H01S5/3202 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S5/4043 , H01S5/4087
摘要： A monolithically integrated white light-emitting device, including light- emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs), comprised of a Ill-nitride substrate and semipolar, nonpolar or polar Ill-nitride layers. A first device structure has a smaller band gap than a second device structure; the first device structure is optically- pumped by the second device structure; the second device structure is electrically injected; and emissions from the first and second device structures are mixed to generate white light. These emissions may be yellow light mixed with blue light, or green and red light mixed with blue light.
摘要翻译：包括发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的单片集成白色发光器件，其由III族氮化物衬底和半极性，非极性或极性III族氮化物层组成。第一器件结构具有比第二器件结构小的带隙; 第一器件结构由第二器件结构光泵浦; 第二器件结构被电注入; 并且来自第一和第二器件结构的发射被混合以产生白光。这些发射可能是与蓝光混合的黄色光，或与蓝色光混合的绿色和红色光。

4. 发明申请

WO2009146461A1 (AL,GA,IN)N DIODE LASER FABRICATED AT REDUCED TEMPERATURE 审中-公开
标题翻译：（AL，GA，IN）N二极管激光在减少温度下制成
公开(公告)号：WO2009146461A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/US2009/045868
申请日：2009-06-01
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , COHEN, Daniel, A. , DENBAARS, Steven, P. , NAKAMURA, Shuji
发明人： COHEN, Daniel, A. , DENBAARS, Steven, P. , NAKAMURA, Shuji
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01L21/02631 , H01L33/32 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/2009 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
摘要： A method of fabricating an (Al,Ga,In)N laser diode, comprising depositing one or more III-N layers upon a growth substrate at a first temperature, depositing an indium containing laser core at a second temperature upon layers deposited at a first temperature, and performing all subsequent fabrication steps under conditions that inhibit degradation of the laser core, wherein the conditions are a substantially lower temperature than the second temperature.
摘要翻译：一种制造（Al，Ga，In）N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第一温度下沉积含有铟的激光芯，温度，并且在抑制激光芯的退化的条件下执行所有随后的制造步骤，其中所述条件是比所述第二温度明显更低的温度。

5. 发明申请

WO2004047244A1 INFRAROTHALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：红外半导体激光
公开(公告)号：WO2004047244A1
公开(公告)日：2004-06-03
申请号：PCT/EP2003/010333
申请日：2003-09-17
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , LAMBRECHT, Armin
发明人： LAMBRECHT, Armin
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/12 , H01S5/1203 , H01S5/2231 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/3422
摘要： Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Halbleiterlaser (1) mit mindestens einer aktiven Zone (2) aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und einem Lichtmodenbereich (3). Der Infrarot-Halbleiterlaser (1) zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich (3) ein Material (4) mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT vorgesehen ist, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Infrarot-Halbleiterlasers (1) mit: Bildung mindestens einer aktiven Zone (2) aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und Bildung eines Wellenleiters (5) mit einem Lichtmodenbereich (3). Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich (3) ein Material (4) mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT angeordnet wird, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Telekommunikations-sowie Spektroskopiesystemkomponente mit einem entsprechenden oder entsprechend hergestelltem Halbleiterlaser (1), sowie ein Telekommunikations- und Spektroskopiesystem mit derjeweiligen Komponente.
摘要翻译：本发明涉及一种红外半导体激光器（1），III-V族材料中的至少一个有源区（2），具有折射率的dn / dT的第一热梯度和光模式区域（3）。红外半导体激光器（1）的特征在于，一种材料（4）上设置有折射率DN的第二热梯度/ DT在光模式区（3），其标志是相反的是，第一热梯度指数的和/或至少具有两倍。本发明还涉及一种制造红外半导体激光器的方法（1），包括：形成III-V材料的（2）（具有折射率的dn / dT的第一热梯度的至少一个有源区，并用一个光模式区形成波导（5） 3）。该方法的特征在于，一种材料（4）被布置成与折射率的dn的第二热梯度/ DT在光模式区（3），其标志是相反于所述第一热折射率梯度的和/或具有至少高两倍量，本发明还涉及一种电信和光谱学系统组件与相应的或相应产生的半导体激光器（1），并且与相应的成分的电信和光谱系统。

6. 发明申请

WO2014184844A1 半導体レーザ装置审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2014184844A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/JP2013/063294
申请日：2013-05-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：蔵本　恭介 , 柳澤　隆行
IPC分类号： H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02236 , H01S5/022 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/06817 , H01S5/3214 , H01S5/32316
摘要：　複数の開口部１０ａ，１０ｂのうち、少なくとも１つの開口部における開口端とサブマウント８端の水平方向最短距離ｘが、サブマウント厚をｔとしたときに、式（１）であり、かつ、開口部とは異なるその他の開口部のうち少なくとも１つが、式（２）であるようにしたものである。
摘要翻译：对于多个开口（10a，10b）中的至少一个，底座（8）的厚度（t）和所述开口的边缘与底座的边缘之间的最短水平距离（x）满足关系式（1）），对于至少一个其他开口，所述厚度（t）和最短水平距离（x）满足关系式（2）。

