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1. 发明申请

WO2013132569A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2013132569A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/JP2012/055507
申请日：2012-03-05
申请人：三菱電機株式会社 , 林田幸昌
发明人：林田　幸昌
IPC分类号： H05K3/34 , H01L25/00
CPC分类号： H01L28/22 , H01L23/49838 , H01L25/16 , H01L29/1608 , H01L2924/0002 , H01L2924/10272 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K1/111 , H05K3/3442 , H05K2201/09045 , H05K2201/09745 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、電子部品のはんだ接合部の寿命を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、セラミック１と、セラミック１上に形成された上パターン２と、上パターン２上にはんだ５を介して接続された抵抗器４とを備え、上パターン２は、抵抗器４とはんだ５を介して接続される箇所が、凹形状に形成されることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体器件，其中提高了电子部件的焊料接合部分的使用寿命。该半导体器件的特征在于：半导体器件设置有陶瓷（1），形成在陶瓷（1）上的上部图案（2）和连接在上部图案（2）上的电阻器（4）焊料（5）之间; 并且上部图案（2）具有连接到电阻器（4）的部分，其中焊料（5）形成为凹陷形状。

2. 发明申请

WO2004070735A1 QUANTENPUNKT AUS ELEKTRISCH LEITENDEM KOHLENSTOFF, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译：导电性的碳，加工过程用于生产和应用量子点
公开(公告)号：WO2004070735A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/DE2004/000231
申请日：2004-02-05
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
发明人： WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
IPC分类号： H01B1/04
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y10/00 , H01L21/0405 , H01L28/22 , H01L29/127 , H01L29/1602 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0595
摘要： Quantenpunkte zeigen eine besonders in der Nanoelektronik vorteilhaft nutzbare Quantisierung ihrer elektrischen Eigenschaften. Der präzise Aufbau, die Herstellung und der Einbau von Quantenpunkten sind jedoch sehr kompliziert und gelingen nur ungenügend. Der erfindungsgemässe Quantenpunkt (QP) ist gekennzeichnet durch einen eingebetteten Aufbau als zylindrischer Bereich mit graphitartiger Struktur (GLC) in einer elektrisch isolierenden Kohlenstoffschicht (DLCQP) mit diamantartiger Struktur, die zwischen zwei elektrisch isolierenden, diese Eigenschaft auch nach einem lonendurchgang zeigenden Isolierschichten (IL 1 IL 2 ) angeordnet ist. Somit wird erstmals ein geometrisch und lokal genau definierter Quantenpunkt in dem für die Nanoelektronik sehr interessanten DLC-Material vorgestellt, der Abmasse von unter 8 nm aufweisen kann und besonders zur Realisierung eines Einzel-Elektron-Transistors (SET) geeignet ist. Durch integrierte Nanodrähte kann eine einfache Kontaktierung erfolgen. Die Herstellung erfolgt in einfacher Weise durch Bestrahlung eines Schichtenpakets (LS) mit einem lonenstrahl (IB). Der Quantenpunkt (QP) und die Nanodrähte (NW) entstehen dabei in der lonenspur (IT) durch Umwandlung des nicht-leitenden Kohlenstoffs (DLC) mit diamantartiger Struktur in leitenden Kohlenstoff (GLC) mit graphitartiger Struktur.
摘要翻译：量子点具有其电气特性的有利可用特别是在纳米电子学量化。然而，精确的施工，制造和安装的量子点是非常复杂的，只有成功不足。本发明的量子点（QP）的特征在于一个嵌入式结构为具有电绝缘性碳层（DLCQP）与类金刚石结构的石墨状结构（GLC）的圆筒形区域，两者之间电绝缘的，此属性（即使经过lonendurchgang面对绝缘层IL1 IL2 ）被布置。因此，一个几何精确定义和局部量子点设置在非常有趣的纳米电子学DLC材料首先介绍可以具有小于8纳米的身体比例，特别是为实现单电子晶体管（SET）合适的。通过集成的纳米线简单接触可制成。所述制剂以简单的方式通过用离子束（IB）的层分组（LS）的照射来进行。量子点（QP）和纳米线（NW）出现作为lonenspur（IT）由非导电性碳（DLC）的转换的结果而具有在导电碳（GLC）类金刚石结构具有类似于石墨的结构。

