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1. 发明申请

WO2014205907A1 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其形成方法
公开(公告)号：WO2014205907A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/CN2013/081888
申请日：2013-08-20
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY
发明人： WANG, Jing , LIANG, Renrong , XU, Jun
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/165 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66628 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78654 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要： A field effect transistor and a method for forming the same are provided. The field effect transistor comprises: a substrate (100); an ultra-thin insulator layer (200) formed on the substrate (100), wherein a material of the ultra-thin insulator layer (200) is a monocrystalline rare earth oxide or a monocrystalline beryllium oxide; an ultra-thin semiconductor monocrystalline film (300) formed on the ultra-thin insulator layer (200); and a gate stack (400) formed on the ultra-thin semiconductor monocrystalline film (300), and comprising a gate dielectric (410) and a gate electrode (420) formed on the gate dielectric (410).
摘要翻译：提供场效应晶体管及其形成方法。场效应晶体管包括：衬底（100）; 形成在所述基板（100）上的超薄绝缘体层（200），其中所述超薄绝缘体层（200）的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍; 形成在超薄绝缘体层（200）上的超薄半导体单晶膜（300）; 以及形成在所述超薄半导体单晶膜（300）上的栅堆叠（400），并且包括形成在所述栅极电介质（410）上的栅极电介质（410）和栅电极（420）。

2. 发明申请

WO2012116529A1 TUNNELING DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：隧道装置及其形成方法
公开(公告)号：WO2012116529A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/CN2011/076342
申请日：2011-06-24
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY , CUI, Ning , LIANG, Renrong , WANG, Jing , XU, Jun
发明人： CUI, Ning , LIANG, Renrong , WANG, Jing , XU, Jun
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7391 , H01L21/26586
摘要： The present disclosure provides a tunneling device, which comprises: a substrate (1100); a channel region (1300) formed in the substrate, and a source region (1500) and a drain region (1400) formed on two sides of the channel region (1300); and a gate stack (1600) formed on the channel region (1300) and a first side wall (1910) and a second side wall (1920) formed on two sides of the gate stack (1600), wherein the gate stack (1600) comprises: a first gate dielectric layer (1631); at least a first gate electrode (1610) and a second gate electrode (1620) formed on the first gate dielectric layer (1631); a second gate dielectric layer (1632) formed between the first gate electrode (1610) and the first side wall (1910); and a third gate dielectric layer (1633) formed between the second gate electrode (1620) and the second side wall (1920).
摘要翻译：本公开提供一种隧道装置，其包括：基板（1100）; 形成在所述基板中的沟道区域（1300），以及形成在所述沟道区域（1300）的两侧的源极区域（1500）和漏极区域（1400）。以及形成在所述沟道区域（1300）上的栅极堆叠（1600）和形成在所述栅极堆叠（1600）的两侧上的第一侧壁（1910）和第二侧壁（1920），其中所述栅极堆叠（1600）包括：第一栅介质层（1631）; 形成在所述第一栅极介电层（1631）上的至少第一栅电极（1610）和第二栅电极（1620）。形成在第一栅电极（1610）和第一侧壁（1910）之间的第二栅介质层（1632）; 和形成在第二栅电极（1620）和第二侧壁（1920）之间的第三栅介质层（1633）。

3. 发明申请

WO2014161231A1 METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR GATE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR GATE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：形成半导体结构和半导体结构的方法
公开(公告)号：WO2014161231A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/CN2013/077256
申请日：2013-06-14
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY
发明人： ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , WANG, Jing , XU, Jun
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/165 , H01L21/28255 , H01L29/161 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： A method for forming a semiconductor gate structure and a semiconductor gate structure are provided. The method comprises: providing a substrate with a Ge layer as a surface thereof; forming a Sn layer on the Ge layer, in which an interface between the Ge layer and the Sn layer is a GeSn layer; removing the Sn layer to expose the GeSn layer; forming a GeSnO x passivation layer by performing an oxidation treatment for the GeSn layer, or forming a GeSnN or GeSnON passivation layer by performing a passivation treatment for the GeSn layer; and forming a gate stack on the GeSnO x , GeSnN or GeSnON passivation layer.
摘要翻译：提供一种形成半导体栅极结构和半导体栅极结构的方法。该方法包括：提供具有Ge层作为其表面的衬底; 在Ge层上形成Sn层，其中Ge层和Sn层之间的界面是GeSn层; 去除Sn层以暴露GeSn层; 通过对GeSn层进行氧化处理，或者通过对GeSn层进行钝化处理形成GeSnN或GeSnON钝化层来形成GeSnOx钝化层; 并在GeSnOx，GeSnN或GeSnON钝化层上形成栅叠层。

