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1. 发明申请

WO2018155538A1 電子ビーム装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018155538A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：PCT/JP2018/006396
申请日：2018-02-22
申请人：株式会社ニコン
发明人：佐藤　真路
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/09 , H01J37/305
CPC分类号： G03F7/20 , H01J37/04 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/09 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要：電子ビーム装置は、個別に制御可能な複数の光ビームを提供可能な光学デバイス（８４）と、光学デバイスに照明光を照射する照明系（８２）と、光学デバイス（８４）からの複数の光ビームを光電素子（５４）に照射する投影光学系（８６）と、複数の光ビームを光電素子（５４）に照射することによって光電素子（５４）から放出される電子を複数の電子ビームとしてウエハ（Ｗ）に照射する電子ビーム光学系（７０）と、を備える。

2. 发明申请

WO2017105153A1 전자빔을 이용한 표면 열처리 방법 审中-公开
标题翻译：使用电子束的表面热处理方法
公开(公告)号：WO2017105153A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/KR2016/014872
申请日：2016-12-19
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 강은구 , 최헌종 , 최영재
IPC分类号： C21D1/09 , H01J37/06
CPC分类号： C21D1/09 , H01J37/06
摘要： 본 발명은 상온에서 페라이트(ferrite)인 탄소강으로 구성된 모재의 표면에 전자빔을 조사하여 표면을 열처리하는 방법으로서, 상기 모재의 표면에 국부적인 가공영역을 설정하는 가공영역설정단계 및 상기 가공영역에 조사되는 전자빔의 출력을 제어하는 출력제어단계를 포함하며, 상기 출력제어단계는 상기 가공영역 내에서 상기 전자빔에 의해 용융되고 상기 전자빔의 이동에 따라 상기 가공영역으로부터 벗어난 상기 모재의 일부분은, 상기 모재 전체와의 상대적 질량 차이로 인한 열전도에 의해 급속 응고되어 상온에서 안정한 오스테나이트(austenite)로 변태(transformation)될 수 있도록, 상기 모재의 열전도도에 따라 상기 전자빔의 출력을 제어하는 전자빔을 이용한 표면 열처리 방법이 개시된다. 또한, 본 발명에 따른 상기 전자빔을 이용한 표면 열처리 방법을 이용하여, 탄소강의 표면을 열처리할 수 있도록 마련되는 전자빔을 이용한 표면 열처리 장치가 개시된다.
摘要翻译：本发明涉及一种通过将电子束照射到由在室温下为铁素体的碳钢构成的基材的表面上来热处理表面的方法，以及输出控制步骤，控制照射到所述加工区域上的电子束的输出，其中所述输出控制步骤包括：输出控制步骤，用于控制所述电子束的输出，基材的一部分，迅速被热传导由于总的和基体材料之间，以在室温下，电子束的按照基材图1的热导率的输出的稳定的奥氏体（奥氏体）的相对质量差被变换（变换）固化。公开了使用电子束进行控制的表面热处理方法。此外，公开了一种使用电子束的表面热处理设备，该设备用于通过使用根据本发明的电子束的表面热处理方法来加热碳钢的表面。

3. 发明申请

WO2016057970A1 INSPECTION SITE PREPARATION 审中-公开
标题翻译：检验现场准备
公开(公告)号：WO2016057970A1
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：PCT/US2015/055017
申请日：2015-10-09
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： SIMMONS, Richard , MASNAGHETTI, Douglas , MCCORD, Mark , STANKE, Fred , YOUNG, Scott , SEARS, Christopher
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/06 , H01J37/026 , H01J37/28 , H01J2237/0044 , H01J2237/061
摘要： Embodiments of the present disclosure are directed to an electron beam imaging/inspection apparatus having an electron source device to direct flood electrons on a sample immediately before image acquisition or inspection. The apparatus comprises a first device configured to charge a sample in a first mode, wherein the first device includes an electron source configured to provide a flood beam of charged particles to a first area of the sample. The apparatus also comprises a second device configured to generate a primary beam of electrons and characterize an interaction between the primary beam and a second area of the sample within the first area in a second mode. The apparatus is configured to switch from the first mode to the second mode less than 1 second.
摘要翻译：本公开的实施例涉及一种具有电子源装置的电子束成像/检查装置，用于在图像采集或检查之前立即将样品引导到样品上。该装置包括被配置为以第一模式对样品充电的第一装置，其中第一装置包括电子源，该电子源被配置为将带电粒子的泛光束提供到样品的第一区域。该装置还包括被配置为产生主电子束的第二装置，并且在第二模式中表征主光束和第一区域内的样品的第二区域之间的相互作用。该装置被配置为在第一模式下切换到第二模式小于1秒。