3. 发明申请

WO2013014892A1 スピンデバイス、その動作方法およびその製造方法审中-公开
标题翻译：旋转装置，其操作方法及其制造方法
公开(公告)号：WO2013014892A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/JP2012/004612
申请日：2012-07-19
申请人：パナソニック株式会社 , 小田川明弘 , 松川望
发明人：小田川　明弘 , 松川　望
IPC分类号： H01L29/82
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C2213/35 , H01L28/22 , H01L29/1606 , H01L29/66984 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：　本発明は、グラフェンと、グラフェンに電気的に接した状態でグラフェンを挟持する第１の強磁性電極および第２の電極と、これら電極に対して離間した位置に、グラフェンに電気的に接した状態でグラフェンを挟持する第３の強磁性電極および第４の電極と、第１の強磁性電極と第２の電極との間に電流を印加する電流印加機構と、電流の印加によって、グラフェンにおける第３の強磁性電極および第４の電極に挟持された部分に生じるスピン蓄積情報を、当該電極を介して電圧信号として検出する電圧信号検出機構とを備え、第１および第３の強磁性電極はグラフェンの同じ面上に配置されており、第２および第４の電極は非磁性電極または強磁性電極である、スピンデバイスを提供する。このスピンデバイスは、従来よりもスピン流の伝送効率および検出感度が高く、高密度化しうる。
摘要翻译：本发明提供一种自旋装置，包括：石墨烯; 第一铁磁电极和第二电极，其将石墨烯夹在与石墨烯电接触的状态; 第三铁磁电极和第四电极，其在与所述第一铁磁电极和所述第二电极一定距离的位置处将所述石墨烯夹在与所述石墨烯电接触的状态下; 用于在第一铁磁电极和第二电极之间施加电流的电流施加机构; 以及电压信号检测机构，用于检测通过在由第三铁磁电极和第四电极夹在的石墨烯的部分中施加电流而产生的自旋累积信息，经由第三铁磁体被检测为电压信号电极和第四电极。第一和第三铁磁电极布置在石墨烯的相同表面上，第二和第四电极是非磁性电极或铁磁电极。与常规旋转装置相比，该旋转装置具有较高的自旋流动传输效率和检测灵敏度，并可提供更高的密度。

4. 发明申请

WO2003096357A2 ELEKTRISCHES WIDERSTANDS-BAUELEMENT AUF DIAMANTBASIS 审中-公开
标题翻译：电阻元件上的钻石BASE
公开(公告)号：WO2003096357A2
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004792
申请日：2003-05-07
申请人： GFD GESELLSCHAFT FÜR DIAMANTPRODUKTE MBH , ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. , GLUCHE, Peter , ERTL, Stephan , GROBE, Dirk
发明人： GLUCHE, Peter , ERTL, Stephan , GROBE, Dirk
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01L28/22
摘要： Elektrisches Widerstands-Bauelement mit elektrisch leitend dotiertem Diamant im Widerstandsbereich sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben, wobei der Widerstandsbereich als Widerstandsschicht auf einem Substrat ausgeführt sein kann und das Substrat mindestens teilweise aus elektrisch nichtleitendem Diamant bestehen kann.
摘要翻译：电阻元件与所述电阻区的导电掺杂的金刚石，以及用于制造该，其中所述阻性区域可以被设计为在基板上的电阻层和基底可以至少部分地由非导电金刚石的方法。

5. 发明申请

WO2012171665A1 ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：WO2012171665A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/002572
申请日：2012-06-18
申请人： FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITÄT ERLANGEN-NÜRNBERG , WEBER, Heiko. B. , KRIEGER, Michael , HERTEL, Stefan , KRACH, Florian , JOBST, Johannes , WALDMANN, Daniel
发明人： WEBER, Heiko. B. , KRIEGER, Michael , HERTEL, Stefan , KRACH, Florian , JOBST, Johannes , WALDMANN, Daniel
IPC分类号： H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L27/06 , H01L27/105 , H01L21/02 , H01L21/338 , H01L21/329 , H01L21/82 , H01L21/04
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/8213 , H01L21/84 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/1203 , H01L28/22 , H01L28/40 , H01L29/1608 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要： An electronic device (1) comprising a semiconductor substrate (3) having a front surface (7), a first electrode (8) and a second electrode (9) disposed on the front surface (7) of the substrate (3), wherein the first electrode (8) and the second electrode (9) each comprises at least one epitaxial graphene monolayer (10). The at least one epitaxial graphene monolayer (10) of the first electrode (8) is forming an ohmic contact with the substrate (3) and the at least one epitaxial graphene monolayer (10) of the second electrode (9) is forming a Schottky barrier with the substrate (3).
摘要翻译：一种电子设备（1），包括具有前表面（7），设置在所述基板（3）的前表面（7）上的第一电极和第二电极）的半导体基板，第一电极（8）和第二电极（9）各自包括至少一个外延石墨烯单层（10）。第一电极（8）的至少一个外延石墨烯单层（10）与衬底（3）形成欧姆接触，并且第二电极（9）的至少一个外延石墨烯单层（10）形成肖特基与衬底（3）的屏障。

