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热词
    • 1. 发明申请
    • 電流測定装置および電流測定方法
    • 电流测量装置和电流测量方法
    • WO2015056397A1
    • 2015-04-23
    • PCT/JP2014/004648
    • 2014-09-10
    • 公立大学法人大阪市立大学
    • 辻本 浩章
    • G01R19/00G01R15/20
    • G01R15/205G01R15/207G01R19/0092G01R21/08
    •  電気機器、電子機器の消費電力の測定や電力の蓄積や消費の管理を行うためには、重畳された多くの周波数の電流が流れる導線に対して、どの周波数成分の電流がどれだけ流れているのかということを検出することが必要である。 被測定回路中の導線中を流れる電流を測定する電流測定装置であって、駆動電流端子と測定電圧端子が設けられた磁性素子と、前記磁性体と前記導線の位置関係を固定するホルダーと、前記駆動電流端子間に少なくとも1つ以上の周波数の交流電流を出力可能な電流源と、前記測定電圧端子間の電圧を測定する電圧測定器と、前記測定電圧端子と前記電圧測定器の間に設けられたローパスフィルタと、を有することを特徴とする電流測定装置。
    • 为了测量功率消耗或通过电气设备或电子设备来管理电力的存储或消耗,有必要检测每个频率分量的电流在导线中流动的电流以及在何种程度上,通过该导线的重叠电流 许多频率正在流动。 一种用于测量被测电路中的导线中流动的电流的电流测量装置,其特征在于具有设置有驱动电流端子和测量电压端子的磁性元件的电流测量装置, 用于将导线的位置关系固定在磁体上,能够输出跨越驱动电流端子的交流电流的至少一个频率的电流源,用于测量测量电压端子两端的电压的电压计,以及 设置在测量电压端子和电压表之间的低通滤波器。
    • 3. 发明申请
    • HIGH LINEARITY, LOW OFFSET INTERFACE FOR HALL EFFECT DEVICES
    • 高线性,低偏移接口,用于霍尔效应器件
    • WO00020822A2
    • 2000-04-13
    • PCT/US1999/023357
    • 1999-10-07
    • G01R15/20G01R21/08G01B
    • G01R21/08G01R15/202
    • A Hall effect sensor (10) or device may be used in a variety of embodiments, such as measuring current within an associated conductor by helping to measure flux density within a gap of a ferromagnetic power meter core, such as in a power meter. A high linearity interface for a Hall effect device is provided for minimizing offset effects without using complicated electronic circuits. First (48) and second (50) levels of modulation relative to line frequency (42) are used to synchronize Hall effect device input switching circuits and feedback loops for improved elimination of offset signals or noise from the ultimate system output. The substrate (12) of the Hall effect device may be connected electrically to an output pin of the Hall device or to a separate virtual ground to eliminate any effects caused by asymmetry of the voltage appearing in the channel relative to the substrate. The net effect of the high linearity interface is to eliminate any adverse effects to linearity of the system, especially at low magnetic flux levels where the output voltage of the Hall device would be relatively small compared to the offset voltage levels involved. The interface virtually eliminates adverse effects from operational amplifier input offset voltages, Hall effect device output offset voltages, and any common mode voltages.
    • 霍尔效应传感器(10)或装置可以用于各种实施例中,例如通过帮助测量铁磁功率计内核(例如功率计)的间隙内的磁通密度来测量相关导体内的电流。 提供用于霍尔效应器件的高线性度接口,用于在不使用复杂电子电路的情况下最小化偏移效应。 使用相对于线路频率(42)的第一(48)和第二(50)调制电平来同步霍尔效应器件输入开关电路和反馈回路,以改善消除偏移信号或噪声从最终系统输出。 霍尔效应器件的衬底(12)可以电连接到霍尔器件的输出引脚或单独的虚拟接地,以消除由通道中相对于衬底出现的电压不对称引起的任何影响。 高线性界面的净效应是消除对系统线性的任何不利影响,特别是在霍尔器件的输出电压相对于所涉及的偏移电压电平相对较小的低磁通量水平时。 接口实际上消除了运算放大器输入失调电压,霍尔效应器件输出失调电压和任何共模电压的不利影响。
    • 7. 发明申请
    • 温度補償機能付センサ素子とそれを用いた磁気センサおよび電力測定装置
    • 具有温度补偿功能的传感器元件,以及使用其的磁传感器和电力测量装置
    • WO2014162730A1
    • 2014-10-09
    • PCT/JP2014/001905
    • 2014-04-01
    • 公立大学法人大阪市立大学
    • 辻本 浩章
    • G01R33/09G01R21/08H01L43/08
    • G01R21/08G01R33/093H01L43/08
    •  磁気抵抗効果型磁気センサにとっては、周囲の温度が上がることによって、磁性膜自身の磁気特性が低下するために、センサとしての感度が低下するという問題があった。 磁気抵抗効果を有する磁性膜と前記磁性膜に電流を流すための前記磁性膜を介して対向した一対の電極と、前記電極の対向方向に第1のバイアス磁界を発生させる縦バイアス磁界付加磁石と、前記縦バイアス磁界付加磁石に直角方向に第2のバイアス磁界を発生させる横バイアス磁界付加磁石を有し、前記縦バイアス磁界付加磁石の温度特性が前記横バイアス磁界付加磁石の温度特性より大きいことを特徴とするセンサ素子。
    • 磁阻效应磁传感器具有作为传感器的灵敏度降低的问题,因为磁性膜本身的磁特性由于周围温度的升高而降低。 一种传感器元件,其特征在于包括:具有磁阻效应的磁性膜; 一对电极彼此面对,其间具有磁性膜以使电流通过磁性膜; 纵向偏置磁场施加磁体,用于在所述电极彼此面对的方向上产生第一偏置磁场; 以及横向偏置磁场施加磁体,用于在垂直于纵向偏置磁场施加磁体的方向上产生第二偏置磁场,并且纵向偏置磁场施加磁体的温度特性大于 侧偏磁场应用磁铁。