专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

2. 发明申请

WO2010072191A1 OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子投影设备
公开(公告)号：WO2010072191A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009/001694
申请日：2009-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.
摘要翻译：它是光电突出部被设置装置，该装置产生在操作的预定的图像（10）。投影装置包括半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（101）和具有辐射出射侧（102）的装置构成。半导体本体（1）是所述投影装置的成像元件。用于半导体本体（1），第一接触层的电接触（2）和第二接触层（3）在半导体本体的辐射出射侧（102）相对的后侧（103）的一（1），并通过分离层（4）从每个电隔离，

3. 发明申请

WO2010060404A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2010060404A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/DE2009/001524
申请日：2009-10-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

4. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

5. 发明申请

WO2011038708A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM ANPASSEN EINER KONTAKTSTRUKTUR ZUR ELEKTRISCHEN KONTAKTIERUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和调整方法的接触结构用于电接触光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011038708A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/DE2010/001077
申请日：2010-09-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin , SABATHIL, Matthias , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/153 , G01R31/318516 , H01H85/0417 , H01H85/32 , H01L23/5256 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02H3/046 , H03K17/74 , H03K19/17728 , H05B33/083 , H05B33/0893 , Y10T29/49204
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterchip umfasst einen ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) mit einem ersten Terminal (211) und einem zweiten Terminal (212), sowie eine Kontaktstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, welche elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) verbunden ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine auftrennbare Leiterstruktur (41, 71, 42) auf, wobei - bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur ein Betriebsstromspfad über das erste Terminal des ersten Halbleiterfunktionsbereichs und das zweite Terminal festgelegt ist, der bei aufgetrennter Leiterstruktur unterbrochen ist, oder - bei aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal (211) des ersten Halbleiterfunktionsbereichs (21) und das zweite Terminal (212) festgelegt ist, wobei bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) die Leiterstruktur (41, 71, 42) das erste Terminal (211) mit dem zweiten Terminal (212) verbindet und den ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) kurzschließt.
摘要翻译：的光电子半导体芯片包括具有第一端子（211）和第二端子（212），以及用于光电子半导体芯片的电接触，这是导电地连接到第一半导体功能区域中的接触结构（4）的第一半导体功能区域（21）（21），接触结构（4）具有可分离的导体结构（41，71，42），其特征在于， - 在不被切断导体结构，工作电流路径经由所述第一半导体功能区域和第二端子，其在分离的导体结构的中断，或所述第一端子组 - 中分离导体结构（41，71，42），经由第一半导体功能区域（21）和第二终端（212）的第一端子（211）的工作电流路径是固定的，其中，当没有被切断的导体结构（41，71，42），该导体结构（41 ，71，42）连接所述第一终端（211）至所述第二终端（212）和所述第一半导体区域的功能（21）短路。

6. 发明申请

WO2012022657A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012022657A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/EP2011/063715
申请日：2011-08-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , NEUREUTHER, Christoph , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H05B37/03 , H01L31/173 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/15 , H01L31/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：（5），其布置在半导体本体，提供一种光电子半导体芯片（1），包括在载体上的支撑件（5）和（2）之一具有半导体层序列，其中，在所述半导体主体（2）与所述半导体层序列，发射区域（23）和检测区域（24）形成。半导体层序列包括第一半导体层（21）和第二半导体层（22）设置在所述发射区域（23）之间的有源区（20）设置用于产生辐射。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有通过所述有源区（20）穿过其延伸的凹部（25）; 在第一半导体层（21）被导电地经由第一连接层（31），在发射区（23）的第一接触（41）连接，其中在所述第一半导体层的凹部（25）的第一连接层（31）（21 ）朝向所述支撑件（5）; 所述第二半导体层（22）导电地经由具有第二触点（42）的第二连接层（32）相连接。检测区域（24）设置有一个附加的接触（43）电传导地连接。此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

7. 发明申请

WO2011039052A1 BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG FÜR EINE KAMERA SOWIE VERFAHREN ZUM BETRIEB DERSELBEN 审中-公开
标题翻译：照明装置用于操作该相机和方法
公开(公告)号：WO2011039052A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/063465
申请日：2010-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
IPC分类号： H04N5/225 , H04N5/235 , G03B15/02 , G03B15/05
CPC分类号： G03B15/05 , F21V23/04 , G03B2215/0571 , G03B2215/0592 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H04N5/2256 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung enthält einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1), der eine Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') enthält. Die Beleuchtungseinrichtung enthält weiter ein optisches Element (15), das dazu ausgebildet ist, von den Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') emittiertes Licht (210, 220) zu einem Strahlenbündel zu formen. Die Beleuchtungseinrichtung (10) ist derart ausgebildet, dass mittels der einzeln ansteuerbaren Emissionsbereiche (2A, 2B, 2B') unterschiedliche Strahlprofile des Strahlenbündels einstellbar sind. Weiterhin werden eine Kamera, ein Betriebsverfahren für die Beleuchtungseinrichtung und ein Betriebsverfahren für die Kamera angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于照相机的照明装置。该照明装置包括：具有多个独立可控发光区域的发光半导体芯片（1）（2A，2B，2B“）包含。所述照明装置还包括适合于发射区域（2A，2B，2B“）发出的光（210，220），以形成一个光束的光学元件（15）。该照明装置（10）被设计为使得由单独可控发光区域（2A，2B，2B“）的装置具有光束的不同束轮廓是可调节的。此外，相机，操作所述照明装置的方法和操作方法给出了摄像机。

