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1. 发明申请

WO2005069700A2 PROCESS FOR MANUFACTURING SINGLE-WALL CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：制造单壁碳纳米管的工艺
公开(公告)号：WO2005069700A2
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/EP2005/000016
申请日：2005-01-04
申请人： DEDIU VALENTIN , LOTTI, Riccardo , MATACOTTA, Francesco, Cino , TALIANI, Carlo
发明人： DEDIU VALENTIN , LOTTI, Riccardo , MATACOTTA, Francesco, Cino , TALIANI, Carlo
IPC分类号： H05H1/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , H01J2237/3146
摘要： A process for manufacturing single-wall and multiwall carbon nanotubes, comprising the stage of ablation by pulsed electronic beams of a graphite target that contains metallic catalysts.
摘要翻译：一种用于制造单壁和多壁碳纳米管的方法，包括通过包含金属催化剂的石墨靶的脉冲电子束进行烧蚀阶段。

2. 发明申请

WO2016018771A1 ION BEAM SAMPLE PREPARATION AND COATING APPARATUS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：离子束样品制备和涂层装置和方法
公开(公告)号：WO2016018771A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/US2015/042149
申请日：2015-07-25
申请人： HUNT, John Andrew , COYLE, Steven Thomas , HASSEL-SHEARER, Michael Patrick , HOSMAN, Thijs C.
发明人： HUNT, John Andrew , COYLE, Steven Thomas , HASSEL-SHEARER, Michael Patrick , HOSMAN, Thijs C.
IPC分类号： H01J27/00
CPC分类号： C23C14/46 , C23C14/022 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C14/545 , C23C14/566 , H01J37/3053 , H01J37/3178 , H01J2237/0822 , H01J2237/184 , H01J2237/202 , H01J2237/204 , H01J2237/3146 , H01J2237/3151
摘要： Ion beam sample preparation and coating apparatus and methods are described. A sample may be prepared in one or more ion beams and then a coating may be sputtered onto the prepared sample within the same apparatus. A vacuum transfer device may be used with the apparatus in order to transfer a sample into and out of the apparatus while in a controlled environment. Various methods to improve preparation and coating uniformity are disclosed including: rotating the sample retention stage; modulating the sample retention stage; variable tilt ion beam irradiating means, more than one ion beam irradiating means, coating thickness monitoring, selective shielding of the sample, and modulating the coating donor holder.
摘要翻译：描述了离子束样品制备和涂布装置和方法。可以在一个或多个离子束中制备样品，然后在相同的装置内将涂层溅射到制备的样品上。真空转移装置可以与该装置一起使用，以便在受控环境中将样品转入和移出装置。公开了改善制备和涂布均匀性的各种方法，包括：旋转样品保留阶段; 调节样品保留期; 可变倾斜离子束照射装置，多于一个离子束照射装置，涂层厚度监测，样品的选择性屏蔽以及调节涂层供体保持器。

3. 发明申请

WO2009018244A1 METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING THROUGHPUT DURING LOCATION SPECIFIC PROCESSING OF A PLURALITY OF SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：在多个基板的位置特定处理中增加通量的方法和系统
公开(公告)号：WO2009018244A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/US2008/071412
申请日：2008-07-29
申请人： TEL EPION INC. , CALIENDO, Steven, P. , HOFMEESTER, Nicolaus, J.
发明人： CALIENDO, Steven, P. , HOFMEESTER, Nicolaus, J.
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/305 , C23C14/22 , G03F7/20 , H01L21/00 , H01L21/66 , H03H9/00
CPC分类号： H01J37/304 , C23C14/221 , C23C14/545 , C23C16/047 , C23C16/513 , C23C16/52 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/0812 , H01J2237/30416 , H01J2237/30472 , H01J2237/3146 , H01J2237/3151
摘要： A method and system of location specific processing on a plurality of substrates is described. The method comprises measuring metrology data for the plurality of substrates (152). Thereafter, the method comprises computing correction data for a first substrate (152) using the metrology data, followed by computing correction data for a second substrate (152) using the metrology data. While computing the correction data for the second substrate (152), the method comprises applying the correction data for the first substrate (152) to the first substrate (152) using a gas cluster ion beam (GCIB) (128A).
摘要翻译：描述了在多个基板上的位置特定处理的方法和系统。该方法包括测量多个基板（152）的测量数据。此后，该方法包括使用测量数据计算第一衬底（152）的校正数据，随后使用度量数据计算第二衬底（152）的校正数据。在计算第二衬底（152）的校正数据的同时，该方法包括使用气体簇离子束（GCA）（128A）将第一衬底（152）的校正数据应用于第一衬底（152）。

4. 发明申请

WO02048424A1 ION BEAM SPUTTERING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：离子束溅射装置
公开(公告)号：WO02048424A1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：PCT/GB2001/005514
申请日：2001-12-12
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/46
CPC分类号： C23C14/3442 , C23C14/46 , H01J2237/3146
摘要： A vacuum sputtering apparatus comprising a deposition target (3) illuminated by a plurality of ion beams (6, 7) is disclosed, along with a method of reproducibly producing ultra thin films of multi-layer material having a substantially increased area, and a high degree of uniformity.
摘要翻译：公开了一种包括由多个离子束（6,7）照射的沉积靶（3）的真空溅射装置，以及可重复地制造具有显着增加的面积的多层材料的超薄膜和高均匀度。

