专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2005071763A3 DÜNNFILM-LED MIT EINER STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2005071763A3
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005/000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einer Dünnfilm-LED mit einer aktiven Schicht (7) aus einem Nitridverbindungshalbleiter, die elektromagnetische Strahlung (19) in einer Hauptstrahlungsrichtung (15) emittiert, einer der aktiven Schicht (7) in der Hauptstrahlungsrichtung (15) nachfolgenden Stromaufweitungsschicht (9) aus einem ersten Nitridverbindungshalbleitermaterial, einer Hauptfläche (14), durch welche die in der Hauptstrahlungsrichtung (15) emittierte Strahlung ausgekoppelt wird, und einer ersten Kontaktschicht (11, 12, 13), die auf der Hauptfläche (14) angeordnet ist, ist die Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht (9) durch Ausbildung eines zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erhöht. Die Ausbildung des zweidimensionalen Elektronen- oder Löchergases erfolgt vorteilhaft durch das Einbetten mindestens einer Schicht (10) aus einem zweiten Nitridverbindungshalbleitermaterial in die Stromaufweitungsschicht (9).

2. 发明申请

WO2006128446A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT EINER KONTAKTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：带有接触结构的LED芯片
公开(公告)号：WO2006128446A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/DE2006/000954
申请日：2006-06-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Lumineszenzdiodenchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche (1) und einer Kontaktstruktur (2, 3, 4), die auf der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet ist, und ein Bondpad (4) und mehrere zur Stromaufweitung vorgesehene Kontaktstege (2, 3), die mit dem Bondpad (4) elektrisch leitend verbunden sind, umfasst, ist das Bondpad (4) in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch eine verminderte Absorption der emittierten Strahlung (23) in der Kontaktstruktur (2, 3, 4) aus.
摘要翻译：在具有辐射出射表面（1）和一个接触结构的LED芯片（2，3，4）的辐射出射表面上的（1）被布置，并且被设置用于电流扩散接触接片的键合焊盘（4）和多个（2,3）与键合焊盘（4）导电连接包括，键合焊盘（4）被布置在所述辐射出射表面的边缘区域（1）。 LED芯片是通过减小在接触结构所发射的辐射（23）的吸收，其特征在于特别是（2，3，4）。

3. 发明申请

WO03019637A3 METHOD FOR THERMAL TREATMENT OF THE SURFACE LAYER OF A SEMICONDUCTOR BY MEANS OF A PULSED LASER 审中-公开
标题翻译：方法用于半导体的表面处理用激光脉冲的AID热处理
公开(公告)号：WO03019637A3
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/DE0202981
申请日：2002-08-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR JOHANNES , BRUEDERL GEORG , LELL ALFRED , NEU WALTER , OBERSCHMID RAIMUND
发明人： BAUR JOHANNES , BRUEDERL GEORG , LELL ALFRED , NEU WALTER , OBERSCHMID RAIMUND
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/00 , H01L21/225 , H01L29/45 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/3245 , H01L21/268
摘要： The invention relates to a method for heat treating a surface layer (4) on a semiconductor substrate (5). Laser pulses (2), generated by a laser (1), are delivered to the surface layer (4). Said method permits, in particular, ohmic contacts to III-V compound semiconductors to be produced.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体衬底（5）上的表面层（4）的热处理方法。被排出到表面层（4）的激光脉冲（2），其由一激光器（1）中产生。根据该方法，特别是欧姆接触到III-V族化合物半导体可以制造。

4. 发明申请

WO2009033453A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2009033453A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008/001446
申请日：2008-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , OBERSCHMID, Raimund , WIRTH, Ralph
发明人： EISSLER, Dieter , OBERSCHMID, Raimund , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, aufweisend ein elektrisch leitfähiges Substrat (1) mit einer Deckseite (2) und einer Grundseite (3), wobei die Deckseite mit einem ersten Kontakt (4) und die Grundseite mit einem zweiten, gegenpoligen Kontakt (5) elektrisch in Verbindung steht und zwischen den Kontakten ein Licht emittierender pn-Übergang (6) an der Deckseite des Substrats angeordnet ist, wobei das Bauelement einen Ableiterkörper (7) zur Ableitung von Überspannungen aufweist, der mit dem pn-Übergang in paralleler elektrischer Verbindung steht.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括：（1）具有顶侧导电性基材（2）和基端侧（3），所述具有第一触头（4）中，用相反的第二极性的接触底座侧顶侧（5）在通信电布置，并且触点pn结（6）在基板的顶侧上，其中所述装置包括一个避雷器体之间发射光（7），用于过电压的推导，其与并联电连接的pn结进行通信，

