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1. 发明申请

WO2017110673A1 バイプリズム装置、及び荷電粒子線装置审中-公开
标题翻译：双相装置和带电粒子束装置
公开(公告)号：WO2017110673A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/JP2016/087541
申请日：2016-12-16
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：原田　研 , 嶌田　惠子 , 新津　甲大
IPC分类号： H01J37/295 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/295
摘要：コンタミネーションが付着したとき、付着物の部分で局所チャージアップが発生して、バイプリズム装置の利用を妨げる。回転型バイプリズム装置において、フィラメント電極（９１）を設置するフィラメントホルダーを２つの座電極（８３）、（８４）からなる構成とし、一方の座電極（８４）に突起部（８６）を備えることによって、バイプリズム装置として利用する際は、電源（９５）に接続された接触電極（８１）を介してフィラメント電極（９１）に電位が印加される状態と、フィラメント電極を通電加熱により清浄化する際には、突起部を備えた座電極（８４）が装置に直結した接触電極（８２）に接触することによってフィラメント電極を含む閉回路が形成され、フィラメント電極が通電により加熱されて、付着したコンタミネーションが除去される状態を取ることを可能とする。
摘要翻译：当
污染附着，局部过度充电发生在矿床的一部分和防止使用双棱镜装置的。在旋转式双棱镜装置中，两个座椅电极（83）的灯丝支架放置灯丝电极（91），还包括在一结构的突起（86）由（84），一个座电极（84）因此，作为双棱镜装置中使用的清洗其中灯丝电极（91）的电势被通过电源施加的状态下，当（95），连接到接触电极（81），通过电加热灯丝电极的时候，包括一个灯丝电极的闭合回路是由具有凸起直接连接到所述设备（82）的接触电极座电极（84）接触而形成，灯丝电极被通电加热，附可以采取污染消除的状态。

2. 发明申请

WO2015045476A1 電子顕微鏡审中-公开
标题翻译：电子显微镜
公开(公告)号：WO2015045476A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/JP2014/063016
申请日：2014-05-16
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：松本　弘昭 , 佐藤　岳志 , 谷口　佳史 , 原田　研
IPC分类号： H01J37/295 , G01N23/04 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/10 , G01N23/20058 , G01N2223/418 , H01J37/04 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/1472 , H01J37/153 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/26 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/295 , H01J2237/21 , H01J2237/2614
摘要：本発明は、透過型電子顕微鏡の対物レンズ（５）をオフにし、制限視野絞り（６５）に電子線のクロスオーバー（１１，１３）を一致させ、第１結像レンズ（６１）の焦点距離を変化させることにより、試料の像観察モードと試料の回折パターン観察モードとの切り替えを行うレンズレス・フーコー法において、第１結像レンズ（６１）の後段に偏向器（８１）を配置すること、結像光学系の条件確定後に照射光学系（４）の条件を固定可能とすること、を特徴とする。これにより、磁気シールドレンズを搭載しない通常の汎用型透過型電子顕微鏡においても操作者への負担なく、レンズレス・フーコー法が実施可能となる。
摘要翻译：本发明涉及一种无透镜Foucault方法，其中透射电子显微镜物镜（5）被关闭，电子束交叉（11,13）与所选区域孔径（65）匹配，焦距可以改变第一成像透镜（61）以在样本图像观察模式和样本衍射图案观察模式之间切换，其特征在于，偏转器（81）设置在跟随第一成像透镜（61）的阶段中，以及可以在确定成像光学系统的条件之后固定照射光学系统（4）的条件。这样就可以在没有磁屏蔽透镜的公共通用透射电子显微镜中实现无镜头福柯方法，而不会对操作者造成负担。

