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1. 发明申请

WO2004070735A1 QUANTENPUNKT AUS ELEKTRISCH LEITENDEM KOHLENSTOFF, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译：导电性的碳，加工过程用于生产和应用量子点
公开(公告)号：WO2004070735A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/DE2004/000231
申请日：2004-02-05
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
发明人： WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
IPC分类号： H01B1/04
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y10/00 , H01L21/0405 , H01L28/22 , H01L29/127 , H01L29/1602 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0595
摘要： Quantenpunkte zeigen eine besonders in der Nanoelektronik vorteilhaft nutzbare Quantisierung ihrer elektrischen Eigenschaften. Der präzise Aufbau, die Herstellung und der Einbau von Quantenpunkten sind jedoch sehr kompliziert und gelingen nur ungenügend. Der erfindungsgemässe Quantenpunkt (QP) ist gekennzeichnet durch einen eingebetteten Aufbau als zylindrischer Bereich mit graphitartiger Struktur (GLC) in einer elektrisch isolierenden Kohlenstoffschicht (DLCQP) mit diamantartiger Struktur, die zwischen zwei elektrisch isolierenden, diese Eigenschaft auch nach einem lonendurchgang zeigenden Isolierschichten (IL 1 IL 2 ) angeordnet ist. Somit wird erstmals ein geometrisch und lokal genau definierter Quantenpunkt in dem für die Nanoelektronik sehr interessanten DLC-Material vorgestellt, der Abmasse von unter 8 nm aufweisen kann und besonders zur Realisierung eines Einzel-Elektron-Transistors (SET) geeignet ist. Durch integrierte Nanodrähte kann eine einfache Kontaktierung erfolgen. Die Herstellung erfolgt in einfacher Weise durch Bestrahlung eines Schichtenpakets (LS) mit einem lonenstrahl (IB). Der Quantenpunkt (QP) und die Nanodrähte (NW) entstehen dabei in der lonenspur (IT) durch Umwandlung des nicht-leitenden Kohlenstoffs (DLC) mit diamantartiger Struktur in leitenden Kohlenstoff (GLC) mit graphitartiger Struktur.
摘要翻译：量子点具有其电气特性的有利可用特别是在纳米电子学量化。然而，精确的施工，制造和安装的量子点是非常复杂的，只有成功不足。本发明的量子点（QP）的特征在于一个嵌入式结构为具有电绝缘性碳层（DLCQP）与类金刚石结构的石墨状结构（GLC）的圆筒形区域，两者之间电绝缘的，此属性（即使经过lonendurchgang面对绝缘层IL1 IL2 ）被布置。因此，一个几何精确定义和局部量子点设置在非常有趣的纳米电子学DLC材料首先介绍可以具有小于8纳米的身体比例，特别是为实现单电子晶体管（SET）合适的。通过集成的纳米线简单接触可制成。所述制剂以简单的方式通过用离子束（IB）的层分组（LS）的照射来进行。量子点（QP）和纳米线（NW）出现作为lonenspur（IT）由非导电性碳（DLC）的转换的结果而具有在导电碳（GLC）类金刚石结构具有类似于石墨的结构。

2. 发明申请

WO2009083193A2 METHOD AND APPARATUS FOR SURFACE TREATMENT BY COMBINED PARTICLE IRRADIATION 审中-公开
标题翻译：通过组合颗粒辐照处理表面处理的方法和装置
公开(公告)号：WO2009083193A2
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/EP2008/010939
申请日：2008-12-19
申请人： GEORG-AUGUST-UNIVERSITÄT GÖTTINGEN STIFTUNG ÖFFENTLICHEN RECHTS , HOFSÄSS, Hans , ZHANG, Kun
发明人： HOFSÄSS, Hans , ZHANG, Kun
IPC分类号： C23C14/02
CPC分类号： C23C14/46 , C23C14/022
摘要： The invention relates to a method for surface treatment of a substrate surface by irradiation of particles onto the substrate constituting the substrate surface. The method comprises the steps of applying first particles onto the substrate surface, thereby causing a positive particle flux component on the substrate surface and emitting eroding particles as at least an eroding particle beam onto the substrate surface, the eroding particle beam causing a negative particle flux component on the substrate surface. The application is performed concurrently or alternately with the step of emitting. An area of the substrate surface onto which the first particles are applied is at least partly overlapping an area of the substrate surface irradiated by the eroding particle beam in an overlapping area of the substrate surface. The resulting cumulative flux of the combined positive and negative flux components in the overlapping area being non-positive, the resulting cumulative flux providing a decreasing or stable net amount of particles in the overlapping area of the substrate surface. The first particles and the eroding particle beam comprising atomic or molecular particles, wherein the first particles are provided by a source outside a plane coextending with at least a part of the substrate surface. Further, the invention relates to a device for surface treatment and a target device for carrying out the inventive surface treatment method.
摘要翻译：本发明涉及通过将粒子照射在构成基板表面的基板上来对基板表面进行表面处理的方法。该方法包括以下步骤：将第一粒子施加到衬底表面上，从而在衬底表面上引起正的粒子通量分量，并将侵蚀粒子作为至少一个侵蚀粒子束发射到衬底表面上，侵蚀粒子束产生负的粒子通量部件在基板表面上。应用程序与发射步骤同时或交替执行。其上施加有第一颗粒的基板表面的区域至少部分地与基板表面的重叠区域中被侵蚀粒子束照射的基板表面的面积重叠。所得到的重叠区域中积极的和负的通量组分的累积通量是非正的，所得到的累积通量在衬底表面的重叠区域中提供了减少或稳定的净量的颗粒。第一颗粒和包含原子或分子颗粒的侵蚀粒子束，其中第一颗粒由与源于衬底表面的至少一部分共同延伸的平面外的源提供。此外，本发明涉及一种用于表面处理的装置和用于实施本发明的表面处理方法的目标装置。

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