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1. 发明申请

WO2007076743A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其
公开(公告)号：WO2007076743A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002046
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。还提供了用于制造LED芯片的方法。

2. 发明申请

WO2009039815A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体本体
公开(公告)号：WO2009039815A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001447
申请日：2008-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
发明人： ALBRECHT, Tony , BADER, Stefan , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Schicht (2) zur Erzeugung von Strahlung einer ersten Wellenlänge (λ 1 ) und einer Reemissionsschicht (3), die eine Quantentopf Struktur (4) mit einer Quantenschichtstruktur (5) und einer Barriereschichtstruktur (6) aufweist, beschrieben. Die Reemissionsschicht ist zur Erzeugung von inkohärenter Strahlung einer zweiten Wellenlänge (λ 2 ) mittels Absorption der Strahlung der ersten Wellenlänge in der Barriereschichtstruktur vorgesehen.
摘要翻译：它是（1）具有的活性层的发射辐射的半导体主体（2），用于产生第一波长（λ1）和Reemissionsschicht（3）具有量子阱结构的辐射（4）具有量子层结构（5）和阻挡层的结构（ 6），如下所述。该Reemissionsschicht是用于制造由在阻挡层结构的第一波长的辐射的吸收的装置提供的第二波长（λ2）的非相干辐射。

3. 发明申请

WO2011101280A1 HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体二极管及其制造方法半导体二极管
公开(公告)号：WO2011101280A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051925
申请日：2011-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
发明人： ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.
摘要翻译：的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

4. 发明申请

WO2009135457A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009135457A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/DE2009/000546
申请日：2009-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

5. 发明申请

WO2008116439A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译：一种用于生产LED芯片的LED芯片和
公开(公告)号：WO2008116439A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/DE2008/000403
申请日：2008-03-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , FISCHER, Helmut , WEININGER, Irene
发明人： ALBRECHT, Tony , FISCHER, Helmut , WEININGER, Irene
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines Lumineszenzdiodenchips (1) angegeben, der mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial (2) versehen ist, das mindestens eine Leuchtstoff (22) aufweist. Ein Grundkörper (4) wird bereitgestellt, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip (1) aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest einer Hauptfläche des Grundkörpers (41) wird eine Deckschicht (21) aufgebracht. Gemäß einer vorgestellten Ausführungsform ist die Deckschicht (21) photostrukturierbar. In die Deckschicht (21) wird mindestens eine Kavität (31, 32) eingebracht. Es wird mindestens ein Leuchtstoff (22) auf die Deckschicht (21) aufgebracht und eine Haftung zwischen zumindest einem Teil des Leuchtstoffs (22) und der Deckschicht (21) ausgebildet oder verstärkt. Zudem wird ein mit dem Verfahren hergestellter Lumineszenzdiodenchip (1) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于产生至少一个LED芯片（1），其设置有发光转换材料（2）的方法，包括至少一种磷光体（22）。的基体（4）被提供，其具有用于将LED芯片（1），其适于发射电磁辐射的层序列。在基体（41）的覆盖层（21）的至少一个主表面被施加。据呈现的一个实施例中，顶层（21）被光构。在外层（21）的至少一个空腔（31，32）被引入。有至少一种磷光体（22）的覆盖层（21）沉积和形成或增强荧光体（22）和覆盖层（21）的至少一部分之间的粘合上。此外，通过（1）中指定的发光二极管芯片的方法来制造。

6. 发明申请

WO2005048424A1 MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER 审中-公开
标题翻译：带侧连接棱边发射单片光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2005048424A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002477
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/209 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦表面发射（2）具有活性产生辐射的垂直发射层（3）垂直射极区和至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦所述垂直发射极区域（2），活性放射线产生泵层（6 ）了。根据本发明的垂直发射层（3）的泵层（6）在垂直方向的下游侧布置并且在垂直发射层（3）和泵层（6）之间的导电层（13）。此外，（9）接触是在半导体激光装置，其位于比所施加的导电层（13）更靠近所述泵层（6）的一侧。该接触（9）和导电层（13）之间的是用于通过载流子注入来产生泵浦辐射（7）可以被施加电场。

7. 发明申请

WO2005117070A2 OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：具有垂直发射方向表面发光半导体激光元件
公开(公告)号：WO2005117070A2
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/DE2005/000791
申请日：2005-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STEIN, Wilhelm , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter
发明人： STEIN, Wilhelm , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S3/109 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/141 , H01S5/18355 , H01S5/18386 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement, insbesondere elektrisch gepumptes Halbleiterlaser-Bauelement, mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das zur Erzeugung von Laserstrahlung mittels eines externen optischen Resonators (4,5) vorgesehen ist, umfassend einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine laterale Haupterstreckungsrichtung und eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Zone (3) aufweist, wobei innerhalb des Resonators eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (6) angeordnet und mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

