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1. 发明申请

WO2017162628A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTISCHER KOMPONENTEN UNTER VERWENDUNG VON FUNKTIONSELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：使用功能元件生产光学元件的方法
公开(公告)号：WO2017162628A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/EP2017/056627
申请日：2017-03-21
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： QUENZER, Hans, Joachim , STENCHLY, Vanessa
IPC分类号： B81C1/00 , G02B26/08 , G02B7/00
CPC分类号： B81C1/00317 , B81B2201/042 , B81B2203/0384 , B81C1/00595 , B81C1/00634 , B81C2203/0127 , B81C2203/031 , B81C2203/033 , G02B7/003 , G02B26/0833
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung optischer Komponenten, wobei durch das in Kontakt bringen eines Verformungselements mit einem Träger eine erste Kontaktfläche und durch das Aufbringen eines Funktionselements auf dem Verformungselement eine zweite Kontaktfläche gebildet wird, die die erste Kontaktfläche zumindest teilweise überlappt, so dass durch den Bereich des Verformungselements, der zwischen den sich überlappenden Bereichen der beiden Kontaktflächen ausgebildet ist, ein Verformungsbereich gebildet wird, wobei zumindest ein Teil des Verformungsbereichs derart erwärmt und verformt wird, dass das Funktionselement ausgelenkt wird, insbesondere sich verschiebt und/oder neigt, und das Funktionselement mit dem Verformungselement beim Verfahrensschritt des Aufbringens des Funktionselements auf dem Verformungselement und/oder beim Verfahrensschritt des Erwärmen und Verformens des Verformungsbereichs verbunden wird.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造光学元件，由所述变形元件具有Tr的AUML亨特第一Kontaktfl＆AUML接触带来;枝和由变形元件上的功能元件的应用，第二Kontaktfl＆AUML;枝形成，所述第一Kontaktfl＆AUML;枝至少部分地导航用途重叠，使得通过变形元件，其中两个接触BEAR的导航用途berlappenden区域之间形成陈的区域中，一个变形区域形成，其中，至少所述变形区域的一部分这样ERW＆AUML; RMT和变形，即功能元件被偏转，特别是移位和/或倾斜，以及在变形元件和/或成人＆AUML的过程步骤上施加所述功能元件的工序用变形元件的功能元件;有效值和所述变形部分变形我们连接 d。

2. 发明申请

WO2011015650A3 METHOD OF PRODUCING MICRONEEDLES 审中-公开
标题翻译：生产麦克风的方法
公开(公告)号：WO2011015650A3
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2010061477
申请日：2010-08-06
申请人： O'MAHONY CONOR , O'BRIEN JOSEPH , BLAKE ALAN , WEBSTER CARLO , UNIV COLLEGE CORK NAT UNIV IE
发明人： O'MAHONY CONOR , O'BRIEN JOSEPH , BLAKE ALAN , WEBSTER CARLO
IPC分类号： A61M37/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00111 , A61M37/0015 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81B2203/0384 , B81C2201/0133
摘要： A method of forming a microneedle device comprises the steps of coating the front and back surfaces of a substrate with a protective masking material, patterning the protective masking material to form a protective mask on the front surface of the substrate and an opening in the protective masking material on the back surface of the substrate, and simultaneously wet-etching both front and back surfaces of the substrate to provide a generally conical microneedle on the front surface of the substrate and a generally conical pit on the back surface of the substrate. The dimensions and location of the protective mask and opening are chosen so that the pyramidal pit extends from the back surface to intersect the front surface of the substrate, generally on, or adjacent to, a surface of the conical microneedle. Thus, a through-hole is formed in the substrate providing fluid communication from a rear of the substrate to a location on the front surface of the substrate, either on the microneedle surface or adjacent to a base of the microneedle.
摘要翻译：形成微针装置的方法包括以下步骤：用保护性掩蔽材料涂覆基材的前表面和后表面，图案化保护性掩模材料以在基材的前表面上形成保护掩模，并在保护掩模中形成开口材料，同时湿式蚀刻基板的前表面和后表面，以在基板的前表面上提供大致圆锥形的微针，并且在基板的背面上具有大致圆锥形的凹坑。选择保护面罩和开口的尺寸和位置，使得金字塔形凹坑从背面延伸以与基底的前表面相交，通常在锥形微针的表面上或邻近圆锥形微针的表面。因此，在基板中形成通孔，该基板提供从基板的后部到基板的前表面上的位置（在微针表面上或邻近微针的基部）的流体连通。