4. 发明申请

WO2015037358A1 電子顕微鏡設定システム审中-公开
标题翻译：电子显微镜配置系统
公开(公告)号：WO2015037358A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/JP2014/070229
申请日：2014-07-31
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：小西　弥生 , 牛尾　奈緒子 , 安藤　徹 , 齋藤　勉 , 重藤　訓志
IPC分类号： H01J37/24 , H01J37/06 , H01J37/22
CPC分类号： H01J37/22 , H01J37/06 , H01J37/24
摘要：　本発明は、電子顕微鏡における加速電圧の設定を、熟練に頼らずに操作者にとって直感的に理解しやすく、効率的に行うことができるような操作制御を実現できる電子顕微鏡設定システムを提供することを目的とする。　本発明は、電子顕微鏡の加速電圧の設定値の選択操作を行う第１の操作子としてのスライダ（５３１）が表示される第１の操作子の表示領域を有する電子顕微鏡設定画面を表示部に表示する表示プログラムを有し、前記表示プログラムは、前記第１の操作子としてのスライダ（５３１）の選択範囲に対応して付されている、少なくとも低加速域（５２１）を含む目盛りの目盛り数値間隔が、低加速域において広くなるように表示させることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种电子显微镜配置系统，其使得操作者可以以直观，易于理解的有效方式来配置电子显微镜的加速电压，而不依赖于所述操作者的专业知识。本发明包括在显示单元上显示具有显示第一控制即滑块（531）的第一控制显示区域的电子显微镜配置屏幕的显示程序。所述第一控制用于选择电子显微镜的加速电压配置值。上述显示程序的特征在于，应用于滑块（531）的选择范围（即第一控制）的至少一个低加速度区域（521）的刻度标记被显示为使得它们之间的间隔在所述低加速区。

5. 发明申请

WO2014063970A2 LAMINATED MATERIALS, METHODS AND APPARATUS FOR MAKING SAME, AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：层压材料，制造方法和装置及其用途
公开(公告)号：WO2014063970A2
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/071640
申请日：2013-10-16
申请人： MORGAN ADVANCED MATERIALS PLC.
发明人： BRORS, Daniel , CLARK, Richard , DEMARAY, Richard , SLUTZ, David
IPC分类号： C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0617 , C23C14/32 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01J27/16 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J2237/3137
摘要： PVD methods and apparatus for producing materials, for example nitrides, are disclosed as are electrode materials.
摘要翻译：作为电极材料公开PVD方法和用于生产材料的设备，例如氮化物。

6. 发明申请

WO2014057570A1 電子源の製造方法审中-公开
标题翻译：制造电子源的方法
公开(公告)号：WO2014057570A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/JP2012/076381
申请日：2012-10-12
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：市村　崇 , 新田　久雄 , 薗部　信之 , 趙　福來 , 村越　久弥
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/16 , H01J1/30 , H01J37/06
CPC分类号： H01J37/065 , C25F3/26 , H01J1/16 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J9/042 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/285 , H01J2237/063 , H01J2237/06316 , H01J2237/06341
摘要：　従来のチップの加工方法では、先端の形状の寸法を指定して作製することができず、所望の任意の径を持つチップを得ることができない。また、チップに不純物が付着する可能性がある。　チップ先端直径とチップ先端を加工しているときの印加電圧または囲う時間の相関関係を利用し、所望の先端直径を得る印加電圧を制御し、チップを加工する。これにより、タングステン単結晶細線の先鋭化した先端直径が０.１μｍ以上２.０μｍ以下の範囲で、所望の任意の径を持つチップを製造することができる。
摘要翻译：用于处理芯片的常规方法不会产生具有指定尺寸的尖端形状的芯片，因此不能产生具有任何数量所需直径的芯片。此外，杂质可能附着在芯片上。在本发明中，通过控制施加的电压来处理芯片，以便在处理芯片的尖端时，使用芯片的尖端直径与所施加的电压或封闭时间之间的关系来获得期望的尖端直径。由此，可以使用直径在0.1μm〜2.0μm之间的钨单晶细线的尖锐尖端来制造具有任意所需直径的芯片。

7. 发明申请

WO2012127963A1 電子銃又はイオン銃の取扱方法および収容体审中-公开
标题翻译：用于处理电子枪或离子枪的外壳和方法
公开(公告)号：WO2012127963A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/JP2012/054119
申请日：2012-02-21
申请人：電気化学工業株式会社 , 森下利幸 , 照井良典 , 廣川晋平
发明人：森下　利幸 , 照井　良典 , 廣川　晋平
IPC分类号： H01J37/06 , H01L21/027
CPC分类号： H01R43/26 , H01J3/02 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/067 , H01J37/07 , H01J37/08 , Y10T29/49117
摘要：本発明は、あらかじめ陰極（１）と陽極（９）とを組み込んで組立て、前記陰極と前記陽極とを組み込んだ状態で保管、輸送可能な荷電粒子銃（ＥＧ）において、前記荷電粒子銃を保管、輸送する際に、前記陰極と前記陽極とを導体（１１）で接続することを特徴とする。これにより、保管、輸送中に発生した静電気が引き起こす放電によって、荷電粒子銃の電極先端が損傷することを防止できるようになった。
摘要翻译：本发明是一种带电粒子枪（EG），其中负极（1）和正极（9）预先集成并组装，并且可以在负极和正极集成在一起，其中在带电粒子枪的储存和运输期间，负极和正极通过导体（11）连接。由此，可以防止带电粒子枪的电极头在储存和运输期间由静电引起的放电损坏。