3. 发明申请

WO2013005490A1 位相板、および電子顕微鏡审中-公开
标题翻译：相片和电子显微镜
公开(公告)号：WO2013005490A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/JP2012/063099
申请日：2012-05-22
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ , 玉置央和 , 高橋由夫 , 葛西裕人 , 小林弘幸
发明人：玉置　央和 , 高橋　由夫 , 葛西　裕人 , 小林　弘幸
IPC分类号： H01J37/295 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/147 , H01J37/09 , H01J37/26 , H01J37/263 , H01J37/295 , H01J2237/2614
摘要：　電子線の遮断による像情報の欠落の問題を低減し、かつ電位分布が異方的となる問題を改善した、電子顕微鏡に用いる位相板を提供する。　一つにつながった開口部（２３）を持ち、開口部に、開口部の外郭部から開口部中心へ向かう複数の電極（１１）を配置する。それぞれの電極（１１）の断面は、導体もしくは半導体でなる電圧印加層（２４）を、絶縁層（２５）を介して導体もしくは半導体からなるシールド層（２６）で覆った構造とする。　これにより、電極（１１）による電子線遮断を低減し、さらに電位分布が異方的となる問題を改善する事が可能な位相板を構成する。
摘要翻译：提供一种用于电子显微镜的相位板，其减少了由电子束的中断引起的图像信息损失的问题，并且改善了各向异性势分布的问题。该相板包括连接到单个开口中的开口（23）和从开口的外部部分朝向开口的中心布置在开口中的多个电极（11）。电极（11）的横截面被构造成使得包括导体或半导体的电压施加层（24）被包括具有中间绝缘层的导体或半导体的屏蔽层覆盖。通过这种方式，该相位板能够减少由于电极（11）引起的电子束中断，并且能够改善各向异性势分布的问题。

4. 发明申请

WO2011093043A1 回折顕微法审中-公开
标题翻译：衍射显微镜
公开(公告)号：WO2011093043A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/JP2011/000318
申请日：2011-01-21
申请人：国立大学法人北海道大学 , 郷原一寿 , 川原宏太
发明人：郷原一寿 , 川原宏太
IPC分类号： G01N23/20 , G01N21/47 , G02B21/36 , H01J37/22 , H01J37/295
CPC分类号： G02B21/365 , G01N23/20058 , G02B26/0808 , G02B27/4205 , G03H1/0866 , G03H5/00 , G03H2001/005 , G03H2001/0816 , G03H2226/13 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/295 , H01J2237/223 , H01J2237/226
摘要：　入射ビームの角度拡がりの影響を低減できる回折顕微法。この方法では、ビームを試料に照射し、試料からの回折パターンの強度を計測し、計測した回折パターンの強度をもとにフーリエ反復位相回復法を用いて物体の像を再構成する回折顕微法において、入射ビームの角度拡がりによってコンボリューションされた回折パターンに対して、デコンボリューションを用いてフーリエ反復位相回復を行う。
摘要翻译：公开了能够减小梁的入射角范围的增加的影响的衍射显微镜。具体公开的是衍射显微镜，其中光束入射到样品上，其中测量来自样品的衍射图案的强度，并且其中使用傅立叶互动相位检索重建物体的图像，其中基于测量的衍射图的强度。在这种方法中，傅立叶互动相位检索是通过对波束的入射角范围的增加而进行卷积的衍射图案上的去卷积进行的。

5. 发明申请

WO2009068763A4 METHOD, DEVICE AND SYSTEM FOR MEASURING NANOSCALE DEFORMATIONS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009068763A4
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/FR2008001302
申请日：2008-09-17
申请人： CENTRE NAT RECH SCIENT , HYTCH MARTIN , SNOECK ETIENNE , HOUDELLIER FLORENT , HUE FLORIAN
发明人： HYTCH MARTIN , SNOECK ETIENNE , HOUDELLIER FLORENT , HUE FLORIAN
IPC分类号： G01N23/20 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/295 , H01J2237/151 , H01J2237/1514 , H01J2237/2614 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Method of measuring nanoscale deformations in a portion (B) of a crystalline specimen, comprising the following steps: i) a lamella-shaped specimen comprising a measurement zone (B) and a reference zone (A), the latter being assumed to be free of deformations and coplanar with the measurement zone, is prepared; ii) one face of said specimen is illuminated by an electron beam (Fin); iii) a beam (F1 B) of the radiation diffracted by the measurement zone (B) is superposed on a beam (F1 A) of the radiation diffracted by the reference zone (A) so as to cause these two beams to interfere; iv) the spatial periodicity and the orientation of the fringes of the interference pattern (FI) are measured; and v) a difference in crystal parameter and/or orientation between said reference zone and measurement zone is deduced therefrom, this being indicative of a state of nanoscale deformation of said measurement zone. Device and system for implementing such a method.