3. 发明申请

WO2009059868A3 METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION 审中-公开
标题翻译：用于生产微机械结构救济侧壁或性能角度可调
公开(公告)号：WO2009059868A3
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/EP2008063703
申请日：2008-10-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , LAERMER FRANZ , FUCHS TINO , LEINENBACH CHRISTINA
发明人： LAERMER FRANZ , FUCHS TINO , LEINENBACH CHRISTINA
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
摘要： The invention relates to a method for producing micromechanical structures having a raised lateral wall progression or an adjustable angle of inclination. The micromechanical structures are etched out of an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) provided on, or deposited on, a silicon semiconductor layer (1, 10), by dry-chemical etching of the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50). The lateral wall progression of the micromechanical structure is formed by varying the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) to be etched. There is a higher germanium part in regions that are to etched more aggressively. The variation of the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is adjusted by a method selected from a group wherein an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) having a varying germanium content is deposited, wherein germanium is introduced into a silicon semiconductor layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), wherein silicon is introduced into a germanium layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), and/or wherein a SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is subjected to thermal oxidation.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于生产具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）现有或沉积SiGe混合半导体层上的微机械结构（3A，3B，30，30A，30B ，50）由SiGe混合半导体层的干式化学蚀刻（3A，3B，30，30A，30B，50）出蚀刻通过改变（将被蚀刻SiGe混合半导体层3a，3b中的锗含量，得到的微机械结构的侧壁轮廓， 30，30A，30B，50）形成，在多个区域被蚀刻，较高的锗比例存在，其中一个选择，则SiGe混合半导体层中的锗比例（3A，3B，30，30A，30B，50）的通过的过程中的变化该组包括SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的沉积具有不同锗含量，引入的锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）和/或由SiGe混合半导体层的热氧化（3A，3B，30，30A，30B，50）设置。

4. 发明申请

WO2015191664A1 MICRO-MACHINED OPTICAL MIRROR SWITCH 审中-公开
标题翻译：微型光学反射镜开关
公开(公告)号：WO2015191664A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/US2015/035013
申请日：2015-06-10
申请人： AGILTRON, INC.
发明人： WU, Shuyun (Steve) , ZHAO, Jing
IPC分类号： G02B26/08
CPC分类号： G02B26/0833 , B81B3/0051 , B81B3/0086 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/0384 , B81B2203/058 , B81C1/00523 , G02B26/0841
摘要： A micro-machined switchable optical mirror device with a fast response speed. The mirror device includes a substrate defining a gap space, and a mirror assembly disposed on the substrate and deflectable in the gap space, the mirror assembly including a free end cantilever and a reflector on the cantilever, wherein the cantilever is anchored on the substrate adjacent a side of the gap space through an elastic member. In one aspect, the mirror device further includes a stop spring at an end of the cantilever opposing the elastic member.
摘要翻译：具有快速响应速度的微加工可切换光学镜装置。反射镜装置包括限定间隙空间的基板和设置在基板上并可在间隙空间中偏转的反射镜组件，反射镜组件包括自由端悬臂和悬臂上的反射器，其中悬臂锚定在相邻的基板上通过弹性构件的间隙空间的一侧。在一个方面，镜装置还包括在悬臂的与弹性构件相对的端部处的止动弹簧。

5. 发明申请

WO2012014709A1 レーザ加工方法审中-公开
标题翻译：激光加工方法
公开(公告)号：WO2012014709A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/JP2011/066319
申请日：2011-07-19
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 下井英樹 , 久嶋浩之 , 荒木佳祐
发明人：下井　英樹 , 久嶋　浩之 , 荒木　佳祐
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/40 , H01L21/306
CPC分类号： H01L23/481 , B23K26/006 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B81B2203/0353 , B81B2203/0384 , B81C1/00087 , B81C2201/0143 , H01L21/30608 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：シリコンで形成された板状の加工対象物（１）に孔（２４）を形成するためのレーザ加工方法であって、加工対象物（１）のレーザ光入射面側において該レーザ光入射面（３）に開口する凹部（１０）を孔（２４）に対応する部分に形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後、加工対象物（１）にレーザ光（Ｌ）を集光させることにより、加工対象物（１）における孔（２４）に対応する部分に沿って改質領域（７）を形成する改質領域形成工程と、改質領域形成工程の後、加工対象物（１）に異方性エッチング処理を施すことにより、改質領域（７）に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物（１）に孔（２４）を形成するエッチング処理工程と、を備え、改質領域形成工程では、改質領域（７）又は該改質領域（７）から延びる亀裂（Ｃ）を凹部の内面に露出させることを特徴とするレーザ加工方法。
摘要翻译：公开了一种用于在由硅形成的平坦目标物体（1）中形成孔（24）的激光加工方法。所述方法包括：凹陷形成步骤，其中在所述激光入射表面的一部分中形成有朝向所述目标物体（1）的激光入射表面（3）开口的凹部（10），所述凹部对应于上述孔（24）; 变形区域形成步骤，在所述凹陷形成步骤之后，其中激光（L）被聚焦到所述目标物体（1）上以沿着对象物体（1）的一部分形成修改区域（7）到所述孔（24）; 以及蚀刻处理步骤，在所述目标物体（1）被各向异性蚀刻后的所述改质区域形成工序之后，使所述蚀刻沿着所述改质区域（7）选择性地进行，以在所述靶材中形成孔（24）对象（1）。所公开的激光加工方法的特征在于，在改质区域形成步骤中，从改质区域（7）延伸的改质区域（7）或裂纹（C）暴露于凹部的内表面。