5. 发明申请

WO2005071763A2 THIN-FILM LED COMPRISING A CURRENT-DISPERSING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：薄膜的电流散布结构的LED
公开(公告)号：WO2005071763A2
公开(公告)日：2005-08-04
申请号：PCT/DE2005000099
申请日：2005-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR JOHANNES , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , OBERSCHMID RAIMUND , WEIMAR ANDREAS
发明人： BAUR JOHANNES , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , OBERSCHMID RAIMUND , WEIMAR ANDREAS
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a thin-film LED comprising an active layer (7) consisting of a nitride compound semiconductor that emits electromagnetic radiation (19) in a main radiation direction (15), a current-dispersing layer (9) succeeding the active layer (7) in the main radiation direction and consisting of a first nitride compound semiconductor material, a main surface (14) through which the radiation emitted in the main radiation direction (15) is decoupled, and a first contact layer (11, 12, 13) located on the main surface (14). According to the invention, the transversal conductivity of the current-dispersing layer (9) is increased by the formation of a two-dimensional electron or hole gas. The two-dimensional electron or hole gas is advantageously formed by embedding at least one layer (10) consisting of a second nitride compound semiconductor material in the current-dispersing layer (9).
摘要翻译：发射在薄膜LED具有有源层（7）由氮化物化合物半导体的，在主辐射方向上的电流扩散层以下的电磁辐射（19）（15），在所述主辐射方向上的有源层（7）中的一个（15）（9）由一个第一氮化物半导体材料，一主表面（14），通过该主辐射方向发射的光（15）的辐射被耦合，和一个第一接触层（11，12，13），其被布置在所述主表面（14）上，所述电流扩展层的横向导电性（9）增加通过形成二维电子或空穴气。二维电子或空穴气的形成是通过嵌入至少一个层（10）制成在所述电流扩展层（9）的第二氮化物化合物半导体的有利地进行。

6. 发明申请

WO2007036214A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光电组件
公开(公告)号：WO2007036214A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001701
申请日：2006-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine aktive Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst offenbart, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, die von einer Vorderseite (3) des Halbleiterkörpers (1) emittiert wird. Weiterhin umfasst das Bauelement einen dem Halbleiterkörper (1) in dessen Abstrahlrichtung nachgeordneten ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt und eine erste selektiv reflektierende Schicht (8) zwischen der aktiven Halbleiterschichtenfolge (2) und dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), die Strahlung der zweiten Wellenlänge selektiv reflektiert und für Strahlung der ersten Wellenlänge durchlässig ist.
摘要翻译：它与一个半导体本体（1），光电装置的公开包括有源半导体层序列（2），其适合于从正面侧产生第一波长的电磁辐射（3）的半导体主体（1）被发射。此外，该装置包括一个半导体主体（1）在所述第一波长转换材料的下游的辐射方向（6），所述第一波长成与所述第一波长不同的方向上的辐射的辐射，第二波长转换，并且第一选择性反射层（8）在有源半导体层序列之间（ 2）与第一波长转换材料（6），选择性地反射第二波长的辐射是透明的第一波长的辐射。

7. 发明申请

WO2003019637A2 VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG EINES HALBLEITERS 审中-公开
标题翻译：方法半导体的表面处理
公开(公告)号：WO2003019637A2
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/DE2002/002981
申请日：2002-08-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , BRÜDERL, Georg , LELL, Alfred , NEU, Walter , OBERSCHMID, Raimund
发明人： BAUR, Johannes , BRÜDERL, Georg , LELL, Alfred , NEU, Walter , OBERSCHMID, Raimund
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： H01L21/3245 , H01L21/268
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Wärmebehandlung einer Oberflächenschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (5). Es werden auf die Oberflächenschicht (4) Laserpulse (2) abgegeben, die von einem Laser (1) erzeugt werden. Mit diesem Verfahren lassen sich insbesondere Ohmsche Kontakte zu III-V-Verbindungshalbleitern herstellen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体衬底（5）上的表面层（4）的热处理方法。被排出到表面层（4）的激光脉冲（2），其由一激光器（1）中产生。根据该方法，特别是欧姆接触到III-V族化合物半导体可以制造。

