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    • 4. 发明申请
    • CHARGED PARTICLE BEAM ILLUMINATION OF BLANKING APERTURE ARRAY
    • 填充孔径阵列的带束颗粒光束照射
    • WO99057745A1
    • 1999-11-11
    • PCT/US1999/009537
    • 1999-04-28
    • G03F7/20H01J37/305H01J37/317H01L21/027
    • B82Y10/00B82Y40/00H01J37/3174H01J2237/1514H01J2237/31774
    • A charged particle beam column (100) efficiently illuminates a blanking aperture array (108) by splitting a charged particle beam (110) into multiple charged particle beams and focusing each charge particle beam on a separate aperture of the blanking aperture array (108). Where an electron source with a small effective source size is used, for example an electron field emission source or Schottky source, crossovers of the individual beams may occur within the separate apertures of the blanking aperture array. Consequently, no demagnification of the beams passing through the blanking aperture array is necessary to form a small exposure pixel on the writing plane. A beam splitter, shown as biprism (104) is aligned perpendicularly to optical axis (A) and splits electron beam (110) into separate beamlets.
    • 带电粒子束柱(100)通过将带电粒子束(110)分成多个带电粒子束并将每个电荷粒子束聚焦在消隐孔径阵列(108)的单独孔上来有效地照明消隐孔阵列(108)。 在使用具有小的有效源尺寸的电子源的情况下,例如电子场发射源或肖特基源,各个光束的交叉可以发生在消隐孔阵列的分开的孔内。 因此,不需要通过消隐孔阵列的光束的缩小以在书写平面上形成小的曝光像素。 示出为双棱镜(104)的分束器垂直于光轴(A)对准,并将电子束(110)分裂成分立的子束。
    • 5. 发明申请
    • 電子線干渉装置
    • 电子束干扰装置
    • WO2011122139A1
    • 2011-10-06
    • PCT/JP2011/053162
    • 2011-02-15
    • 株式会社日立製作所原田 研明石 哲也
    • 原田 研明石 哲也
    • H01J37/295H01J37/141
    • H01J37/26H01J37/12H01J2237/1514H01J2237/2614
    •  本発明の透過型電子顕微鏡の干渉光学系は、結像レンズ系における第1結像レンズ(61)内に第1の電子線バイプリズム(91)を設置する手段を設け、前記第1の電子線バイプリズムを前記第1結像レンズの主面の上側近傍に、第2の電子線バイプリズム(93)を前記第1結像レンズの主面の下側近傍にそれぞれ配置することを特徴とする。 これにより、試料への電子線の照射条件を変更した際にも、干渉条件(干渉縞間隔sと干渉領域幅W)が変化せずに、干渉顕微鏡像を得ることが可能になった。
    • 公开了一种透射电子显微镜的干涉光学系统,其中设置有用于在成像透镜系统中的第一成像透镜(61)内设置第一电子束双棱镜(91)的装置,使得第一电子束双棱镜 第一成像透镜的主表面的上侧附近和第二电子束双棱镜(93)设置在第一成像透镜的主表面的下侧附近。 因此,即使当用电子束照射样品的条件改变时,干涉条件(干涉条纹之间的间隔(s)和干涉区域的宽度(W))也不会改变,干涉显微镜图像 可以获得。
    • 8. 发明申请
    • 電子線干渉装置および電子顕微鏡
    • 电子束干扰装置和电子显微镜
    • WO2005098896A1
    • 2005-10-20
    • PCT/JP2005/003865
    • 2005-03-07
    • 独立行政法人理化学研究所原田 研明石 哲也戸川 欣彦松田 強
    • 原田 研明石 哲也戸川 欣彦松田 強
    • H01J37/295
    • H01J37/295H01J37/26H01J2237/1514H01J2237/2614
    • A degree of freedom is imparted to the relative magnification of a sample image and the image of a filament electrode of an electron beam bi-prism in an electron beam interference optical system employing an interferometer and the electron beam bi-prism capable of controlling the important parameters of the interference microscope image obtained by the interferometer, i.e. the interference fringe interval s and the interference area width W, independently of each other. For the degree of freedom, an optical system using two electron beam bi-prisms arranged in the direction of the optical axis is employed in a two-stage electron beam bi-prism interferometer. Furthermore, a two-stage arrangement where two objective lenses (51, 52) are combined is employed and the focal lengths of the objective lenses are controlled independently of each other so that the relative magnification of the sample image and the image of filament electrode of the electron beam bi-prim can be set arbitrarily.
    • 在使用干涉仪的电子束干涉光学系统和能够控制重要的电子束双棱镜的情况下,赋予样本图像的相对放大率和电子束双棱镜的细丝电极的图像 由干涉仪获得的干涉显微镜图像的参数,即干涉条纹间隔s和干涉区域宽度W,彼此独立。 对于自由度,在两级电子束双棱镜干涉仪中采用使用沿光轴方向布置的两个电子束双棱镜的光学系统。 此外,采用组合两个物镜(51,52)的两级布置,并且彼此独立地控制物镜的焦距,使得样品图像的相对放大倍数和细丝电极的图像 电子束bi-prim可以任意设定。