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1. 发明申请

WO2003003462A2 GRABENKONDENSATOR UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：集群电容器及相应的制造方法
公开(公告)号：WO2003003462A2
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：PCT/EP2002/006462
申请日：2002-06-12
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , MANGER, Dirk
发明人： MANGER, Dirk
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10861 , H01L27/10829 , H01L27/10867 , H01L29/66181
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft einen Grabenkondensator, insbesondere zur Verwendung in einer Halbleiter-Speicherzelle, mit einem Graben (2), der in einem Substrat (1) gebildet ist; einem im Substrat (1) vorgesehenen Bereich (1a) als erste Kondensatorelektrode; einer dielektrischen Schicht (10) auf der Grabenwand als Kondensatordielektrikum; und einem in dem Graben (2) vorgesehenen metallischen Füllmaterial (30'') als zweite Kondensatorelektode; wobei im Graben (2) oberhalb des leitenden metallischen Füllmaterials (30'') ein dielektisches Füllmaterial (35) mit einem Hohlraum (40) zur Aufnahme mechanischer Spannungen gebildet ist. Ebenfalls schafft die Erfindung ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
摘要翻译：本发明提供了一种沟槽电容器，尤其用于半导体存储器单元中，其具有在衬底（1）中形成的沟槽（2）; 设置在基板（1）中的区域（1a）作为第一电容器电极; 在沟壁上的介电层（10）作为电容器电介质; 和设置在沟槽（2）中的金属填充材料（30“）作为第二电容器元件; 其中在导电金属填充材料（30“）上方的沟槽（2）中形成具有用于接收机械应力的空腔（40）的电介质填充材料（35）。而且，本发明提供了相应的制造方法。

2. 发明申请

WO2004102674A1 TRENCH-SPEICHERKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： TRENCH存储器用电容器和方法及其
公开(公告)号：WO2004102674A1
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/DE2004/001003
申请日：2004-05-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SEIDL, Harald , MANGER, Dirk , GOLDBACH, Matthias , BIRNER, Albert , SLESAZECK, Stefan
发明人： SEIDL, Harald , MANGER, Dirk , GOLDBACH, Matthias , BIRNER, Albert , SLESAZECK, Stefan
IPC分类号： H01L29/94
CPC分类号： H01L27/1087 , H01L27/10829 , H01L29/945
摘要： Die Erfindung betrifft einen Trench-Speicherkondensator und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Bei diesem Speicherkondensator ist die Buried-Plate (3) durch eine dotierte Siliziumschicht (8) bis über die Collar-Isolierschicht (4) verlängert. Die Leiterschicht (8) wird bevorzugt auf eine "vergrabene" Collar-Isolierschicht aufgebracht und mit Hilfe einer durch ALD hergestellten Schutzschicht (9) maskiert. In einem anderen Ausführungsbeispiel besteht die Leiterschicht (18) aus amorphem Silizium, welches in einem unteren Trenchbereich (12) als HSG-Schicht (18') verwendet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种沟槽存储电容器和用于其生产的方法。在该存储电容器中的掩埋极板（3）是由掺杂的硅层延伸（8），以在绝缘卡圈（4）。导体层（8）优选在衣领绝缘层“掩埋”沉积和掩蔽通过ALD（9）中产生的保护层。在另一个实施例中，导体层（18）由非晶硅制成，这是在比HSG层（18“）的下部槽区（12）中使用的。

3. 发明申请

WO2003046920A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SPEICHERZELLE EINES SPEICHERZELLENFELDES IN EINEM HALBLEITERSPEICHER 审中-公开
标题翻译：一种用于生产记忆电池技术领域的存储单元在半导体存储器
公开(公告)号：WO2003046920A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/004287
申请日：2002-11-21
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , MANGER, Dirk
发明人： MANGER, Dirk
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10841 , H01L27/1087
摘要： Der Erfindung, bei der in einem Halbleitersubstrat ein Kondensator mit einer Elektrode als Speicherzellenknoten und einer zweiten Elektrode als gemeinsame Gegenelektrode des Speicherzellenfeldes gebildet und anschließend oberhalb des Kondensators ein Feldeffekttransistor (FET) erzeugt wird, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Speicherzelle mit einem vertikalen Aufbau des Kondensators und einem darüber angeordneten vertikalen FET zu schaffen die mit geringerem Aufwand und technologisch sicherer zu fertigen ist. Dies wird dadurch gelöst, dass in dem Halbleitersubstrat zwei parallel verlaufende erste Gräben mit einer ersten Tiefe geätzt werden, zwischen denen ein Steg gebildet wird, der an seinen Schmalseiten mit dem Halbleitersubstrat verbunden ist und der an seiner Unterseite durchtrennt und von dem Halbleitersubstrat getrennt wird. Der freihängende Steg wird nun mit einem geschlossenen Dielektrikum versehen. Nach einer Füllung wird der FET aufgebracht und mit dem Steg als Speicherknoten verbunden.
摘要翻译：本发明，在将形成在半导体衬底，具有一个电极作为存储单元节点和第二电极作为存储单元阵列的一个共同的反电极，然后将电容器，一个场效应晶体管（FET）中产生上述的电容器中，存储器单元的目的是基于的垂直结构以提供电容器和顶部垂直FET，其与较少的努力和生产技术上可靠。这是在两个平行的第一沟槽实现被蚀刻到半导体衬底中的第一深度，在它们之间形成一个网，其在其窄侧连接到半导体衬底和在其底部的分割，并且，从半导体基板分离。自由悬挂网站现在提供一个封闭的介质。 FET的填充之后被施加，并连接到网络作为存储节点。

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