6. 发明申请

WO2006088159A1 電子顕微鏡及び複合照射レンズ审中-公开
标题翻译：电子显微镜和复合辐射镜
公开(公告)号：WO2006088159A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/302884
申请日：2006-02-17
申请人：国立大学法人京都工芸繊維大学 , 遠藤久満 , 阿知原雅人 , 津野勝重 , 及川哲夫
发明人：遠藤久満 , 阿知原雅人 , 津野勝重 , 及川哲夫
IPC分类号： H01J37/295 , H01J37/141
CPC分类号： H01J37/26 , G03H1/0866 , G03H5/00 , G03H2001/045 , H01J37/141 , H01J37/295 , H01J2237/1415 , H01J2237/1514 , H01J2237/153 , H01J2237/228 , H01J2237/2614
摘要： An electron microscope capable of re-constructing a microscope image free of the imaging aberration due to the imaging lens by using a hologram of diffraction pattern and a composite irradiation lens used in such an electron microscope. The electron microscope comprises an electron source (11), a condenser lens (12), a biprism (13) for splitting an electron beam fed from the condenser lens (12) into first and second coherent electron beams (L1, L2) parallel to each other, a composite irradiation lens (15) for making the first electron beam (L1) a parallel wave and making the second electron beam (L2) a converging wave converging at a predetermined distance, a specimen stage (16) for holding a specimen irradiated with the first electron beam (L1), a detector (17) for detecting a hologram of the diffraction pattern formed by the interference between the first and second electron beams (L1, L2), a computing unit (18) for re-constructing a microscope image of the specimen by subjecting the hologram fed from the detector (17) to predetermined Fourier transform, and a display (19) for displaying the re-constructed microscope image.
摘要翻译：一种电子显微镜，其能够通过使用衍射图案的全息图和在这种电子显微镜中使用的复合照射透镜来重构由于成像透镜而没有成像像差的显微镜图像。电子显微镜包括电子源（11），聚光透镜（12），用于将从聚光透镜（12）馈送的电子束分成第一和第二相干电子束（L1，L2）的双棱镜（13）彼此成为用于使第一电子束（L1）成为平行波并使第二电子束（L2）以会聚波收敛于预定距离的复合照射透镜（15），用于保持样本的样本台（16）用于检测由第一和第二电子束（L1，L2）之间的干涉形成的衍射图案的全息图的检测器（17），用于再构造的计算单元（18）通过对从检测器（17）馈送的全息图进行预定的傅里叶变换，以及用于显示重构的显微镜图像的显示器（19）来对样本进行显微镜图像。

