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1. 发明申请

WO2003009399A1 GALLIUMNITRID-BASIERTE LED UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：氮化镓基于LED及其制造方法
公开(公告)号：WO2003009399A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/DE2002/002677
申请日：2002-07-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
发明人： HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.
摘要翻译：所以建议制造光基于一个氮化镓基化合物半导体发光器件的方法，用（2），具有第一和被氮化镓系化合物半导体形成的第二主表面上的发光层; 的第一涂层（3），其连接到所述发光层（2）的第一主表面和n型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同的形成; 并且连接到所述发光层（2）的所述第二主表面和p型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同所形成的第二涂层（4）。为了提高所述设备（1）的发光层的厚度（2）大于富处于另一位错的附近（10）少的发光效率。

2. 发明申请

WO2008092437A1 ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON MISCHLICHT 审中-公开
标题翻译：装置和方法生产混合光
公开(公告)号：WO2008092437A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/DE2008/000167
申请日：2008-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , PETERSEN, Kirstin
发明人： GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
摘要： Die beschriebene Anordnung bzw. Verfahren betrifft mindestens zwei, elektromagnetische Strahlung aussendende Halbleiterbauelemente, deren aussendende elektromagnetische Strahlung sich in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen befindet. Die Überlagerung dieser elektromagnetischen Strahlungen aller Halbleiterbauelemente besitzt dabei zumindest einen Anteil im sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei weist mindestens eines der Halbleiterbauelemente ein Lumineszenzkonversionselement im Strahlengang auf. Dieses Halbleiterbauelement besitzt einen Volumenverguss, der sowohl den Halbleiterchip als auch das Lumineszenzkonversionselement vereint. In vorteilhafter Weise ist der Halbleiterchip direkt mit einer Lumineszenzkonversionsschicht beschichtet bzw. abgedeckt. Zur Maximierung der Energieeffizienz weist das Halbleiterbauelement ein spiegelndes Element auf.
摘要翻译：所描述的装置和方法涉及至少两种，电磁辐射发射的半导体器件，其发射电磁辐射位于不同的波长范围。所有的半导体元件的这些电磁辐射的叠加具有至少同时在可见光波长范围内的比例存在。在这种情况下，在光束路径中的发光转换元件上的半导体组件中的至少一个。该半导体装置具有既包括半导体芯片和发光的Volumenverguss。有利的是，半导体芯片直接涂覆有发光转换层或覆盖。为了最大限度地提高能源效率，反射元件上的半导体装置。

3. 发明申请

WO2005071763A3 DÜNNFILM-LED MIT EINER STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2005071763A3
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005/000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

4. 发明申请

WO2005041313A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER DÜNNSCHICHT-HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：辐射的薄膜半导体芯片
公开(公告)号：WO2005041313A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/DE2003/003222
申请日：2003-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/46
摘要： Die Erfindung offenbart einen strahlungsemittierenden Dünnschicht-Halbleiterchip mit einer epitaktischen Mehrschichtstruktur (12), die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.
摘要翻译：本发明公开了一种具有外延的多层结构（12），其包含用于在所述提取的活性的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和从第二主表面（18）背向所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体芯片具有strahlungserzeigenden产生层辐射。接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。

5. 发明申请

WO2013041424A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2013041424A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/067808
申请日：2012-09-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die In x Ga 1-x N mit 0 y Ga 1-y N mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（12），其特征在于，（2）含有一个转移层的In x镓1-X N其中0 的x，生长在先前生长转印层（2）上，离子在所述另外的转移层（7）（用于形成分离区4 ）被植入，施加另一个载体基板（8），并且进一步转移层（7）由温度处理切断。随后，包含有源层（10）从所述另外的载体基板（8）进一步转移层（7）的表面背对的半导体层序列（9）生长。

6. 发明申请

WO2003043092A2 OHMSCHE KONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：电阻接触的结构及方法及其
公开(公告)号：WO2003043092A2
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/DE2002/004178
申请日：2002-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
发明人： BRÜDERL, Georg , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRAUSS, Uwe , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L29/45
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01L33/40
摘要： Die Erfindung beschreibt eine ohmsche Kontaktstruktur mit einer Metallisierung (14), die auf einem Halbleitermaterial (10) angeordnet ist, wobei in dem Halbleitermaterial (10) eine Kontaktschicht gebildet ist, die einen an die Metallisierung (14) grenzenden ersten Teilbereich und einen dem ersten Teilbereich nachgeordneten zweiten Teilbereich (18) aufweist. Die Kontaktschicht ist so dotiert, dass die Dotierungskonzentration (N 2 ) im ersten Teilbereich (12) größer als die Dotierungskonzentration (N 1 ) im zweiten Teilbereich (18) ist.
摘要翻译：本发明涉及的欧姆接触结构，其具有金属化14，其被设置在半导体材料10，其中在所述半导体材料10中，形成有接触层，其具有邻接的金属化14第一部分区域和所述第一部分的第二部分18的下游接触层被掺杂以杂质浓度在N2第一部分12比第二部分18是掺杂浓度N1大。