6. 发明申请

WO2004093162A2 SILICON SUBSTRATE COMPRISING POSITIVE ETCHING PROFILES WITH A DEFINED SLOPE ANGLE, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：与用于生产DEFINED的倾斜角度和方法正刻蚀轮廓硅衬底上
公开(公告)号：WO2004093162A2
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/DE2004000804
申请日：2004-04-15
申请人： UNIV DRESDEN TECH , RICHTER KAROLA , FISCHER DANIEL
发明人： RICHTER KAROLA , FISCHER DANIEL
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/30655 , B81B2203/033 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C1/00571 , H01L21/3065
摘要： The invention relates to a silicon substrate comprising positive etching profiles with a defined slope angle. Said silicon substrate is obtained by etching the silicon substrate that is covered with a mask and by carrying out the following steps: a) the silicon substrate is isotropically etched, the undercut u of the mask being approximately identical to the etching depth At; b) the etching depth is increased by means of anisotropic etching in alternating etching steps and polymerization steps during which the undercut of the mask remains constant and the etching front follows a new course, the sidewalls of the structure being coated with a polymer in said step; c) the polymer is removed from the structure; and d) steps a) to c) are repeated until the predefined etching profile has been obtained. Also disclosed is a method.
摘要翻译：本发明涉及与具有定义的休止角正蚀刻轮廓，通过蚀刻覆盖有掩模的硅衬底获得的，和步骤在硅衬底：a）将硅衬底的各向同性蚀刻，其中所述Maskenunterätzung大约u是等于蚀刻深度在; b）增加通过各向异性具有交替的连续Ätzund聚合步骤，其中，所述Maskenunterätzung保持恒定，并且在蚀刻前获得新的过程中，并用该步骤中，结构的侧壁覆盖有聚合物蚀刻的蚀刻深度; c）去除从所述结构的聚合物; 以及d）重复，直到达到预定的蚀刻轮廓的步骤a）至c）。一种方法进行说明。

7. 发明申请

WO2017012746A1 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE MIKROMECHANISCHE FENSTERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：工艺微机械窗结构及相关的微观力学窗结构
公开(公告)号：WO2017012746A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/EP2016/061706
申请日：2016-05-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： STRAUB, Rainer , PINTER, Stefan , MUCHOW, Joerg
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B7/0058 , B81B2201/042 , B81B2203/0384 , B81C1/00317 , B81C2201/0133 , B81C2201/0143 , B81C2201/0154 , B81C2203/0136 , G02B1/14 , G02B26/0833
摘要： Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische Fensterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Substrats (1), wobei das Substrat (1) eine Vorderseite (4) und eine Rückseite (5) aufweist; Bilden einer ersten Ausnehmung (6) an der Vorderseite (4); Ausbilden einer Beschichtung (8; 8', 8") auf der Vorderseite (4) und auf der ersten Ausnehmung (6); und Bilden einer zweiten Ausnehmung (7) an der Rückseite (5), so dass die Beschichtung (8) zumindest bereichsweise freigelegt wird, wodurch ein Fenster (F) durch den freigelegten Bereich der Beschichtungen gebildet wird.
摘要翻译：本发明涉及的制造方法用于微机械窗结构，包括以下步骤：提供衬底（1），其中所述衬底（1）具有前侧（4）和一个背部（5）; 在前侧上形成的第一凹部（6）（4）; 形成涂层;在所述前面（8“，8“）（4）和在所述第一凹部（6），以及形成第二凹部（7）在背部（5），从而使所述涂层（8）的至少由此，由涂层的暴露区域上形成一个窗口（F）的一部分露出。