8. 发明申请

WO0180322A3 HIGH-RADIANCE LED CHIP AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于LED芯片和方法及其
公开(公告)号：WO0180322A3
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/DE0101513
申请日：2001-04-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BOGNER GEORG , KUGLER SIEGMAR , NEUMANN GERALD , NIRSCHL ERNST , OBERSCHMID RAIMUND , SCHLERETH KARL HEINZ , SCHOENFELD OLAF , STATH NORBERT
发明人： BOGNER GEORG , KUGLER SIEGMAR , NEUMANN GERALD , NIRSCHL ERNST , OBERSCHMID RAIMUND , SCHLERETH KARL-HEINZ , SCHOENFELD OLAF , STATH NORBERT
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/44 , H01L2224/16225
摘要： The invention relates to a high-radiance LED chip (1) comprising a radiation-emitting active region (32) and a window layer (2). In order to increase the radiant yield, the cross-sectional surface of the radiation-emitting active region (32) is smaller than the cross-sectional surface of the window layer (2), which is made available for disengaging the light. The invention also relates to a method for producing a lens structure on the surface of a light emitting component.
摘要翻译：二发明涉及一种具有发射辐射的有源区（32）中的发光二极管芯片（1），和一个窗口层（2），以增加辐射效率（发射辐射的有源区（横截面区域32）比面积小可用于窗口层的光提取的横截面表面 2）。此外，本发明涉及一种发光器件的表面上制造透镜结构的方法。

9. 发明申请

WO2013034395A1 BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明装置
公开(公告)号：WO2013034395A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/EP2012/065760
申请日：2012-08-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM AG , OBERSCHMID, Raimund , MOECK, Martin
发明人： OBERSCHMID, Raimund , MOECK, Martin
IPC分类号： F21K99/00
CPC分类号： F21K9/50 , F21K9/60 , F21K9/64 , F21V3/04 , F21V9/30 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12 , F21Y2115/10
摘要： Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung zur Raumbeleuchtung angegeben, die eine Trägerplatte (8) mit einer reflektierenden Montagefläche (89) aufweist, auf der eine Mehrzahl von zueinander beabstandeten Licht emittierenden Halbleiterchips (1) angeordnet ist, und weiterhin eine den Licht emittierenden Halbleiterchips (1) in Abstrahlrichtung nachgeordnete transluzente oder transparente Abstrahlplatte (20) mit einer den Licht emittierenden Halbleiterchips (1) abgewandten Lichtauskoppelfläche (29), wobei die Abstrahlplatte (20) eine Mehrzahl von Aussparungen (22) aufweist, die jeweils zumindest einem Halbleiterchip (1) nachgeordnet sind, und wobei jede der Aussparungen (22) auf einer den Halbleiterchips (1) zugewandten Innenoberfläche (28) von den Licht emittierenden Halbleiterchips (1) beabstandet ein Diffusormaterial und/oder einen Wellenlängenkonversionsstoff (21) aufweist.
摘要翻译：提供了一种用于照明的照明装置，其包括承载板（8）的反射安装表面（89），其上间隔开的多个隔开发光半导体芯片（1）被设置，并且进一步一个发光半导体芯片（1）中发射下游半透明或透明的辐射板（20），具有从光输出表面背对发光半导体芯片（1）（29），其中，具有多个凹部（22）的散热板（20）被布置半导体芯片（1）的下游在每种情况下的至少一个的，并且其中每个在背离发光半导体芯片（1）在半导体芯片（1）内表面（28）的侧凹部（22）的间隔开的扩散材料和/或波长转换物质（21）。

10. 发明申请

WO2012126852A1 ANSCHLUSSTRÄGER FÜR HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：连接支持FOR半导体芯片和半导体元件
公开(公告)号：WO2012126852A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/054713
申请日：2012-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OBERSCHMID, Raimund
发明人： OBERSCHMID, Raimund
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/16225 , H01L2224/81385 , H01L2924/01322 , H05K1/0271 , H05K1/111 , H05K2201/0133 , H05K2201/09036 , H05K2201/09263 , H05K2201/10106 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Anschlussträger (1) für zumindest einen Halbleiterchip (7) angegeben, wobei der Anschlussträger einen Trägerkörper (2) mit einer Hauptfläche (20) aufweist. Auf der Hauptfläche sind eine erste Anschlussfläche (31) und eine von der ersten Anschlussfläche beabstandete zweite Anschlussfläche (32) ausgebildet. Der Anschlussträger weist eine mechanische Entkopplungseinrichtung (5) auf, die dafür vorgesehen ist, eine Übertragung von mechanischen Kräften von dem Trägerkörper auf zumindest einen Bereich der ersten Anschlussfläche zu verringern. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (8) mit einem solchen Anschlussträger angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于至少一个半导体芯片（7），其中，所述连接器支撑件包括支撑体（2）具有主表面（20）提供的连接支架（1）。上的第一连接表面（31）和间隔开的从所述第一陆地第二垫（32）的主表面上形成。连接载体具有机械去耦装置（5），其目的是减少从支撑体在所述第一配合面的至少一部分上的机械力的传输。此外，半导体器件（8）设置有这样的连接载体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式