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1. 发明申请

WO2011160968A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011160968A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/059738
申请日：2011-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , GALLMEIER, Hans-Christoph , GRÖTSCH, Stefan , JEREBIC, Simon
发明人： RAMCHEN, Johann , RACZ, David , GALLMEIER, Hans-Christoph , GRÖTSCH, Stefan , JEREBIC, Simon
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L31/0232 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01079 , H01L2924/05032 , H01L2924/05432 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Träger (2) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper (5), der auf einer Strahlungshauptseite (30) angebracht ist und der den Bonddraht (4) überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse (6) umgibt den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung und reicht mindestens bis zu der Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3). Der Bonddraht (4) ist vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述一个载体（2）和至少一个光电子半导体芯片（3），其被安装在载体顶部（20）。此外，半导体组件（1）包括至少一个接合线（4）通过将半导体芯片（3）的电接触，和至少一个覆盖体（5），其被安装在辐射主侧（30）和突出于接合线（4），周围在横向方向上的半导体芯片（3）和至少一个反射灌封化合物（6）至少延伸到所述半导体芯片（3）的主辐射侧（30）。接合线（4）完全从反射灌封化合物（6）或完全地（6）的反射的浇注与盖体一起覆盖（5）。

2. 发明申请

WO2012004202A1 BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译： COMPONENT和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2012004202A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061133
申请日：2011-07-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
发明人： RAMCHEN, Johann , SORG, Jörg Erich , JEREBIC, Simon , BRAUNE, Bert
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) angegeben, der mit einer Verbindungsschicht (3) auf einem Anschlussträger (4) befestigt ist und in eine Umhüllung (5) eingebettet ist, wobei zwischen der Verbindungsschicht (3) und der Umhüllung (5) zumindest bereichsweise eine Entkopplungsschicht (6) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.
摘要翻译：公开了一种设备（1）的光电子半导体芯片（2），其上固定有连接载体（4）上的接合层（3）和嵌入在护套（5），所述粘结层（3）和所述间包装（5）的区域，一个去耦层（6）被布置在至少。此外，被指定用于制造器件的方法。

3. 发明申请

WO2012007245A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012007245A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/060043
申请日：2011-06-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHNEIDER, Markus , RACZ, David , RAMCHEN, Johann
发明人： SCHNEIDER, Markus , RACZ, David , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2924/1715 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20). An der Trägeroberseite (20) ist zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Der Halbleiterchip (3) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (32) mit mindestens einer aktiven Schicht zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie ein strahlungsdurchlässiges Substrat (34). Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein reflektierendes Vergussmaterial (4), das, von der Trägeroberseite (20) ausgehend, den Halbleiterchip (3) in einer lateralen Richtung mindestens bis zu einer halben Höhe des Substrats (34) ringsum umgibt.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1）包括所述与载体顶部（20）一种载体（2）。在载体顶部（20）至少一个光电子半导体芯片（3）安装。半导体芯片（3）包括至少具有用于产生电磁辐射和辐射透明基板（34）的有源层的半导体层序列（32）。此外，半导体器件（1）包括从在横向方向上的半导体芯片（3）载体上侧（20）至少到所述衬底（34）周围包围的一半的高度的反射性封装材料（4）。

4. 发明申请

WO2012041925A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012041925A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066917
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Licht emittierenden Chip und ein dem Licht emittierenden Chip seitlich umgebendes Gehäuse angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein flüssiges Gehäusematerial auf einem Substrat aufgebracht wird.
摘要翻译：是侧指示壳体周围具有发光芯片和所述发光芯片的光电子器件。此外，提供了一种用于制造其中液体壳材料被施加到基底上的光电装置的方法。