7. 发明申请

WO2006011185A1 半導体装置の検査方法、その検査装置及びその検査に適した半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件检查方法，其检查器件和用于检查的半导体器件
公开(公告)号：WO2006011185A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/JP2004/010485
申请日：2004-07-23
申请人：富士通株式会社 , 石井俊哉 , 安藤幸樹
发明人：石井俊哉 , 安藤幸樹
IPC分类号： G01B15/02
CPC分类号： H01J37/295 , G01B15/02 , G01N23/20058
摘要： A method for examining the results after the manufacturing process of an LSI (Large scale integration) device, particularly, an examining method used for quickly and accurately examining the cross section fine structure of an LSI device produced after the manufacturing process. Its examining device and a semiconductor device suited to the examination are also disclosed. The examining method is characterized by comprising a sample making step of thinning a semiconductor chip in such a way that the substrate crystal and a portion added in the manufacturing process are included, a step of applying an electron beam to the semiconductor chip, a step of detecting an electron beam passing through the semiconductor chip to create an electron beam diffraction image, a step of removing the electron beam diffracted by the substrate crystal, and a step of comparing the lattice fringes obtained from the substrate crystal with the thickness of the portion added in the manufacturing process.
摘要翻译：特别是用于快速准确地检查在制造过程之后生产的LSI器件的截面微细结构的检查方法的LSI（大规模集成）器件的制造过程之后的结果的检查方法。还公开了其检查装置和适合于检查的半导体装置。检查方法的特征在于包括以下方式使半导体芯片变薄的样品制作步骤：使衬底晶体和在制造工艺中添加的部分被包括在内，对半导体芯片施加电子束的步骤，检测通过半导体芯片的电子束以产生电子束衍射图像，去除由衬底晶体衍射的电子束的步骤，以及将从衬底晶体获得的晶格条纹与添加的部分的厚度进行比较的步骤在制造过程中。

8. 发明申请

WO2017170554A1 位相差走査透過電子顕微鏡装置审中-公开
标题翻译：相位差扫描透射电子显微镜装置
公开(公告)号：WO2017170554A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/JP2017/012647
申请日：2017-03-28
申请人：大学共同利用機関法人自然科学研究機構
发明人：永谷　幸則
IPC分类号： H01J37/295 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/295
摘要：【課題】　試料の電子線被曝を最小化し、所望のコントラストで試料の相変化を画像化可能な、取扱性に優れた位相差走査透過電子顕微鏡装置を提供する。【解決手段】　位相差走査透過電子顕微鏡装置は、電子銃３１、照射光学系３２、スキャンコイル３３、収束光学系３４、対物レンズ３５、電子線の強度を検出する明視野検出器３６を備えており、ＳＴＥＭ焦点面より上流側において、フレネル・ゾーン・プレート４０が、その焦点がＳＴＥＭ焦点面に来る様に配置されており、これにより、当該プレートからの主プローブ波と参照波を含む電子線が、収束光学系３４と対物レンズ３５との間に置かれた試料物体５０上に照射する。
摘要翻译：
一个，以最小化样品的电子束曝光，其可以在图像的期望的对比度的试样的相变化，在操作性提供了极好的相位扫描透射电子显微镜。相位差扫描透射电子显微镜装置包括电子枪31，照射光学系统32，扫描线圈33，会聚光学系统，物镜和用于检测电子束强度的明场检测器笼，STEM焦平面，该菲涅耳带片40的上游侧，其焦点被设置为接触到STEM焦平面，从而，电子束，其包括参考波作为从板的主要探测波照射到放置在会聚光学系统34和物镜35之间的样本物体50上。