4. 发明申请

WO2012155392A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012155392A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/CN2011/077934
申请日：2011-08-02
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY , ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , WANG, Jing , XU, Jun
发明人： ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , WANG, Jing , XU, Jun
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/265 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/7833
摘要： A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure comprises: a substrate (1); a gate dielectric layer (20) formed on the substrate; a metal gate electrode layer (30) formed on the gate dielectric layer (20); and at least one metal-containing adjusting layer (43) for adjusting a work function of the semiconductor structure, in which an interfacial layer (10) is formed between the substrate (1) and the gate dielectric layer (20), and an energy of bond between a metal atom in the metal-containing adjusting layer (43) and an oxygen atom is larger than that between an atom of materials forming the gate dielectric layer (20) or the interfacial layer (10) and an oxygen atom. Further, a method for forming the semiconductor structure is also provided.
摘要翻译：提供半导体结构。半导体结构包括：衬底（1）; 形成在所述基板上的栅介质层（20）; 形成在栅介质层（20）上的金属栅电极层（30）; 以及至少一个用于调节半导体结构的功函数的含金属的调节层（43），其中在基板（1）和栅介质层（20）之间形成界面层（10），并且能量含金属的调整层（43）中的金属原子与氧原子之间的键合大于形成栅极介电层（20）或界面层（10）的材料的原子与氧原子之间的键合。此外，还提供了一种用于形成半导体结构的方法。

5. 发明申请

WO2012119418A1 STRAINED GE-ON-INSULATOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：应变导电绝缘体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012119418A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/CN2011/078946
申请日：2011-08-25
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY , WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
发明人： WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76283 , H01L21/76251 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7848 , H01L29/78684
摘要： A strained Ge-on-insulator structure is provided, comprising: a silicon substrate (1100), in which an oxide insulating layer (1200) is formed on a surface of the silicon substrate (1100); a Ge layer (1300) formed on the oxide insulating layer (1200), in which a first passivation layer (1400) is formed between the Ge layer (1300) and the oxide insulating layer (1200); a gate stack (1600, 1700) formed on the Ge layer (1300), a channel region formed below the gate stack (1600, 1700), and a source (1800) and a drain (1800) formed on sides of the channel region; and a plurality of shallow trench isolation structures (1900) extending into the silicon substrate (1100) and filled with an insulating dielectric material to produce a strain in the channel region. Further, a method for forming the strained Ge-on-insulator structure is also provided.
摘要翻译：提供了一种应变绝缘体上的结构，包括：在硅衬底（1100）的表面上形成氧化物绝缘层（1200）的硅衬底（1100）; 形成在氧化物绝缘层（1200）上的Ge层（1300），其中在Ge层（1300）和氧化物绝缘层（1200）之间形成第一钝化层（1400）; 形成在Ge层（1300）上的栅极堆叠（1600,1700），形成在栅极叠层（1600,1700）下方的沟道区域，以及形成在沟道区域侧面上的源极（1800）和漏极（1800） ; 以及多个浅沟槽隔离结构（1900），其延伸到硅衬底（1100）中并且填充有绝缘介电材料以在沟道区域中产生应变。此外，还提供了用于形成应变的绝缘体上Ge的结构的方法。

6. 发明申请

WO2012119417A1 STRAINED GE-ON-INSULATOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：应变导电绝缘体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012119417A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/CN2011/078944
申请日：2011-08-25
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY , WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
发明人： WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76283 , H01L21/76251 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7848 , H01L29/78684
摘要： A strained Ge-on-insulator structure is provided, comprising: a silicon substrate (1100), in which an oxide insulating layer (1200) is formed on a surface of the silicon substrate (1100); a Ge layer (1300) formed on the oxide insulating layer (1200), in which a first passivation layer (1400) is formed between the Ge layer (1300) and the oxide insulating layer (1200); a gate stack (1600, 1700) formed on the Ge layer (1300), a channel region formed below the gate stack (1600, 1700), and a source (1800) and a drain (1800) formed on sides of the channel region; and a Si N stress cap layer (1900) covering the gate stack (1600, 1700) to produce a strain in the channel region. Further, a method for forming the strained Ge-on-insulator structure is also provided.
摘要翻译：提供了一种应变绝缘体上的结构，包括：在硅衬底（1100）的表面上形成氧化物绝缘层（1200）的硅衬底（1100）; 形成在氧化物绝缘层（1200）上的Ge层（1300），其中在Ge层（1300）和氧化物绝缘层（1200）之间形成第一钝化层（1400）; 形成在Ge层（1300）上的栅极堆叠（1600,1700），形成在栅极叠层（1600,1700）下方的沟道区域，以及形成在沟道区域侧面上的源极（1800）和漏极（1800） ; 以及覆盖栅极堆叠（1600,1700）的Si N应力覆盖层（1900），以在沟道区域中产生应变。此外，还提供了用于形成应变的绝缘体上Ge的结构的方法。