5. 发明申请

WO2012022782A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012022782A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/064224
申请日：2011-08-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZITZLSPERGER, Michael , RAMCHEN, Johann
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： F21K9/00 , F21V29/85 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00 , H01L2224/48227
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit einem Träger (1) der eine Oberseite (12) und eine der Oberseite (12) gegenüberliegende Unterseite (11) aufweist, wobei der Träger (1) mit einem elektrisch leitenden Montagebereich (1A), einem elektrisch leitenden Anschlussbereich (1C) sowie einem elektrisch isolierenden Oxidationsbereich (1B) gebildet ist; zumindest einem an der Oberseite des Trägers (1) im Bereich des Montagebereichs (1A) angeordnetes optoelektronisches Bauteil (2), wobei der Oxidationsbereich (1B) den Montagebereich (1A) von dem Anschlussbereich (1C) elektrisch isoliert, der Oxidationsbereich (1B) sich unterbrechungsfrei von der Oberseite (12) des Trägers (1) hin zur Unterseite (11) des Trägers (1) erstreckt, der Montagebereich (1A) und der Anschlussbereich (1B) mit Aluminium (10) gebildet sind, der Oxidationsbereich (1B) mit einem Oxid (15) des Aluminiums (10) gebildet ist, und der Montagebereich (1A), der Oxidationsbereich (1B) und der Anschlussbereich (1C) zusammenhängend ausgebildet sind und eine Einheit bilden.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件具有顶部的载体（1）（12）和顶部中的一个（12），具有相反的底表面（11），其中，所述载体（1）用导电安装部分（1A），电导电连接区域（1C）和一个电绝缘的氧化区域（1B）形成; 至少一种在载体的顶部（1）在安装部（1A）的区域中布置光电元件（2），其中所述安装部分（1A）的氧化区域（1B）的电连接区域（1C），氧化区域（1B）绝缘是在不脱离所述载体（1）的朝向所述载体（1），安装部（1A）和所述连接区域（1B）的底部（11）的顶部（12）中断与铝（10）所形成的氧化区域（1B）与，铝的氧化物（15）（10）形成，并且氧化区的安装部（1A）（1B）与所述端子部（1C）整体形成，并形成一个单元。

6. 发明申请

WO2012022695A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012022695A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063987
申请日：2011-08-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
发明人： WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L21/768 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L21/76804 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/0095 , H01L33/48 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0066 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schrittenangegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Oberseite (12), eine der Oberseite (12) des Trägers (1) gegenüberliegende Unterseite (11), sowie eine Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) nebeneinander an der Oberseite (12) angeordneten Anschlussflächen (13) aufweist; (b) Aufbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (2), die jeweils zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Kontaktfläche (22) aufweisen; c) Aufbringen von Schutzelementen (41, 42) auf die Kontaktflächen (22) und die Anschlussflächen (13); d) Aufbringen zumindest einer elektrisch isolierenden Schicht (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1), der Kontaktflächen (22) sowie der Schutzelemente (4); e) Entfernen der Schutzelemente (41, 42), wodurch Öffnungen (51, 52) in der elektrisch isolierenden Schicht (3) erzeugt werden; f) Anordnen von elektrisch leitfähigen Material (8) auf der elektrisch isolierenden Schicht (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei das elektrisch leitfähige Material (8) jeweils eine Kontaktfläche (22) mit der ihr zugeordneten Anschlussfläche (13) elektrisch leitend verbindet.
摘要翻译：它是用于产生至少包括以下步骤的光电子半导体器件的方法表示：a）提供载体（1），其具有顶部（12），所述底部（11相对所述支撑件（1）的顶部（12）中的一个），和一个多个在横向方向（L）彼此相邻的顶部（12），其设置焊盘（13）; （B）将多个光电元件（2）（1）背离所述接触表面（22）远离每一个具有至少一个所述支撑; c）中的保护元件（41应用，42）（与接触表面22）和所述衬垫（13）; d）施加至少一个电绝缘层（3）（在支撑体1）的暴露的位点，（所述接触表面（22）和所述保护元件4）; E）除去保护元件（41，42），由此，开口（51，52）的电绝缘层中产生的（3）; F）（3），并且在所述开口至少局部地在电绝缘层上放置导电材料（8）（5），其中，所述导电材料（8）的每一个具有接触表面（22）与它的相关联的垫（13）导电连接。

7. 发明申请

WO2012034826A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012034826A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064377
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L23/055
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/055 , H01L24/18 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt. Weiterhin wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括一个支撑件（3），具有第一（1）和第二端子部（2），并用发射辐射的半导体芯片（4）具有一底座（5）和辐射出射面相对的基体的一个（6），其中所述半导体芯片（4）上的支承件（3）的底表面（5）布置。另外，包括在半导体芯片的一个壳体（10）具有下部外壳部分（8），所述侧翼（14）中的光电部件（4）相邻，和（9）具有用于一个反射器（15）（从半导体芯片的上壳体部 4发射）辐射（16）的形式，上。辐射出射表面的电连接层（7）（6）经由底部（8）和上部壳体部件之间的界面（19）的一部分的半导体芯片（4）的（9），并通过下部壳体部件（8）通过对在载体上的第一连接区域外（1）（3）。此外，被指定用于制造光电子器件的有利方法。