7. 发明申请

WO2009060802A1 半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：半导体激光元件
公开(公告)号：WO2009060802A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/JP2008/069914
申请日：2008-10-31
申请人：日亜化学工業株式会社 , 園部真也 , 枡井真吾
发明人：園部真也 , 枡井真吾
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/168 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/166 , H01S5/2086 , H01S5/2214 , H01S5/222 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2301/176 , H01S2301/18 , H01S2304/04
摘要：　高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰ形状を得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。　第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層からなる積層体と、前記第２導電型半導体層に接触して共振器方向に平行なストライプ状の溝部を有し、絶縁体からなる第２埋込層とを有し、前記溝部の共振器端面側に誘電体からなる第１埋込層が埋め込まれており、前記溝部の内側に導電層が埋め込まれている半導体レーザ素子。
摘要翻译：提供一种半导体激光元件，即使半导体激光元件具有高功率，也能够将谐振器端面产生的热抑制到最小，提高COD水平，具有优异的FFP形状，高可靠性和长使用寿命。半导体激光元件具有由第一导电型半导体层，有源层和第二导电型半导体层构成的层叠体。半导体激光元件还具有由与第二导电型半导体层接触并与谐振器方向平行的条状槽部的绝缘体构成的第二嵌入层。由电介质材料制成的第一嵌入层嵌入在槽部的谐振器端侧，并且导电层嵌入槽部内。

8. 发明申请

WO2008029915A1 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2008029915A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/067505
申请日：2007-09-07
申请人：古河電気工業株式会社 , 品川達志 , 石井宏辰 , 粕川秋彦
发明人：品川達志 , 石井宏辰 , 粕川秋彦
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0218 , B82Y20/00 , H01S5/3202 , H01S5/3214 , H01S5/34333
摘要：　本発明の半導体発光素子は、ピエゾ電界の影響を受けにくい面方位の結晶面を基板面としたZnO単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２の基板面上に形成され、ZnO単結晶基板に格子整合された格子整合層１３と、窒化ガリウムインジウム［In x Ga 1-x N　（０＜x＜１）］からなる活性層１５と、活性層１５および格子整合層１３のいずれかに格子整合された二つのクラッド層１４、１６とを備える。
摘要翻译：一种半导体发光器件，其包括具有较少受压电场影响的面取向晶体面的作为衬底的ZnO单晶衬底（12）晶格匹配层（13）叠加在ZnO单晶衬底（12）的衬底表面上，与ZnO单晶衬底晶格匹配; 氮化铟镓的活性层（15）[In x Ga 1-x N（0

9. 发明申请

WO0225745A2 SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLINE MATERIALS AND THEIR USES 审中-公开
标题翻译：半导体纳米材料及其用途
公开(公告)号：WO0225745A2
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/IL0100828
申请日：2001-09-03
申请人： YISSUM RES DEV CO , BANIN URI , CAO YUN WEI
发明人： BANIN URI , CAO YUN-WEI
IPC分类号： H01S5/30 , H01L33/00 , H01S5/32 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01S5/347 , H01S5/50
CPC分类号： H01L33/08 , B82Y20/00 , H01L33/30 , H01S5/3214 , H01S5/3401 , H01S5/341 , H01S5/3412 , H01S5/3432 , H01S5/347
摘要： The invention relates to new semiconductor composite nanocrystal materials having desirable luminescent properties, specifically high quantum yields and good photochemical stability with specific, desirable emittance wavelengths, preferably in the near infrared. The invention further relates to various applications in optical, electrical, electro-optical and laser devices, particularly in the field of telecommunication, of these new semiconductor composite nanocrystal materials.
摘要翻译：本发明涉及新型半导体复合纳米晶体材料，其具有期望的发光性质，特别是高量子产率和优异的光化学稳定性以及特定的理想发射波长，优选在近红外波长。本发明进一步涉及在这些新型半导体复合纳米晶体材料的光学，电学，电光学和激光器件，尤其是电信领域中的各种应用。

10. 发明申请

WO2017055284A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：WO2017055284A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/073000
申请日：2016-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GERHARD, Sven , LELL, Alfred , VIERHEILIG, Clemens , LÖFFLER, Andreas , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/16 , H01S5/32 , H01S5/028 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/168 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/176
摘要： Es umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge(2) mit einem n-leitenden n-Bereich (21), einem p-leitenden p-Bereich (23) und einer dazwischenliegendenaktive Zone (22) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Zur Stromeinprägung befindet sich direkt an dem p-Bereich (23) eine für die Laserstrahlung durchlässige p-Kontaktschicht (3) aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Direkt an der p-Kontaktschicht (3) ist eine elektrisch leitende und metallische p-Kontaktstruktur (4) angebracht. Die p-Kontaktschicht (3) ist ein Teil einer Mantelschicht, sodass die Laserstrahlung im Betrieb des Halbleiterlasers (1) bestimmungsgemäß in die p-Kontaktschicht (3) eindringt. Zwei Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) bilden Resonatorendflächen für die Laserstrahlung. In wenigstens einem Stromschutzbereich (5) direkt an zumindest einer der Facetten (25) ist eine Stromeinprägung in den p-Bereich (23) unterdrückt. Der Stromschutzbereich weist in Richtung senkrecht zur zugehörigen Facette (25) eine Ausdehnung von mindestens 0,5µm und von höchstens 100 µm und zusätzlich von höchstens 20 % einer Resonatorlänge für die Laserstrahlung auf.
摘要翻译：半导体激光器（1）包括具有n型的n型区域（21），p型的p型区域（23）和用于产生激光辐射的居间有源区（22）的半导体层序列（2）。电流注入直接位于所述p-区（23）可透过由透明导电氧化物的激光辐射p接触层（3）。直接在p型接触层（3）是一种导电性的金属和p接触结构（4）。 p接触层（3）是一包层的一部分，从而使半导体激光器的操作期间所述激光辐射（1），用于渗透到p型接触层（3）。两个小平面（25）的半导体层序列（2）用于激光辐射形式谐振器端的。在至少一个电流保护区域（5）直接在刻面中的至少一个（25）抑制了在p区（23）的电流注入。过电流保护区域具有在沿垂直于相关联的小面（25）具有至少0.5微米的扩展，并且不超过100微米，并且另外至多20用于激光辐射的谐振器的％。

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