7. 发明申请

WO2012129894A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体结构及其形成方法
公开(公告)号：WO2012129894A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/CN2011/079442
申请日：2011-09-07
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY , WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
发明人： WANG, Jing , XU, Jun , GUO, Lei
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/161
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02658 , H01L29/1054
摘要： A semiconductor structure is provided, comprising: a Si substrate (1100); a porous structure layer (1200) formed on the Si substrate (1100), in which the porous structure layer (1200) has a flat surface and comprises a Si 1-x Ge x layer with low Ge content; and a Ge-containing layer (1300) formed on the porous structure layer (1200), in which the Ge-containing layer (1300) comprises a Ge layer or a Si 1-y Ge y layer with high Ge content and x≤y. Further, a method for forming the semiconductor structure is also provided.
摘要翻译：提供一种半导体结构，包括：Si衬底（1100）; 形成在所述Si衬底（1100）上的多孔结构层（1200），其中所述多孔结构层（1200）具有平坦表面并且包括具有低Ge含量的Si 1-x Ge x层; 和形成在所述多孔结构层（1200）上的含Ge层，其中所述含Ge层包括Ge层或具有高Ge含量且x = y的Si1-yGey层。此外，还提供了一种用于形成半导体结构的方法。

8. 发明申请

WO2015127702A1 METHOD FOR FORMING GERMANIUM-BASED LAYER 审中-公开
标题翻译：形成基于锗的层的方法
公开(公告)号：WO2015127702A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/CN2014/073847
申请日：2014-03-21
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY
发明人： XIAO, Lei , WANG, Jing , ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , XU, Jun
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/161 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02612 , H01L21/2236 , H01L21/26506
摘要： A method for forming a germanium-based layer is provided. The method includes: providing a substrate having a Ge or GeSi surface layer; and implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing an element Sn into the Ge surface layer to form a Ge-based GeSn layer, or implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing an element Sn into the GeSi surface layer to form a Ge-based Ge Sn Si layer, or co-implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing elements Sn and Si into the Ge surface layer to form a Ge-based GeSnSi layer.
摘要翻译：提供了形成锗基层的方法。该方法包括：提供具有Ge或GeSi表面层的衬底; 并将含有元素Sn的原子，分子，离子或等离子体注入到Ge表面层中以形成Ge基GeSn层，或将含有元素Sn的原子，分子，离子或等离子体注入到GeSi表面层中以形成Ge- 或者将含有元素Sn和Si的原子，分子，离子或等离子体共注入到Ge表面层中以形成Ge基GeSnSi层。

9. 发明申请

WO2015127701A1 METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：形成Fin场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2015127701A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/CN2014/073838
申请日：2014-03-21
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY
发明人： WANG, Jing , XIAO, Lei , ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , XU, Jun
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： A method for forming a FinFET is provided, comprising: providing a substrate; forming a fin structure with a material Ge or GeSi on the substrate; forming a gate stack or a dummy gate on the substrate; defining a first region and a second region in the fin structure; and implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing an element Sn into the first region and the second region in the fin structure with the material Ge to form a strained Ge Sn layer, or implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing an element Sn into the first region and the second region in the fin structure with the material Ge Si to form a strained Ge Sn Si layer, or co-implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing elements Sn and Si into the first region and the second region in the fin structure with the material Ge Si to form a strained Ge Sn Si layer.
摘要翻译：提供一种形成FinFET的方法，包括：提供衬底; 在基板上形成具有Ge或GeSi的材料的翅片结构; 在基板上形成栅叠层或虚栅; 限定所述翅片结构中的第一区域和第二区域; 以及使用材料Ge将含有元素Sn的原子，分子，离子或等离子体注入第一区域和鳍结构中的第二区域以形成应变Ge Sn层，或者注入含有元素Sn的原子，分子，离子或等离子体在第一区域和鳍状结构中的第二区域与材料Ge Si形成应变Ge Sn Si层，或将含有元素Sn和Si的原子，分子，离子或等离子体共注入第一区域和第二区域在翅片结构中用材料Ge Si形成应变Ge Sn Si层。

10. 发明申请

WO2015127697A1 METHOD FOR FORMING FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：形成Fin场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2015127697A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/CN2014/073592
申请日：2014-03-18
申请人： TSINGHUA UNIVERSITY
发明人： WANG, Jing , XIAO, Lei , ZHAO, Mei , LIANG, Renrong , XU, Jun
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/165 , H01L21/2236 , H01L21/26506 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/7848
摘要： A method for forming a fin field effect transistor is provided. The method includes: providing a substrate; forming a fin structure with a material Ge or GeSi on the substrate; implanting atoms, molecules, ions or plasmas containing an element Sn into the fin structure with the material Ge or GeSi to form a Ge-based GeSn layer or a Ge-based GeSn Si layer; and forming a gate stack on the Ge-based GeSn layer or the Ge-based GeSn Si layer, the gate stack being oriented transversely to the fin structure.
摘要翻译：提供一种形成鳍式场效应晶体管的方法。该方法包括：提供衬底; 在基板上形成具有Ge或GeSi的材料的翅片结构; 用材料Ge或GeSi将含有元素Sn的原子，分子，离子或等离子体注入翅片结构中以形成Ge基GeSn层或Ge基GeSn Si层; 并且在Ge基GeSn层或Ge基GeSn Si层上形成栅极叠层，栅叠层横向于鳍结构。

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