6. 发明申请

WO2008099638A1 カーボンナノチューブ抵抗体、半導体装置、カーボンナノチューブ抵抗体及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：碳纳米管电阻，半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008099638A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2008/050640
申请日：2008-01-18
申请人：日本電気株式会社 , 成田薫
发明人：成田薫
IPC分类号： H01L21/822 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01C7/00 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L27/0629 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C17/16 , G11C17/165 , H01C7/006 , H01C17/0652 , H01L28/22 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0018 , H01L51/0048 , Y10S977/961
摘要：　信頼性の高い抵抗体やヒューズを与えることのできるカーボンナノチューブ抵抗体の製造方法を提供する。カーボンナノチューブを揮発性溶媒中に第１濃度となるように投入し、超音波処理を施して初期溶液を作製する工程と、前記初期溶液を、超音波処理を施しながら揮発性溶媒により段階的に希釈して、第２濃度となるように調整し、塗布用溶液を作製する希釈工程と、前記塗布用溶液を、第１の電極と第２の電極との間に塗布する工程とを具備し、前記第１濃度は、１×１０－４ｇ／ｍｌ以上の濃度であり、前記第２濃度は、１×１０－５ｇ／ｍｌより低い濃度である。
摘要翻译：一种能够提供高度可靠的电阻或熔丝的碳纳米管电阻器的制造方法。该方法包括将挥发性溶剂中的碳纳米管引入第一浓度并进行超声波处理从而获得初始溶液的步骤; 稀释步骤，在超声波处理下用挥发性溶剂逐步稀释初始溶液，以将其调节至第二浓度，从而获得涂布溶液; 以及在第一电极和第二电极之间施加涂布溶液的步骤，其中第一浓度为10E〜0.4μg/ ml以上，第二浓度低于10E0〜 / SUP> g / ml。

7. 发明申请

WO2006132658A2 RESISTIVE ELEMENTS USING CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：使用碳纳米管的电阻元件
公开(公告)号：WO2006132658A2
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/US2005033716
申请日：2005-09-20
申请人： NANTERO INC , BERTIN CLAUDE L , RUECKES THOMAS , SEGAL BRENT M
发明人： BERTIN CLAUDE L , RUECKES THOMAS , SEGAL BRENT M
IPC分类号： H01C10/00
CPC分类号： H01C7/06 , H01C7/003 , H01C7/005 , H01C7/006 , H01C10/306 , H01C17/0652 , H01C17/232 , H01C17/283 , H01L28/22
摘要： Resistive elements include a patterned region of nanofabric having a predetermined area, where the nanofabric has a selected sheet resistance; and first and second electrical contacts contacting the patterned region of nanofabric and in spaced relation to each other. The resistance of the element between the first and second electrical contacts is determined by the selected sheet resistance of the nanofabric, the area of nanofabric, and the spaced relation of the first and second electrical contacts. The bulk resistance is tunable.
摘要翻译：电阻元件包括具有预定面积的纳米纤维的图案化区域，其中纳米纤维具有选定的薄层电阻; 以及第一和第二电触头接触纳米尺寸的图案化区域并且彼此间隔开。元件在第一和第二电触点之间的电阻由所选择的纳米尺寸的薄层电阻，纳米的面积以及第一和第二电触头间隔的关系来确定。体积电阻是可调谐的。

8. 发明申请

WO99018606A1 DIAMOND-BASED MICROACTUATOR 审中-公开
标题翻译：微型致动器对金刚石BASE
公开(公告)号：WO99018606A1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：PCT/DE1998/002956
申请日：1998-10-01
IPC分类号： B41J2/05 , B81B1/00 , F02M63/00 , H01L21/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L28/22 , B81B1/00 , F02M2200/21 , H01L28/20
摘要： The invention relates to a microactuator mounted on a thermally insulating layer (2) and comprising a resistance layer (4) of doped diamond. This resistance layer has an electric supply lead and electric end lead (9).
摘要翻译：本发明涉及一种设置在热绝缘层（2）微致动器带电阻层掺杂的金刚石，其设置有一个电引线和电引线（4）（9）。

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