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热词
    • 3. 发明申请
    • FORMABLE INTERFACE AND SHIELDING STRUCTURES
    • 可靠的界面和屏蔽结构
    • WO2017106018A1
    • 2017-06-22
    • PCT/US2016/065686
    • 2016-12-09
    • MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC
    • WU, ReneeNIKKHOO, Michael
    • H01L23/42
    • F28F21/02B23P15/26F28F21/065H01L23/3737H01L23/42H01L23/552
    • A formable structure comprises a first material having a first level of viscosity and a second material having a second level of viscosity, wherein the second material is formed to hold at least a portion of the first material in a particular position or a particular shape. The first material can be configured to function as a thermal interface between two or more hardware components. The second material can be configured to have a higher viscosity than the first material. In one illustrative example, the second material can include a light-activated resin that is configured to harden when exposed to one or more treatments. By the use of the first material and second material, the techniques disclosed herein are adaptable to gaps having a wide range of sizes, which is difficult to do with traditional thermal interface materials. The second material can also function as an EMI shield.
    • 可成形结构包括具有第一粘度水平的第一材料和具有第二水平粘度的第二材料,其中第二材料形成为将第一材料的至少一部分保持在 特定位置或特定形状。 第一种材料可以配置为用作两个或多个硬件组件之间的热接口。 第二材料可以构造成具有比第一材料更高的粘度。 在一个说明性示例中,第二材料可以包括被配置为当暴露于一种或多种处理时硬化的光活化树脂。 通过使用第一材料和第二材料,本文公开的技术适用于具有宽范围尺寸的间隙,这对于传统的热界面材料是难以做到的。 第二种材料也可以用作EMI屏蔽。
    • 7. 发明申请
    • 半導体素子用放熱部品
    • 半导体元件的散热元件
    • WO2016035789A1
    • 2016-03-10
    • PCT/JP2015/074843
    • 2015-09-01
    • 電気化学工業株式会社
    • 石原 庸介宮川 健志小柳 和則
    • C22C26/00C22C47/12C22C49/06C22C49/14C25D7/00H01L23/373
    • F28F21/02B22F7/06C22C21/02C22C26/00C22C47/12C22C49/06C23C18/32C23C18/42C25D5/12C25D5/44F28F21/084F28F21/089F28F2255/06H01L21/4871H01L23/373H01L23/3732H01L23/3736H01L2924/0002H01L2924/00
    • 【課題】高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率とを備え、実使用条件下で膨れおよびクラックの発生しない半導体素子用放熱部品を提供する。【解決手段】粒子径の体積分布の第一ピークが5~25μmにあり、第二ピークが55~195μmにあり、粒子径が1~35μmである体積分布の面積と粒子径が45~205μmである体積分布の面積との比率が1対9ないし4対6であるダイヤモンド粉末を50体積%~80体積%含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成される複合化部を備え、該複合化部の両主面に、アルミニウムを含有する金属を80体積%以上含有する、膜厚0.03~0.2mmの表面層を備え、少なくとも一方の表面層上に、(1)膜厚が0.5~6.5μmである結晶質のNi層、(2)膜厚が0.05μm以上であるAu層を更に備えることを特徴とする半導体素子用放熱部品を提供する。
    • 为了提供一种用于半导体元件的散热元件,所述元件被赋予高导热率和接近半导体元件的热膨胀系数,并且所述元件在实际使用条件下不会发生膨胀或开裂。 [解决方案]提供一种用于半导体元件的散热部件,所述部件的特征在于,配备有包含50〜80体积%的金刚石粉末的复合部件,其粒径体积分布具有5〜25μm的第一峰值 55-195μm的第二个峰,1-35μm粒径体积分布面积和45-205μm粒径体积分布的比例为1:9至4:6,复合部分的余量 包括含铝金属,所述复合部件的两个主表面设置有含有至少80体积%的含铝金属并且厚度为0.03-0.2mm的表面层,并且至少一个所述表面层 进一步具有(1)厚度为0.5-6.5μm的结晶Ni层,和(2)厚度为0.05μm以上的Au层。