7. 发明申请

WO2002073705A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2002073705A2
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.
摘要翻译：本发明描述了一种具有改进的辐射效率和用于其生产的方法的发射辐射的半导体装置。半导体器件具有具有活性层的多层结构（2）（3）多层结构体（2）和一个窗口（1）具有第一和第二主表面内产生的辐射。邻近于所述第一主表面上的多层结构（5）的窗口（1）。从第二主表面（6）前在窗口（1）形成用于提高辐射输出的至少一个凹部。该凹部优选地具有梯形，所述第一主表面（5）逐渐变细的横截面，并且可以通过该窗口的锯来制备，例如。

8. 发明申请

WO2006012838A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS IN DÜNNFILMTECHNIK UND HALBLEITERCHIP IN DÜNNFILMTECHNIK 审中-公开
标题翻译：薄膜技术中的半导体芯片和薄膜技术中的半导体芯片的制造方法
公开(公告)号：WO2006012838A2
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/DE2005/001276
申请日：2005-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , PLÖSSL, Andreas
发明人： HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/62 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/32014 , H01L2224/83801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： Zur Herstellung von Halbleiterchips (1) in Dünnfilmtechnik wird eine aktive Schichtenfolge auf einem Wachstumssubstrat (3) aufgebracht auf der anschließend eine strukturierte reflektierende elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht (4) ausgebildet wird. Dann wird die aktive Schichtenfolge zu aktiven Schichtstapeln (2) strukturiert, so dass sich auf jedem aktiven Schichtstapel (2) eine reflektierende elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht (4) befindet. Anschließend wird als Hilfsträgerschicht eine flexible elektrisch leitfähige Folie (6) auf die Kontaktmaterialschichten (4) aufgebracht und das Wachstumssubstrat entfernt.
摘要翻译：
形成在d导航中使用的制造半导体芯片（1）的通断接触材料层（4）;有源层序列nnfilmtechnik施加到生长衬底（3）上的后续ROAD结束的结构化重新＆害羞;抑扬导电＆AUML ，然后，将有源层序列图案化成有源层堆叠（2），使得反射性导电接触材料层（4）位于每个有源层堆叠（2）上。随后，作为虚设支撑层，将柔性导电片（6）放置在接触材料层（4）上并去除生长衬底

9. 发明申请

WO2005106972A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法用于产生辐射半导体芯片
公开(公告)号：WO2005106972A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/DE2004/000892
申请日：2004-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker
发明人： HAHN, Berthold , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Mikrostrukturierung einer strahlungsemittierenden Fläche einer Halbleiterschichtfolge für einen Dünnschicht-Leuchtdiodenchip, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Aufwachsen der Halbleiterschichtfolge auf einem Substrat; b) Ausbilden oder Aufbringen einer Spiegelschicht (7) auf der Halbleiterschichtfolge, die zumindest einen Teil einer in der Halbleiterschichtfolge bei deren Betrieb erzeugten und zur Spiegelschicht hin gerichteten Strahlung in die Halbleiterschichtfolge zurückreflektiert; c) Trennen der Halbleiterschichtfolge vom Substrat mittels eines Abhebe-Verfahrens, bei dem eine Trennzone in der Halbleiterschichtfolge zumindest teilweise zersetzt wird, derart, dass an der Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, von der das Substrat abgetrennt ist, anisotrop Rückstände (20) eines Bestandteils der Trennzone, insbesondere eines metallischen Bestandteils der Trennschicht verbleiben; und d) Ätzen der mit den Rückständen versehenen Trennfläche der Halbleiterschichtfolge, bei dem die anisotropen Rückstände zumindest temporär als Ätzmaske verwendet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于微结构的半导体层序列的发射辐射的表面的薄膜发光二极管芯片，包括以下步骤：a）在衬底上的半导体层序列的增长; b）形成或沉积镜层（7）在半导体层序列，其至少反映在其朝向半导体层序列中的反射镜层中的操作过程中在半导体层序列产生的辐射和一部分; c）以在其中半导体层序列中的分离区被至少部分地分解，剥离方法的手段从基底分离半导体层序列，使得在从该衬底在分离区的部件的各向异性分离残基（20）中的半导体层序列的接口依然存在，特别是分离层的金属成分的; 以及d）蚀刻设置有半导体层序列的残基，其中，所述各向异性残基是至少暂时分离区域，作为蚀刻掩模。

10. 发明申请

WO2004068572A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2004068572A3
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/DE2004/000123
申请日：2004-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold
发明人： KAISER, Stephan , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem eine Halbleiterschicht (2) von einem Substrat (1) durch Bestrahlen mit Laserimpulsen getrennt wird, wobei die Impulsdauer der Laserimpulse kleiner oder gleich 10 ns ist. Die Laserimpulse weisen ein räumliches Strahlprofil auf, dessen Flankensteilheit so gering gewählt ist, dass bei der Trennung von Halbleiterschicht (2) und Substrat (1) Risse in der Halbleiterschicht (2), die durch thermisch induzierte laterale Verspannungen entstehen, vermieden werden.

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