9. 发明申请

WO2016030004A3 HIGH VOLTAGE FEEDTHROUGH ASSEMBLY, TIME-RESOLVED TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE AND METHOD OF ELECTRODE MANIPULATION IN A VACUUM ENVIRONMENT 审中-公开
标题翻译：高压馈电组件，时间分辨透射电子显微镜及真空环境中电极手术的方法
公开(公告)号：WO2016030004A3
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：PCT/EP2015001685
申请日：2015-08-14
申请人： MAX PLANCK GES ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E V
发明人： HIRSCHT JULIAN
IPC分类号： H01J37/02 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J37/295
CPC分类号： H01J37/023 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J37/295 , H01J2237/06333 , H01J2237/06341 , H01J2237/16
摘要： A high voltage feedthrough assembly (100) for providing an electric potential in a vacuum environment comprises a flange connector (10) being adapted for a connection with a vacuum vessel (201), wherein the flange connector (10) has an inner side (11) facing to the vacuum vessel (201) and an outer side (12) facing to an environment of the vacuum vessel 201, a vacuumtight insulator tube (20) having a longitudinal extension with a first end (21) facing to the flange connector (10) and a second end (22) being adapted for projecting into the vacuum vessel (201), and an electrode device (30) coupled to the second end (22) of the insulator tube (20), wherein the electrode device (30) has a front electrode (31), including a photocathode or a field emitter tip and facing to the vacuum vessel (201) and a cable adapter (32) for receiving a high-voltage cable (214), wherein a flexible tube connector (40) is provided for a vacuum-tight coupling of the insulator tube (20) with the flange connector (10), and a manipulator device (50) is connected with the insulator tube (20) for adjusting a geometrical arrangement of the insulator tube (20) relative to the flange connector (10). Furthermore, an electron diffraction or imaging apparatus (transmission electron microscope, TEM) 200 for static and/or time-resolved diffraction, including (nano-) crystallography, and real space imaging for structural investigations including the high voltage feedthrough assembly (100) and a method of manipulating an electrode device (30) in a vacuum environment are described.
摘要翻译：一种用于在真空环境中提供电势的高压馈通组件（100）包括适于与真空容器（201）连接的法兰连接器（10），其中法兰连接器（10）具有内侧（11 ）面向真空容器（201）和面向真空容器201的环境的外侧（12）;具有纵向延伸部的真空密封绝缘管（20），其第一端（21）面向法兰连接器（20）的第二端（22）连接的电极装置（30），其中所述电极装置（30）与所述绝缘管（20）的第二端）具有包括光电阴极或场发射器尖端且面向真空容器（201）的前电极（31）和用于接收高压电缆（214）的电缆适配器（32），其中柔性管连接器 40）用于绝缘管（20）与法兰连接器的真空密封连接（10），操纵器装置（50）与绝缘管（20）连接，用于调节绝缘管（20）相对于法兰连接器（10）的几何布置。此外，用于静态和/或时间分辨衍射（包括（纳米）晶体学）的电子衍射或成像装置（透射电子显微镜，TEM）200，以及用于包括高压馈通组件（100）的结构研究的真实空间成像和描述了在真空环境中操纵电极装置（30）的方法。

10. 发明申请

WO2014155557A1 試料測定装置、試料測定方法、半導体装置の評価方法、およびコンピュータプログラム审中-公开
标题翻译：样品测量装置，样品测量方法，半导体器件评估方法和计算机程序
公开(公告)号：WO2014155557A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/JP2013/058961
申请日：2013-03-27
申请人：富士通株式会社
发明人：小▲高▼　康稔
IPC分类号： G01B15/02 , G01N23/04 , G01N23/20
CPC分类号： G01B15/02 , G01N23/20058 , G01N2223/611 , G01N2223/633 , H01J37/222 , H01J37/295
摘要：　試料測定装置は、電子線を照射する照射源と、前記電子線を測定領域に走査する走査系と、シミュレーションにより求められた、異なる厚さの試料の電子線回折像の強度情報を格納するメモリと、前記測定領域に試料を配置し、前記試料上に前記電子線を走査して、前記測定領域での透過電子線像の零次回折パターンの強度を取得する零次回折強度取得部と、前記測定領域に試料のない状態で前記電子線を走査したときの前記電子線の基準強度を取得し、前記基準強度に対する前記零次回折パターンの強度の強度比を算出する強度比算出部と、前記強度比を、前記シミュレーションにより得られた前記強度情報と比較して前記測定対象の試料の厚さを決定する厚さ判定部と、を備える。
摘要翻译：该样品测量装置具有：用于照射电子束的照射源; 用于用电子束扫描测量区域的扫描系统; 用于存储具有不同厚度的样品的电子束衍射图像的模拟计算强度信息的存储器; 零级衍射强度获取单元，用于将样品放置在测量区域中并用电子束扫描样品，以获得测量区域中透射电子束图像的零级衍射图案的强度; 强度比计算单元，其在测量区域中没有样本的状态下扫描电子束的基准强度，并计算上述零级衍射图案的强度与参考值的比率强度; 以及厚度确定单元，用于将强度比与通过模拟获取的上述强度信息进行比较，以确定待测样品的厚度。

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