8. 发明申请

WO2005048423A1 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体激光器件
公开(公告)号：WO2005048423A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002476
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
发明人： SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem oberflächenemittierenden Vertikalemissionsbereich (1) und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemissionsbereichs (1). Die Halbleiterlaservorrichtung ist dadurch ausgezeichnet, dass die Pumpstrahlung in Form von Teilstrahlungsbündeln mit unterschiedlichen Strahlungsrichtungen in den Vertikalemissionsbereich (1) eintritt, so dass die Pumpstrahlung einen Überlapp mit der Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) aufweist, der zur Anregung dieser Grundmode geeignet ist. Der Erfindung liegt zugrunde, dass bevorzugt die Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) angeregt wird, wenn die räumliche Intensitätsverteilung der Pumpstrahlung dem Profil der Grundmode angepasst ist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦所述垂直发射区域的光泵浦半导体激光装置（1）。的半导体激光装置通过以下事实区分，泵辐射在具有（1）中发生的垂直发射区域不同的辐射方向的部分辐射束的形式，使得泵辐射与垂直发射区域的基模的重叠（1），其是适用于该基本模式的激励。本发明是基于，优选地垂直发射区域的基模（1）被激励时，泵辐射的空间强度分布被适应于基本模式的轮廓。

9. 发明申请

WO2004086576A1 HALBLEITERLASER MIT REDUZIERTER RÜCKWIRKUNGSEMPFINDLICHKEIT 审中-公开
标题翻译：具有减少溯及既往灵敏度半导体激光器
公开(公告)号：WO2004086576A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/DE2004/000333
申请日：2004-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： Ein Erfindungsgemässer Halbleiterlaser, insbesondere ein Einmoden-Laser, enthält in seinem Laserresonator mindestens eine absorbierende Schicht (8), welche die Transmission T Res der Laserstrahlung (10) im Laserresonator zur Verringerung der Rückwirkungsempfindlichkeit des Halbleiterlasers für in den Laserresonator rückgekoppelte Strahlung (9) reduziert. Dadurch werden Schwankungen der Ausgangsleistung durch rückgekoppelte Strahlung (9) reduziert.
摘要翻译：本发明的半导体激光器，尤其是单模激光器，包含在其激光谐振器的至少一个吸收层（8），这减少了在激光腔中的激光辐射（10）的传输TRES降低半导体激光用于反馈的反应速度进入激光腔的辐射（9）。通过反馈发射（9）的输出功率的波动特征可以减小。

10. 发明申请

WO2011012446A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2011012446A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/060077
申请日：2010-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
发明人： MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (1), der einen ersten (1A) und einen zweiten Bereich (1B) aufweist; - eine aktive Zone (2) innerhalb des Halbleiterkörpers (1), die im Betrieb des Leuchtdiodenchips (100) elektromagnetische Strahlung durch eine Strahlungsauskoppelfläche (11) emittiert, die zumindest stellenweise durch eine erste Hauptfläche (111) des Halbleiterkörpers (1) gebildet ist; - zumindest einen Graben (3) in dem Halbleiterkörper (1), wobei im Bereich des Grabens Teile des Halbleiterkörpers (1) entfernt sind, wobei - der zumindest eine Graben (3) zumindest bis zur aktiven Zone (2) reicht, - der zumindest eine Graben (3) den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt, und - der zweite Bereich (1B) den zumindest einen Graben (3) und den ersten Bereich (1A) in lateraler Richtung vollständig umgibt.
摘要翻译：它是指定的发光二极管芯片，包括： - 一个半导体主体（1），具有第一（1A）和第二区域（1B）; - 通过辐射在电磁辐射的LED芯片（100）的操作发出所述半导体主体（1）内的活性区域（2），其通过所述半导体主体（1）的第一主表面（111）形成至少局部地（11）; - 至少一个沟槽（3）在半导体本体（1）与半导体本体的部分（1）的在沟槽的区域中除去， - 所述至少一个沟槽（3），至少直到所述有源区（2）延伸， - 至少的沟槽（3）完全包围在横向方向上的第一区域（1A），以及 - 第二部分（1B）完全包围所述至少一个沟槽（3）和在横向方向上的第一区域（1A）。

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