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1. 发明申请

WO2014063970A2 LAMINATED MATERIALS, METHODS AND APPARATUS FOR MAKING SAME, AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：层压材料，制造方法和装置及其用途
公开(公告)号：WO2014063970A2
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/071640
申请日：2013-10-16
申请人： MORGAN ADVANCED MATERIALS PLC.
发明人： BRORS, Daniel , CLARK, Richard , DEMARAY, Richard , SLUTZ, David
IPC分类号： C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0617 , C23C14/32 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01J27/16 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J2237/3137
摘要： PVD methods and apparatus for producing materials, for example nitrides, are disclosed as are electrode materials.
摘要翻译：作为电极材料公开PVD方法和用于生产材料的设备，例如氮化物。

2. 发明申请

WO2013186697A3 DEVICE FOR GENERATING PLASMA AND DIRECTING AN ELECTRON BEAM TOWARDS A TARGET 审中-公开
标题翻译：用于产生等离子体和引导电子束的装置达到目标
公开(公告)号：WO2013186697A3
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/IB2013054765
申请日：2013-06-11
申请人： NOIVION S R L
发明人： SKOCDOPOLOVA LIBUSE
IPC分类号： H01J3/02 , H01J37/077 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/34 , H01J37/077 , H01J37/18 , H01J37/301 , H01J37/3053 , H01J37/315 , H01J37/34 , H01J2237/3137
摘要： A device (2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII) for generating plasma and for directing an electron beam towards a target (3); the device (2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII) comprises a hollow element (5); an activation group (21), which is designed to impose a difference in potential between the hollow element (5) and another element which is separate from it, in such a way as to direct the electron beam towards said separate element; and a de Laval nozzle (23), having at least one tapered portion (13), which is tapered towards the separate element and is designed to accelerate a gas flow towards the separate element.
摘要翻译：用于产生等离子体并用于将电子束引向目标（3）的装置（2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII）所述装置（2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII）包括中空元件（5）; 激活组（21），其被设计成在中空元件（5）和与其分开的另一元件之间施加电位差，以将电子束引向所述分离元件; 和脱拉瓦尔喷嘴（23），其具有至少一个锥形部分（13），该锥形部分（13）朝着分离的元件逐渐变细，并且被设计成加速朝着分离元件的气流。

3. 发明申请

WO2008035662A1 ダイヤモンド電子源及びその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石电子源及其制造方法
公开(公告)号：WO2008035662A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/JP2007/068058
申请日：2007-09-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 植田暁彦 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：植田暁彦 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
摘要：電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。柱状ダイヤモンド単結晶（１０）片端を研磨して滑らかな平面（１１）を形成し、滑らかな平面（１１）上にセラミック層（１２）を形成する。このセラミック層（１２）上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層（１４）を堆積した後、この薄膜層（１４）をマスクとして、エッチングによりセラミック層（１２）をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶（１０）の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。
摘要翻译：本发明提供了一种金刚石电子源，其包括一个尖锐部分作为用于电子束设备如电子显微镜的电子发射点，在具有难以涂覆的尺寸的柱状金刚石单晶的一端在微细加工过程中抗蚀剂及其制造方法。抛光柱状金刚石单晶（10）的一端，以形成光滑的平坦表面（11），并且在光滑平坦表面（11）上形成陶瓷层（12）。通过使用聚焦离子束装置在陶瓷层（12）上沉积具有预定形状的薄膜层（14）。此后，使用薄膜层（14）作为掩模，通过蚀刻对陶瓷层（12）进行图案化。通过使用形成的陶瓷掩模的干蚀刻，在柱状金刚石单晶（10）的一端形成一个尖锐部分。

4. 发明申请

WO2014063970A3 LAMINATED MATERIALS, METHODS AND APPARATUS FOR MAKING SAME, AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：层压材料，制造方法和设备及其用途
公开(公告)号：WO2014063970A3
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2013071640
申请日：2013-10-16
申请人： NITRIDE SOLUTIONS INC
发明人： BRORS DANIEL , CLARK RICHARD , DEMARAY RICHARD , SLUTZ DAVID
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/56 , H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： C23C14/0617 , C23C14/32 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01J27/16 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J2237/3137
摘要： PVD methods and apparatus for producing materials, for example nitrides, are disclosed as are electrode materials.
摘要翻译：公开了用于制造材料的PVD方法和装置，例如氮化物，以及电极材料。