5. 发明申请

WO2015127017A1 COMBINED ION BEAM AND SPUTTERING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：组合离子束和溅射装置
公开(公告)号：WO2015127017A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/US2015/016519
申请日：2015-02-19
申请人： ISOFLUX INCORPORATED , GLOCKER, David, Appler
发明人： GLOCKER, David, Appler
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3464 , C23C14/355 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J37/3405 , H01J37/3438 , H01J37/3444 , H01J37/345 , H01J37/3467 , H01J2237/3146
摘要： A sputtering apparatus includes an electrode having a material for sputtering; a reference electrode; an electron source; a power supply to alternately apply negative and positive voltage to the electrode with respect to the reference electrode; and a magnetic field generating system to generate magnetic fields. The magnetic field generating system confines electrons emitted from the electrode to permit sputtering of the material when the electrode is biased negatively with respect to the reference electrode. The magnetic field generating system forces electrons flowing from the electron source to the electrode to cross the generated magnetic fields when the electrode is biased positively with respect to the reference electrode.
摘要翻译：溅射装置包括具有用于溅射的材料的电极; 参考电极; 电子源用于相对于参考电极交替地向电极施加负电压和正电压的电源; 以及产生磁场的磁场产生系统。当电极相对于参考电极负偏压时，磁场产生系统限制从电极发射的电子，以允许材料的溅射。当电极相对于参考电极正向偏置时，磁场产生系统迫使从电子源流向电极的电子与所产生的磁场交叉。

6. 发明申请

WO2008009889A1 ION DEPOSITION APPARATUS 审中-公开
标题翻译：离子沉积装置
公开(公告)号：WO2008009889A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/GB2007/002537
申请日：2007-07-06
申请人： AVIZA TECHNOLOGY LIMITED , PROUDFOOT, Gary , GEORGE, Christopher, David , LIMA, Paulo, Edurado , GREEN, Gordon, Robert , TROWELL, Robert, Kenneth
发明人： PROUDFOOT, Gary , GEORGE, Christopher, David , LIMA, Paulo, Edurado , GREEN, Gordon, Robert , TROWELL, Robert, Kenneth
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/317 , C23C14/46 , H01J37/08 , H01J27/04 , H01J27/16 , H01J37/20
CPC分类号： C23C14/46 , H01J27/18 , H01J37/20 , H01J37/3178 , H01J2237/024 , H01J2237/3146
摘要： This invention relates to a broad beam ion deposition apparatus (100) including an ion source (101), a target (102), a tillable substrate table (103) and an auxiliary port (104). The target (102) is in the form of a carousel which carries a number of targets and the ion source (101) is configured to produce a substantially rectangular section beam (105).
摘要翻译：本发明涉及一种包括离子源（101），靶（102），可耕化基板台（103）和辅助端口（104）的宽束离子沉积装置（100）。目标（102）是携带多个目标的转盘的形式，并且离子源（101）被配置为产生基本上矩形的截面梁（105）。

7. 发明申请

WO2005069700A3 PROCESS FOR MANUFACTURING SINGLE-WALL CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：制造单壁碳纳米管的方法
公开(公告)号：WO2005069700A3
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/EP2005000016
申请日：2005-01-04
申请人： DEDIU VALENTIN , LOTTI RICCARDO , MATACOTTA FRANCESCO CINO , TALIANI CARLO
发明人： DEDIU VALENTIN , LOTTI RICCARDO , MATACOTTA FRANCESCO CINO , TALIANI CARLO
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , H01J2237/3146
摘要： A process for manufacturing single-wall and multiwall carbon nanotubes, comprising the stage of ablation by pulsed electronic beams of a graphite target that contains metallic catalysts.
摘要翻译：一种制造单壁和多壁碳纳米管的方法，包括通过含有金属催化剂的石墨靶的脉冲电子束烧蚀的阶段。

8. 发明申请

WO2008035662A1 ダイヤモンド電子源及びその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石电子源及其制造方法
公开(公告)号：WO2008035662A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/JP2007/068058
申请日：2007-09-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 植田暁彦 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：植田暁彦 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
摘要：電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。柱状ダイヤモンド単結晶（１０）片端を研磨して滑らかな平面（１１）を形成し、滑らかな平面（１１）上にセラミック層（１２）を形成する。このセラミック層（１２）上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層（１４）を堆積した後、この薄膜層（１４）をマスクとして、エッチングによりセラミック層（１２）をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶（１０）の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。
摘要翻译：本发明提供了一种金刚石电子源，其包括一个尖锐部分作为用于电子束设备如电子显微镜的电子发射点，在具有难以涂覆的尺寸的柱状金刚石单晶的一端在微细加工过程中抗蚀剂及其制造方法。抛光柱状金刚石单晶（10）的一端，以形成光滑的平坦表面（11），并且在光滑平坦表面（11）上形成陶瓷层（12）。通过使用聚焦离子束装置在陶瓷层（12）上沉积具有预定形状的薄膜层（14）。此后，使用薄膜层（14）作为掩模，通过蚀刻对陶瓷层（12）进行图案化。通过使用形成的陶瓷掩模的干蚀刻，在柱状金刚石单晶（10）的一端形成一个尖锐部分。