8. 发明申请

WO2012082438A2 METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF SCATTERED HOT SPOT AREAS ON A MANUFACTURED SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于检查制造基板上的散射热点区域的方法和设备
公开(公告)号：WO2012082438A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/US2011063313
申请日：2011-12-05
申请人： KLA TENCOR CORP , WU SEAN X , VIVEKANAND KINI
发明人： WU SEAN X , VIVEKANAND KINI
IPC分类号： H01J37/26 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/06 , H01J37/265 , H01J37/285 , H01J37/292 , H01J2237/10 , H01J2237/202 , H01J2237/2813 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： One embodiment relates to a method of automated inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate using an electron beam apparatus. A stage holding the substrate is moved along a swath path so as to move a field of view of the electron beam apparatus such that the moving field of view covers a target area on the substrate. Off-axis imaging of the hot spot areas within the moving field of view is performed. A number of hot spot areas within the moving field of view may be determined, and the speed of the stage movement may be adjusted based on the number of hot spot areas within the moving field of view. Another embodiment relates to an electron beam apparatus for inspecting scattered areas on a manufactured substrate. Other embodiments, aspects and features are also disclosed.
摘要翻译：一个实施例涉及一种使用电子束设备自动检查制造的衬底上的散射热点区域的方法。保持基板的台沿着扫描路径移动，以移动电子束设备的视场，使得移动的视场覆盖基板上的目标区域。执行移动视场内的热点区域的离轴成像。可以确定移动视场内的多个热点区域，并且可以基于移动视场内的热点区域的数量来调整舞台移动的速度。另一实施例涉及一种用于检查制造基板上的散射区域的电子束设备。其他实施例，方面和特征也被公开。

9. 发明申请

WO2011112038A2 APPARATUS FOR GENERATING ELECTRON BEAMS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 审中-公开
标题翻译：用于生成电子束的装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011112038A2
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/KR2011001720
申请日：2011-03-11
申请人： POSTECH ACAD IND FOUND , PARK YONG WOON , KO IN SOO , PARK SUNG JU , PARK YONG JEONG , KIM SEUNG HWAN , HONG JU HO , MOON SUNG IK
发明人： PARK YONG WOON , KO IN SOO , PARK SUNG JU , PARK YONG JEONG , KIM SEUNG HWAN , HONG JU HO , MOON SUNG IK
IPC分类号： H01J37/06
CPC分类号： H01J37/06 , H01J3/024 , H01J3/027 , H01J37/075 , H01J2237/0473 , H01J2237/061 , H01J2237/166 , Y10T29/49004
摘要： The present invention relates to an apparatus for generating an electron beam, comprising: a cathode; a housing which has an opening formed at one side thereof such that the cathode is coupled to the opening, and which has a resonant cavity formed therein; and a gasket interposed between the cathode and the housing such that the gasket is compressed in accordance with the coupling strength between the cathode and the housing so as to shut off the resonant cavity from the outside.
摘要翻译：本发明涉及一种用于产生电子束的装置，包括：阴极; 壳体，其一侧形成有开口，所述开口与所述开口相连并且在其中形成有谐振腔; 以及插入在阴极和壳体之间的衬垫，使得衬垫根据阴极和壳体之间的耦合强度被压缩，以便将谐振腔从外部截止。

10. 发明申请

WO2009119074A1 スピン偏極電子発生素子审中-公开
标题翻译：旋转偏振电子源
公开(公告)号：WO2009119074A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：PCT/JP2009/001304
申请日：2009-03-24
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 宇治原徹 , 金秀光 , 竹田美和 , 中西彊 , 山本尚人 , 坂貴 , 加藤俊宏
发明人：宇治原徹 , 金秀光 , 竹田美和 , 中西彊 , 山本尚人 , 坂貴 , 加藤俊宏
IPC分类号： H01J37/073 , G21K1/00 , H01J1/34
CPC分类号： G21K1/16 , H01J1/34 , H01J3/021 , H01J37/06 , H01J2201/3423 , H01J2203/0296 , H01J2237/06333 , H01J2237/06383 , H01J2237/24557 , H01J2237/26
摘要：【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。
摘要翻译：提供了一种具有高自旋极化度和外部量子效率的自旋极化电子源，同时在选择衬底，缓冲层和失真超晶格层的材料方面提供灵活性。自旋极化电子源包括在缓冲层上形成的衬底，缓冲层和失真的超晶格层。在自旋极化电子源中，在衬底和缓冲层之间插入中间层，中间层由晶格常数大于构成缓冲层的晶体的晶格常数的晶体构成。这导致由于拉伸变形而在缓冲层中发生垂直于衬底的方向的裂纹，使得缓冲层变成马赛克状。结果，由于在倾斜方向上的滑移位错不被引入到在缓冲层上生长的失真的超晶格层中，所以改善了超晶格层的结晶特性。因此，激发电子的自旋极化度和极化电子的外部量子效率得到改善。

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