5. 发明申请

WO2006006263A1 給電機構を搭載する真空装置および給電方法审中-公开
标题翻译：供电机构安装的真空设备和电源方式
公开(公告)号：WO2006006263A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/000852
申请日：2005-01-24
申请人：株式会社昭和真空 , 瀧本昌行 , 小室弘之 , 布施豊 , 阿部辰弥 , 青名端一仁
发明人：瀧本昌行 , 小室弘之 , 布施豊 , 阿部辰弥 , 青名端一仁
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/32 , H01J37/023 , H01J37/24 , H01J37/3053 , H01J2237/024 , H01J2237/3137 , H01R39/381 , H01R39/64
摘要：　真空槽内部に配置される回転電極と回転電極に接触して電力を供給する給電機構との接触状態を改善する。　真空槽、真空槽内部に電気的絶縁状態で配置される回転電極、及び、回転電極に接触して電力を供給する給電機構からなる真空装置であって、回転電極は環形状を有し、環中心軸に対して水平回転し、給電機構は電極部材からなり、電極部材と回転電極とが少なくとも１つの接触面で接触する構成とした。
摘要翻译：提高放置在真空槽中的旋转电极与通过与旋转电极接触而供电的供电机构之间的接触状态。一种真空装置，其特征在于，包括真空槽，电绝缘状态的真空槽内设置的旋转电极，以及与所述旋转电极接触而供给电力的供电机构，所述旋转电极具有环状，水平旋转所述供电机构相对于所述环状的中心轴线具有电极部件，所述电极部件和所述旋转电极在至少一个接触面彼此接触。

6. 发明申请

WO99035667A1 PLASMA TREATMENT FOR PRODUCING ELECTRON EMITTERS 审中-公开
标题翻译：用于生产电子发射器的等离子体处理
公开(公告)号：WO99035667A1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：PCT/US1999/000082
申请日：1999-01-05
IPC分类号： H01J9/02 , C23F4/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J9/025 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J2237/3137 , H01J2237/32 , H01J2237/334
摘要： Plasma treatment for producing carbonaceous field emission electron emitters is disclosed. A plasma of ions is generated in a closed chamber and used to surround the exposed surface of a carbonaceous material. A voltage is applied to an electrode that is in contact with the carbonaceous material. This voltage has a negative potential relative to a second electrode in the chamber and serves to accelerate the ions toward the carbonaceous material and provide an ion energy sufficient to etch the exposed surface of the carbonaceous material but not sufficient to result in the implantation of the ions within the carbonaceous material. Preferably, the ions used are those of an inert gas or an inert gas with a small amount of added nitrogen.
摘要翻译：公开了用于生产碳质场致发射电子发射体的等离子体处理。离子的等离子体在封闭的室中产生并用于包围碳质材料的暴露表面。向与碳质材料接触的电极施加电压。该电压相对于腔室中的第二电极具有负电位并且用于将离子加速到碳质材料并提供足以蚀刻碳质材料的暴露表面但不足以导致离子注入的离子能量在碳质材料内。优选使用的离子是具有少量加入的氮的惰性气体或惰性气体。