8. 发明申请

WO2012010377A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2012010377A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/060336
申请日：2011-06-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/38 , H01L33/52 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2224/24
摘要： Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是提供一种具有支撑构件（1）的光电元件，设置在支承元件上的一（1）的半导体芯片（2）和密封化合物（3）。半导体芯片（2）具有适于产生或电磁辐射活性层的检测的形式。包围所述半导体芯片密封化合物（3）（2）至少部分地并形成组件的最终主表面（31）。在密封化合物（3）具有其中一个导电接触结构（5）被布置成使得这些是主要的表面（31）不会突出（4）形成有凹部。此外，被指定制造这种器件的方法。

9. 发明申请

WO2010112298A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2010112298A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/052850
申请日：2010-03-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
发明人： RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0203 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L27/14618 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2224/37599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), einem Kontaktrahmen (3), einem Kontaktträger (4), einem ersten elektrischen Anschlussbereich (5) und einem von dem ersten elektrischen Anschlussbereich (5) elektrisch isolierten zweiten elektrischen Anschlussbereich (6) angegeben, die jeweils einen Teil des Kontaktrahmens (3) und einen Teil des Kontaktträgers (4) umfassen, wobei der Kontaktrahmen (3) mit einer Vertiefung (7) versehen ist, welche den ersten elektrischen Anschlussbereich (5) zumindest bereichsweise von dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (6) trennt und in welche der optoelektronische Halbleiterchip (2) hineinragt, und wobei der Kontaktrahmen (3) mit einem Kontaktelement (30) ausgebildet ist, das den Kontaktrahmen (3) mit dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) elektrisch verbindet.
摘要翻译：它是一种光电子器件（1）的光电子半导体芯片（2），接触框架（3），接触载体（4），第一电连接区域（5）和所述第一电连接区域中的一个（5）是电隔离的第二电连接区域（6）被指定，其中的每一个包括所述接触机架（3）的一部分和所述接触载体（4）的一部分，其中，所述接触框架有凹部（7）提供一种（3）所述第一电连接区域（5）至少在区域第二电连接区域（6）分离，并在突出的光电子半导体芯片（2），并且其中所述接触框架（3）与形成在接触框架连接（3）的光电子半导体芯片的接触元件（30），（2），其电，

10. 发明申请

WO2012055661A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM HALBLEITERCHIP, EINEM TRÄGERSUBSTRAT UND EINER FOLIE UND EIN VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有半导体芯片，载体基板和膜及其制造方法光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012055661A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/066767
申请日：2011-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein Halbleiterbauelement (100) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), einem Trägersubstrat (2) und einer Folie (3) vorgesehen. Das Trägersubstrat (2) weist auf einer Oberseite (20) elektrisch leitfähige Kontaktbahnen (21a, 21b) auf. Die Folie (3) ist auf einer vom Trägersubstrat (2) abgewandten Strahlungsaustrittsseite (10) des Chips (1) und auf der Oberseite (20) des Trägersubstrats (2) angeordnet und weist elektrisch leitfähige erste Leiterbahnen (31a) auf. Zudem weist die Folie (3) Durchbrüche (32a, 32b) auf, die derart angeordnet sind, dass der Halbleiterchip (1) über die erste Leiterbahn (31a) der Folie (3) mit der ersten Kontaktbahn (21a) des Trägersubstrats (2) elektrisch kontaktierbar ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有发射辐射的半导体芯片的半导体器件（100）（1）中，载体基板（2）和一个膜（3）。所述载体基片（2）具有导电接触轨道（21A，21B）上的顶侧（20）。从芯片（1）的载体基板（2）辐射出射侧（10）和在载体基材的顶部（20）的面向从远离所述箔（3）（2）和电包括在导电的第一导体轨迹（31A）。另外，膜（3）具有开口（32A，32B），其被布置成使得通过所述箔（3）的与所述载体基片的第一接触轨道（21A）在所述第一导体轨道（31A）在半导体芯片（1）（2）可以电接触。此外，被指定制造这种器件的方法。

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