8. 发明申请

WO2010016359A1 マイクロチップ及びマイクロチップの製造方法审中-公开
标题翻译： MICROCHIP和微生物生产工艺
公开(公告)号：WO2010016359A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/JP2009/062668
申请日：2009-07-13
申请人：コニカミノルタオプト株式会社 , 関原幹司 , 五島毅彦
发明人：関原　幹司 , 五島　毅彦
IPC分类号： G01N35/08 , B01J19/00 , B29C65/02 , G01N37/00
CPC分类号： B81C99/009 , B01J2219/00891 , B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L2200/027 , B01L2200/141 , B01L2300/0816 , B29C45/2628 , B29C45/40 , B29C65/02 , B29C66/54 , B29L2031/756 , B81B2201/051 , B81B2203/0338 , B81B2203/0384 , B81C2201/034
摘要：　基板の一方の面に複数の微細流路が形成され、基板の他方の面から突設して設けられた１又は複数の筒状部と、筒状部の中心軸に沿って、筒状部の先端部から微細流路に向けて孔の内壁の径を第１傾斜角度で徐々に小さくするように貫通し、微細流路に連通する貫通孔と、を有する樹脂製基板と、樹脂製基板の微細流路が形成されている一方の面に接合された樹脂製のカバー部材と、を有し、筒状部の先端部から貫通孔を通じて液体試料を導入可能に構成したマイクロチップであって、液体試料が導入される筒状部の先端側の肉厚は、筒状部が形成される基板面側の筒状部の肉厚より、段差を介して薄く形成されている。
摘要翻译：一种微芯片，包括：具有形成在其一侧上的多个细通道的树脂基底，设置成从另一侧突出的一个或多个圆柱形部分，以及沿着其轴线刺穿每个圆柱形部分的通孔，与细通道连通，使得通孔的内壁的直径从圆筒部的端部朝向第一倾斜角的细通道逐渐减小; 以及与形成有微细通道的树脂基底的该侧接合的树脂覆盖部件。微芯片已经被配置成使得液体样品可以从每个圆柱形部分的端部通过通孔引入。通过在它们之间形成一个台阶，使得待引入液体样品的端侧的圆筒部分的壁厚比通过形成圆柱形部分的基底侧的壁厚小。

9. 发明申请

WO2009059868A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL 审中-公开
标题翻译：用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
公开(公告)号：WO2009059868A2
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2008/063703
申请日：2008-10-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层（3A ，3B，30，30A，30B，50）通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）出来BEAR TZT通过改变锗比例，得到微机械结构的侧壁轮廓的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的形式，其中，ST＆AUML; rker承受tzenden一个H＆ouml的领域;本herer锗含量，这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），通过这样的方法＆AUML选择;由包含SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量，引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B， 50）和/或通过热氧化SiGe混合半导体层（3a，3b，30,30a，30b，50）

10. 发明申请

WO2007045885A3 MICROFABRICATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2007045885A3
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/GB2006003898
申请日：2006-10-20
申请人： BAE SYSTEMS PLC , HUCKER MARTYN JOHN , WARSOP CLYDE
发明人： HUCKER MARTYN JOHN , WARSOP CLYDE
IPC分类号： B81C99/00 , B81B1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2201/038 , B81B2203/033 , B81B2203/0376 , B81B2203/0384 , B81C2201/034
摘要： A method of forming a surface of micrometer dimensions conforming to a desired contour for a MEMS device, the method comprising providing a crystalline silicon substrate with a recess in an upper surface, providing a thinner layer of crystalline silicon over the upper surface of the substrate, fusion bonding the layer to the substrate under vacuum conditions, and applying heat to the layer and applying atmospheric pressure on the layer, such as to plastically deform the diaphragm within the recess to the desired contour. The substrate may form the fixed electrode of an electrostatic MEMS actuator, operating on the zip principle.
摘要翻译：一种形成符合MEMS器件的期望轮廓的微米尺寸的表面的方法，所述方法包括提供在上表面具有凹陷的晶体硅衬底，在衬底的上表面上提供更薄的晶体硅层，在真空条件下将层熔合到衬底上，并且将热量施加到层上并在层上施加大气压力，例如使凹部内的隔膜塑性变形为期望的轮廓。基板可以形成静电MEMS致动器的固定电极，其以拉链原理运行。

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