7. 发明申请

WO2016042530A1 VIRTUAL CATHODE DEPOSITION (VCD) FOR THIN FILM MANUFACTURING 审中-公开
标题翻译：虚拟阴极沉积（VCD）薄膜制造
公开(公告)号：WO2016042530A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/IB2015/057205
申请日：2015-09-18
申请人： PLASMA APP LTD.
发明人： YARMOLICH, Dmitry
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34 , H01J3/02 , H01J37/077 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/30 , C23C14/32 , H01J3/025 , H01J37/32055 , H01J37/3233 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32596 , H01J37/32816 , H01J37/34 , H01J37/3467 , H01J2237/06366 , H01J2237/3137 , H01J2237/332
摘要： A virtual cathode deposition apparatus utilises virtual plasma cathode for generation of high density electron beam to ablate a solid target. A high voltage electrical pulse ionizes gas to produce a plasma which temporarily appears in front of the target and serves as the virtual plasma cathode at the vicinity of target. This plasma then disappears allowing the ablated target material in a form of a plasma plume to propagate toward the substrate. Several virtual cathodes operating in parallel provide plumes that merge into a uniform plasma which when condensing on a nearby substrate leads to wide area deposition of a uniform thickness thin film.
摘要翻译：虚拟阴极沉积装置利用虚拟等离子体阴极产生高密度电子束以消融固体靶。高电压电脉冲使气体电离，产生临时出现在靶前方的等离子体，并用作目标附近的虚拟等离子体阴极。然后该等离子体消失，允许以等离子体羽流形式的烧蚀的靶材料向衬底传播。并行操作的几个虚拟阴极提供合并成均匀等离子体的羽流，当等离子体在附近的基底上凝结时，导致均匀厚度薄膜的广泛沉积。

8. 发明申请

WO2015149846A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置用于基材的表面处理
公开(公告)号：WO2015149846A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2014/056545
申请日：2014-04-01
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： RAZEK, Nasser
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/02
CPC分类号： H01L21/02046 , C23C14/022 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J2237/08 , H01J2237/3137 , H01J2237/3151 , H01L21/67028
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer Substratoberfläche (7o) eines Substrats (7) mit folgenden Schritten: - Anordnung der Substratoberfläche (7o) in einer Prozesskammer (8), - Beaufschlagung der Substratoberfläche (7o) mit einem von einer Ionenstrahlquelle (2, 2', 2") erzeugten, auf die Substratoberfläche (7o) gerichteten lonenstrahl (3, 3', 3") zur Ablösung von Verunreinigungen von der Substratoberfläche (7o), wobei der Ionenstrahl (3, 3', 3") eine erste Komponente aufweist, - Einleitung einer zweiten Komponente in die Prozesskammer (8) zur Bindung der abgelösten Verunreinigungen. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung einer Substratoberfläche (7o) eines Substrats (7) mit: - einer Prozesskammer (8) zur Aufnahme des Substrats (7), - einer Ionenstrahlquelle (2, 2', 2") zur Erzeugung eines eine erste Komponente aufweisenden, auf die Substratoberfläche (7o) gerichteten Ionenstrahls (3, 3', 3") zur Ablösung von Verunreinigungen von der Substratoberfläche (7o), - Mittel zur Einleitung einer zweiten Komponente in die Prozesskammer (8) zur Bindung der abgelösten Verunreinigungen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在衬底（7）具有以下步骤的基板表面（70）的表面处理的方法： - 与一种对基板表面（70）（离子束源2的 - 在处理室（8）中，在基板表面（70）的定位，2为从基板表面3的杂质（70），离子束（3，分离”，2“）中产生（在衬底表面70）引导离子束（3,3' ，3" ）”，3“）一。具有第一组分， - 引入第二组分在处理室（8）用于进一步分离的杂质附着，本发明涉及一种装置，用于在基板的基板表面（70）（7），其包括进行表面处理： - 一个处理室（8），用于接收具有用于产生第一成分，在基底表面上的离子束源（2,2”，2“）（70）引导离子束（3， - 在衬底（7）， 3”，3“）为杂质脱离（从衬底表面70）， - 用于在所述处理室（8），用于的分离的杂质附着引入第二组分。

