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1. 发明申请

WO2002073705A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2002073705A2
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.
摘要翻译：本发明描述了一种具有改进的辐射效率和用于其生产的方法的发射辐射的半导体装置。半导体器件具有具有活性层的多层结构（2）（3）多层结构体（2）和一个窗口（1）具有第一和第二主表面内产生的辐射。邻近于所述第一主表面上的多层结构（5）的窗口（1）。从第二主表面（6）前在窗口（1）形成用于提高辐射输出的至少一个凹部。该凹部优选地具有梯形，所述第一主表面（5）逐渐变细的横截面，并且可以通过该窗口的锯来制备，例如。

2. 发明申请

WO2002073705A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002073705A3
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.

3. 发明申请

WO2004032248A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2004032248A3
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/DE2003/003157
申请日：2003-09-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat (1), auf dessen Unterseite eine strahlungserzeugende Schicht (2) angeordnet ist, bei dem das Substrat (1) geneigte Seitenflächen (3) aufweist, bei dem der Brechungsindex des Substrates (1) größer ist als der Brechungsindex der strahlungserzeugenden Schicht, bei dem aus dem Brechungsindexunterschied ein unbeleuchteter Substratbereich (4) resultiert, in den keine Photonen unmittelbar aus der strahlungserzeugenden Schicht eingekoppelt werden, und bei dem das Substrat (1) im unbeleuchteten Bereich im wesentlichen senkrechte Seitenflächen (5) aufweist. Das Bauelement hat den Vorteil, daß es mit einer besseren Flächenausbeute aus einem Wafer hergestellt werden kann.

4. 发明申请

WO2004030108A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2004030108A3
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/003147
申请日：2003-09-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur (12), die eine Photonen emittierende aktive Schicht (16), eine n-dotierte Mantelschicht (14) und eine p-dotierte Mantelschicht (18) enthält, einem mit der n-dotierten Mantelschicht (14) verbundenen Kontakt, und einer mit der p-dotierten Mantelschicht (18) verbundenen Spiegel-schicht (20), ist die Spiegelschicht (20) erfindungsgemäß durch eine Legierung von Silber mit einem oder mehreren Metallen der Gruppe Ru, Rh, Pd, Au, Os, Ir, Pt, Cu, Ti, Ta und Cr gebildet.

5. 发明申请

WO2003065420A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2003065420A3
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/DE2003/000260
申请日：2003-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
发明人： FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , KAISER, Stephan , OTTE, Frank , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L31/18
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Dünnschichtbauelements, wobei eine Halbleiterschicht durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl, der ein plateauartiges räumliches Strahlprofil aufweist, von einem Substrat getrennt wird. Weiterhin wird die Halbleiterschicht vor der Trennung auf einen Träger mit einem angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufgebracht. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterschichten, die einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.

6. 发明申请

WO2003030271A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003030271A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003668
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
发明人： FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist. Der Halbleiterchip ist zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen und die Fensterschicht (20) weist mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) auf, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht gegenüber der Grösse der ersten Hauptfläche (22) verbreitert. Eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) sind mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem derartigen Chip sowie ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Chips.

7. 发明申请

WO2003030271A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片，METHOD FOR ITS和辐射分量
公开(公告)号：WO2003030271A2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003668
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
发明人： FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist. Der Halbleiterchip ist zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen und die Fensterschicht (20) weist mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) auf, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht gegenüber der Grösse der ersten Hauptfläche (22) verbreitert. Eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) sind mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem derartigen Chip sowie ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Chips.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片，具有包含发射辐射的有源层（10）的多层结构（100），并具有窗口层（20），用于有源层中的一个发射的光（10）辐射是透明的，在方向被布置在多层结构（100）的半导体装置的主辐射方向的下游。半导体芯片被提供用于自顶向下的在一个芯片外壳和窗口层（20）的安装有至少在使用过程中朝向的一个面对第一主表面（22）的多层结构中的一个（100）的外周侧表面（21）多层结构（100）的面向所述第二主表面（23）逐渐远离第一这样的斜面，弯曲的或阶梯状的第一侧区域（24），在该窗口层加宽相对于所述第一主表面（22）的大小。多层结构（100）和至少所述斜面的一部分的外周侧表面（11），弯曲的或阶梯状的第一侧表面区域（24）涂覆有一个连续的电绝缘层（30）。本发明还涉及具有这样的芯片发射辐射的元件，和用于同时制造多个这样的芯片的方法。

8. 发明申请

WO2007085218A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007085218A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/DE2006/002293
申请日：2006-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , STRAUSS, Uwe
发明人： FEHRER, Michael , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst und eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist, angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat (4) angeordnet ist, das eine Seitenfläche (17) aufweist, die Seitenfläche einen bezüglich der Haupterstreckungsrichtung angeschrägten Seitenflächenbereich (18) und/oder eine Ausnehmung (21) aufweist, und der Halbleiterchip eine strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (5) aufweist.
摘要翻译：它是具有半导体层序列（2）的光电子半导体芯片（1），包括适合于产生辐射有源区（3）和具有延伸部的横主方向上的容器中，所指出的，其中该半导体层序列被布置在基板（4）（一侧表面上 17），所述侧表面具有相对于所述锥形侧表面部分（18）和/或凹槽（21），和半导体芯片，辐射透射的主延伸方向和导电接触层（5）。

9. 发明申请

WO2011073027A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2011073027A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/068548
申请日：2010-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
发明人： LELL, Alfred , FEHRER, Michael , SCHLENKER, Tilman , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , MÜLLER, Martin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/186 , H01L33/0095 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/20 , H01S2301/176 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das zumindest ein anorganisches optoelektronisch aktives Halbleiterbauelement (10) mit einem aktiven Bereich (3), der geeignet ist, im Betrieb Licht abzustrahlen oder zu empfangen, und auf zumindest einem Oberflächenbereich (7) ein mittels Atomlagenabscheidung aufgebrachtes Versiegelungsmaterial (6), das den Oberflächenbereich (7) hermetisch dicht bedeckt, aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括具有有源区（3），这是适合于在操作发射光或接收，并通过原子层沉积在至少一个表面区域（7）施加的密封材料的至少一个无机光电子有源半导体器件（10）（6）的表面区域（7）气密地覆盖了。此外，提供了用于制造光电子器件的方法。

10. 发明申请

WO2009040401A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009040401A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/EP2008/062864
申请日：2008-09-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HEUSER, Karsten , HÖFLING, Egbert , SCHLENKER, Tilman , INGLE, Andrew , POPP, Michael , KLEIN, Markus , RIEGEL, Nina , SCHMID, Günter , KRAUSE, Ralf , SEIDEL, Stefan , KOZLOWSKI, Fryderyk , HUNZE, Arvid , GIERES, Günter
发明人： FEHRER, Michael , HEUSER, Karsten , HÖFLING, Egbert , SCHLENKER, Tilman , INGLE, Andrew , POPP, Michael , KLEIN, Markus , RIEGEL, Nina , SCHMID, Günter , KRAUSE, Ralf , SEIDEL, Stefan , KOZLOWSKI, Fryderyk , HUNZE, Arvid , GIERES, Günter
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5044 , H01L51/5008 , H01L51/5016 , H01L51/504 , H01L51/5265 , H01L51/5278
摘要： Die Erfindung betrifft eine Strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer ersten Elektrode (100), einer ersten Emissionsschicht (400), einer zweiten Emissionsschicht (410) und einer zweiten Elektrode (110). Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种包括第一电极（100），第一发光层（400），第二发光层（410）和第二电极（110）发射辐射的装置。此外，本发明涉及一种制造发射辐射的装置的方法。

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