8. 发明申请

WO2011101257A1 LEUCHTMITTEL SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：灯具及制法
公开(公告)号：WO2011101257A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051541
申请日：2011-02-03
申请人： OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG , PREUSCHL, Thomas , HOLZAPFEL, Gerhard , ENGL, Moritz , VON MALM, Norwin , MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
发明人： PREUSCHL, Thomas , HOLZAPFEL, Gerhard , ENGL, Moritz , VON MALM, Norwin , MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： F21K99/00 , H01L25/075
CPC分类号： F21K9/232 , F21K9/233 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21Y2115/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
摘要： Ein Leuchtmittel (2), insbesondere für Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich, umfasst wenigstens ein Halbleiterelement (14, 14a, 14b), insbesondere eine LED, als Lichtquelle; ein Trägersubstrat (12), auf welchem das wenigstens eine Halbleiterelement (14, 14a, 14b) angeordnet ist; wenigstens einen Sockel (4), der das Leuchtmittel (2) in einer korrespondierenden Fassung hält und mit dieser elektrisch kontaktiert; und ein Gehäuse (6), welches am Sockel (4) festgelegt ist, das Trägersubstrat (12) einhaust und wenigstens eine lichtdurchlässige Öffnung aufweist, durch welche von dem Halbleiterelement emittiertes Licht austritt. Das Halbleiterelement (14, 14a, 14b) ist ein ungehäuster Halbleiterchip, welcher mit dem Trägersubstrat (12) durch Direktverbindungsmittel mechanisch und/oder elektrisch verbunden ist. Ein derartiges Leuchtmittel ist preiswerter herstellbar als ein vergleichbares Leuchtmittel, das mit fertig konfektionierten Halbleiterelementen bestückt ist.
摘要翻译：一种照明装置（2），特别是用于在包括至少一个半导体元件的可见光波长范围的光（14，14A，14B），特别是LED，作为光源; 载体基板（12），在其上的至少一个半导体元件（14，14A，14B）; 至少一个基座（4）保持在相应的插座灯泡（2）和与该电接触; 和壳体（6），其被固定到所述基部（4），包围所述支撑基板（12）和至少一个光透射开口离开从半导体元件发出的光通过其的光。半导体元件（14，14A，14B）是一个封装的半导体芯片，其连接到通过直接连接在载体衬底（12）机械地和/或电气装置。这种灯是便宜产生比类似的灯，其配备有预组装的半导体元件。

9. 发明申请

WO2012100868A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012100868A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2011/071526
申请日：2011-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
发明人： HÖPPEL, Lutz , LINKOV, Alexander , MOOSBURGER, Jürgen , TAEGER, Sebastian , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/501 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (1a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它是具有高于半导体层堆叠（1），具有用于产生辐射活性层（1a）和一个辐射出射侧上的开口的光电子半导体芯片（10）（1b）中，并用在辐射出射侧上的转换层（2）（图1b）的布置半导体层堆叠（1）。转换层（2）包括适于至少从有源层（1a）中成不同波长的辐射发射的光的一部分转换基质材料和颗粒转换器。转换层（2）的所述基质材料具有匹配于半导体层堆叠（1）的折射率的折射率。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

10. 发明申请

WO2012152719A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体部件和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2012152719A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012/058299
申请日：2012-05-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： B81B3/00 , B81C3/00 , F21V14/02 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/0079 , F21S41/657 , F21V14/02 , F21V19/02 , F21Y2107/50 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einer Mehrzahl von Emissionsbereichen (10) angegeben, bei dem zumindest ein Emissionsbereich (10) einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, und mit einem Träger (3), der eine Montagefläche (34) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einer der Montagefläche (34) abgewandten Seite des Trägers (3) angeordnet und zwischen dem aktiven Bereich (20) und der Montagefläche (34) ist eine Auslenkungseinrichtung (6) ausgebildet, die dafür vorgesehen ist, den aktiven Bereich (20) relativ zur Montagefläche (34) auszulenken. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有多个提供发光部（10），其中至少一个发射区（10）的半导体主体（2），其具有用于产生辐射激活区（20）的半导体器件（1），并与载体（3 ）具有安装面（34）。从背向所述支撑件（3）的安装表面侧上的半导体主体（2）（34）设置在所述有源区（20）和具有一个位移构件的安装面（34）（6）之间形成，其被提供用于有源区域（20）以偏转相对于所述安装表面（34）。此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式