9. 发明申请

WO2013186697A2 DEVICE FOR GENERATING PLASMA AND DIRECTING AN ELECTRON BEAM TOWARDS A TARGET 审中-公开
标题翻译：用于产生等离子体和引导电子束的装置达到目标
公开(公告)号：WO2013186697A2
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/IB2013/054765
申请日：2013-06-11
申请人： NOIVION S.R.L.
发明人： Skocdopolova, Libuse
IPC分类号： H01J3/02 , H01J37/077 , H01J37/34 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/34 , H01J37/077 , H01J37/18 , H01J37/301 , H01J37/3053 , H01J37/315 , H01J37/34 , H01J2237/3137
摘要： A device (2; 2 I ; 2 II ; 2 IV ; 2 V ; 2 VI ; 2 VII ; 2V III ) for generating plasma and for directing an electron beam towards a target (3); the device (2; 2 I ; 2 II ; 2 IV ; 2 V ; 2 VI ; 2 VII ; 2V III ) comprises a hollow element (5); an activation group (21), which is designed to impose a difference in potential between the hollow element (5) and another element which is separate from it, in such a way as to direct the electron beam towards said separate element; and a de Laval nozzle (23), having at least one tapered portion (13), which is tapered towards the separate element and is designed to accelerate a gas flow towards the separate element.
摘要翻译：用于产生等离子体并用于将电子束引向目标（3）的装置（2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII）所述装置（2; 2I; 2II; 2IV; 2V; 2VI; 2VII; 2VIII）包括中空元件（5）; 激活组（21），其被设计成在中空元件（5）和与其分离的另一个元件之间施加电位差，以将电子束引向所述分离元件; 和脱拉瓦尔喷嘴（23），其具有至少一个渐缩部分（13），该渐缩部分（13）朝着分离的元件逐渐变细，并且被设计成加速朝着分离元件的气流。

10. 发明申请

WO2011140481A1 SPOTLESS ARC DIRECTED VAPOR DEPOSITION (SA-DVD) AND RELATED METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：无铅ARC导向沉积（SA-DVD）及其相关方法
公开(公告)号：WO2011140481A1
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/US2011/035581
申请日：2011-05-06
申请人： UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION , WADLEY, Haydn N. G. , MATTAUSCH, Goesta , ROEGNER, Frank-Holm , SCHEFFEL, Bert , METZNER, Christoph , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG
发明人： WADLEY, Haydn N. G. , MATTAUSCH, Goesta , ROEGNER, Frank-Holm , SCHEFFEL, Bert , METZNER, Christoph
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/30 , C23C14/22 , C23C14/00
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0021 , C23C14/228 , H01J37/3053 , H01J37/32055 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J37/32614 , H01J2237/006 , H01J2237/3137
摘要： A plasma assisted directed vapor deposition process that utilizes a spotless arc directed vapor deposition (SA-DVD) method for the creation of the plasma in a directed vapor deposition apparatus. Vapor is created by electron or other high intensity directed energy beam evaporation from one or more source materials contained in a water cooled crucible. This vapor is entrained in a transonic helium or other gas jet and transported to a substrate for deposition. The electron or other directed energy beam used for evaporation is simultaneously exploited to ionize the vapor and the jet forming gas (helium, or other gases including combinations of inert and reactant gases). An anode positioned near the electron beam impingement position attracts scattered electrons formed during the directed energy beams interaction with a target surface and enables the formation of an intense plasma. This plasma is at first transported towards the substrate by the vapor entraining gas jet through an ion-drag mechanism. However, if the substrate is sufficiently charged (electrically biased), the plasma ions are electrostatically accelerated towards the substrate and this extra momentum aids in vapor transport and deposition on a component surface.
摘要翻译：一种等离子体辅助定向气相沉积方法，其利用无点弧定向气相沉积（SA-DVD）方法在定向气相沉积设备中产生等离子体。通过电子或其它高强度定向能量束蒸发产生的蒸气是从包含在水冷坩埚中的一种或多种源材料产生的。该蒸气被夹带在跨音氦气或其它气体射流中并被运送到基底以进行沉积。用于蒸发的电子或其他定向能量束同时被利用来离子化蒸汽和喷射形成气体（氦气或其它气体，包括惰性气体和反应气体的组合）。位于电子束冲击位置附近的阳极吸引在与目标表面相互作用的定向能量束期间形成的散射电子，并且能够形成强烈的等离子体。该等离子体首先通过蒸汽夹带气体射流通过离子牵引机构传送到衬底。然而，如果衬底充分充电（电偏置），则等离子体离子被静电加速朝向衬底，并且这种额外的动量有助于蒸汽输送和沉积在部件表面上。

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