9. 发明申请

WO2007075435A2 APPARATUS FOR REACTIVE SPUTTERING 审中-公开
标题翻译：装置反应溅射
公开(公告)号：WO2007075435A2
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/US2006047945
申请日：2006-12-14
申请人： FLUENS CORP , DEVITO RICHARD , KLEIN MARTIN , SFERLAZZO PIERO
发明人： DEVITO RICHARD , KLEIN MARTIN , SFERLAZZO PIERO
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/32
CPC分类号： C23C14/0073 , C23C14/0052 , C23C14/044 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/568 , H01J37/185 , H01J37/3178 , H01J37/3233 , H01J37/32761 , H01J37/34 , H01J2237/2006 , H01J2237/202 , H01J2237/3146
摘要： A reactive sputtering system includes a vacuum chamber and a reactive ion source that is positioned inside the vacuum chamber. The reactive ion source generates a reactive ion beam from a reactant gas. A sputtering chamber is positioned in the vacuum chamber. The sputtering chamber includes a sputter source having a sputtering target that generates sputtering flux, walls that contain an inert gas, and a seal that impedes the reactant gas from entering into the sputtering chamber and that impedes inert gas and sputtered material from escaping into the vacuum chamber. A transport mechanism transports a substrate under the reactive ion source and through the sputtering chamber. The substrate is exposed to the reactive ion beam while passing under the reactive ion source and then is exposed to sputtering flux while passing through the sputtering chamber.
摘要翻译：反应性溅射系统包括真空室和位于真空室内的反应离子源。反应离子源从反应气体产生反应离子束。溅射室位于真空室中。溅射室包括溅射源，其具有产生溅射焊剂的溅射靶，含有惰性气体的壁和阻止反应气体进入溅射室的密封件，并阻止惰性气体和溅射材料逸出到真空中室。输送机构将反应离子源下方的基板输送到溅射室。当反应离子源通过时，将衬底暴露于反应离子束，然后在通过溅射室的同时暴露于溅射焊剂。

10. 发明申请

WO01022470A1 ION BEAM VACUUM SPUTTERING APPARATUS AND METHOD 审中-公开
标题翻译：离子束真空溅射装置和方法
公开(公告)号：WO01022470A1
公开(公告)日：2001-03-29
申请号：PCT/GB2000/003577
申请日：2000-09-18
IPC分类号： G21K5/04 , C23C14/46 , H01J27/16 , H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/34 , H05H1/24 , H01J27/02 , H01J27/18
CPC分类号： H01J37/304 , H01J2237/3146
摘要： A vacuum sputtering apparatus (1) includes an ion gun (3) whose ion extraction system (5) includes an accelerator grid (22) connected to a d.c. voltage supply (21). The plasma in the ion gun (3) is generated by r.f. power delivered by an r.f. coil (6) and forms a beam of ions (8) which is projected towards a target (9) from which material is sputtered on to a substrate (12). Magnets (7) trap adjacent the wall of the plasma generation chamber (4) electrons released as a result of plasma formation. An r.f. power supply (32) supplies r.f. power to the r.f. coil (6). A control circuit includes components (23, 30; 23, 30, 38, 39, 40, 41) arranged to derive from the current flowing from the d.c. voltage supply (21) to the accelerator grid (22) a control signal for controlling the r.f power supply means (32). This control signal can be supplied to a computer (31) which carries out fast accelerator grid current/time integration or fast accelerator grid power/time integration, to determine the rate of deposition of sputtered material upon the substrate (12). Alternatively the control signal can be fed into the r.f. power supply means (32) for direct closed loop accelerator grid current or grid power control.
摘要翻译：真空溅射装置（1）包括离子枪（3），其离子提取系统（5）包括连接到直流电路的加速器网格（22）。电源（21）。离子枪（3）中的等离子体由r.f产生。电源由r.f. 线圈（6）并且形成离子（8）的一束，所述离子束朝向靶（9）投影，材料溅射到靶（12）上。磁体（7）与等离子体产生室（4）的壁相邻陷入由于等离子体形成而释放的电子。一个r.f. 电源（32）供应r.f. 权力到r.f. 线圈（6）。控制电路包括被配置为从电流流过的电流导出的组件（23,30; 23,30,38,39,40,41）。向加速器电网（22）供给（21）用于控制r.f电源装置（32）的控制信号。该控制信号可以被提供给执行快速加速器电网电流/时间积分或快速加速器电网功率/时间积分的计算机（31），以确定溅射材料在衬底（12）上的沉积速率。或者，控制信号可以馈送到r.f. 电源装置（32），用于直接闭环加速器电网电流或电网功率控制。

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