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1. 发明申请

WO2009017771A3 OPTICAL INTERCONNECT 审中-公开
标题翻译：光学互联
公开(公告)号：WO2009017771A3
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：PCT/US2008009226
申请日：2008-07-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , FATTAL DAVID , BICKNELL ROBERT , SANTORI CHARLES , WU WEI
发明人： FATTAL DAVID , BICKNELL ROBERT , SANTORI CHARLES , WU WEI
IPC分类号： G02B6/36 , G02B6/38
CPC分类号： H04B10/803
摘要： An optical interconnect (100, 200, 300, 400, 445) includes a first circuit board (140, 260, 350, 405) having an optical source (110, 210, 240, 305, 440) and an optical receiver (125, 220, 235, 315, 441); and a second circuit board (145, 265, 355, 410) having data source (105, 205, 250) and an optical modulator (225, 230, 310, 425, 430, 435) optically coupled with the optical source (110, 210, 240, 305, 440) and optical receiver (125, 220, 235, 315, 441), wherein the optical modulator (225, 230, 310, 425, 430, 435) is configured to encode data from the data source (105, 205, 250) into an optical signal from the optical source (110, 210, 240, 305, 440). The optical receiver (125, 220, 235, 315, 441) is configured to receive the optical signal from the optical modulator (225, 230, 310, 425, 430, 435). A method of optical communication includes generating on a first circuit board (140, 260, 350, 405) an optical signal directed at a second circuit board (145, 265, 355, 410); modulating the optical signal with data at the second circuit board (145, 265, 355, 410); reflecting the optical signal to the first circuit board (140, 260, 350, 405); and demodulating the optical signal to receive the data at the first circuit board (140, 260, 350, 405).
摘要翻译：光学互连（100,200,300,400,450）包括具有光源（110,210,240,305,440）和光接收器（125,240,350,440）的第一电路板（140,260,350,405） 220,235,315,441）; 以及具有数据源（105,205,250）的第二电路板（145,265,355,410）以及与所述光源（110,104）接合的光学调制器（225,230,310,425,430,435） 210,240,305,440）和光接收器（125,220,235,315,441），其中所述光调制器（225,230,310,425,430,435）被配置为从所述数据源（ 105,205,250）转换成来自光源（110,210,240,305,440）的光信号。光接收器（125,220,235,315,441）被配置为从光调制器（225,230,310,425,430,435）接收光信号。一种光通信方法包括在第一电路板（140,260,350,405）上生成指向第二电路板（145,265,355,410）的光信号; 用第二电路板（145,265,355,410）的数据调制光信号; 将光信号反射到第一电路板（140,260,350,405）; 以及解调所述光信号以在所述第一电路板（140,260,350,405）处接收所述数据。

2. 发明申请

WO2009011878A2 OPTICAL DEVICE INCLUDING WAVEGUIDE GRATING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：包括波导光栅结构的光学器件
公开(公告)号：WO2009011878A2
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/US2008008715
申请日：2008-07-16
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , FATTAL DAVID , SANTORI CHARLES , BICKNELL ROBERT N , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY , QUITORIANO NATHANIEL J
发明人： WU WEI , FATTAL DAVID , SANTORI CHARLES , BICKNELL ROBERT N , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY , QUITORIANO NATHANIEL J
IPC分类号： G02B6/34
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/124 , G02F1/0126 , G02F1/3515 , G02F2201/307
摘要： Optical devices (100) including waveguide grating structures (102) are described. In accordance with one embodiment, an optical device (100) is provided comprising a horizontal waveguide grating structure (102) having at least one waveguiding layer (104) and at least one subwavelength periodic grating layer (106). The optical device (100) further comprises upper and lower cladding layers (108, 110) immediately adjoining respective upper and lower surfaces (209, 205) of the waveguide grating structure and having refractive indices lower than a lowest-index one of the waveguiding layers, incident radiation propagating (IN) through one of the upper and lower cladding layers (108, 110) toward the waveguide grating structure. The waveguide grating structure (102) is configured for peak reflection of the incident radiation at a peak reflection frequency. A cumulative thickness of the waveguiding layers (104) is less than one tenth of a free space wavelength of the incident radiation at the peak reflection frequency divided by an average refractive index of the waveguiding layers.
摘要翻译：描述了包括波导光栅结构（102）的光学器件（100）。根据一个实施例，提供了一种光学器件（100），其包括具有至少一个波导层（104）和至少一个亚波长周期光栅层（106）的水平波导光栅结构（102）。光学器件（100）还包括紧邻波导光栅结构的相应上表面和下表面（209,205）的上和下包层（108,110），其折射率低于波导层中的最低折射率通过上包层和下包覆层（108,110）中的一个朝向波导光栅结构传播的入射辐射（IN）。波导光栅结构（102）被配置为以峰值反射频率对入射辐射进行峰值反射。波导层（104）的累积厚度小于峰值反射频率处入射的辐射的自由空间波长除以波导层的平均折射率的十分之一。

3. 发明申请

WO2008013886A3 APPARATUS AND METHOD FOR ALIGNMENT USING MULTIPLE WAVELENGTHS OF LIGHT 审中-公开
标题翻译：使用多波长光进行对准的装置和方法
公开(公告)号：WO2008013886A3
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/US2007016793
申请日：2007-07-25
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , TONG WILLIAM , GAO JUN , PICCIOTTO CARL
发明人： WU WEI , TONG WILLIAM , GAO JUN , PICCIOTTO CARL
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7069 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： A method and system are disclosed for aligning a lithography template (120) having a pattern with a sunstrate (130) in preparation for transferring the pattern to a surface of the substrate (130). The system includes an optical imaging system (100) adapted to image a first alignbment structure formed on a top surface of the template (120) using light of a first wavelength and a second alignment structure formed on a top surface of the substrate (130) using light of a second wavelength.
摘要翻译：公开了一种用于将具有图案的光刻模板（120）与太阳光（130）对准以准备将图案转印到基板（130）的表面的方法和系统。该系统包括适于使用第一波长的光和形成在基板（130）的顶表面上的第二对准结构对在模板（120）的顶表面上形成的第一对准结构进行成像的光学成像系统（100）使用第二波长的光。

4. 发明申请

WO2009008923A3 METHODS OF MAKING NANO-SCALE STRUCTURES HAVING CONTROLLED SIZE, NANOWIRE STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE NANOWIRE STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：纳米结构纳米结构的制备方法，纳米结构和纳米结构的制备方法
公开(公告)号：WO2009008923A3
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/US2008004423
申请日：2008-04-02
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , KOBAYASHI NOBUHIKO , WU WEI , STEWART DUNCAN , SHARMA SHASHANK , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
发明人： KOBAYASHI NOBUHIKO , WU WEI , STEWART DUNCAN , SHARMA SHASHANK , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： H01L31/035281 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/105 , Y02E10/50 , Y10S977/762 , Y10S977/814
摘要： Methods of making nanometer-scale semiconductor structures with controlled size are disclosed. Semiconductor structures (200, 300, 400, 500, 600. 700) that include one or ore nanowires (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) are also disclosed. The nanowires can include a passivation layer or have a hollow tube structure.
摘要翻译：公开了制造具有可控尺寸的纳米级半导体结构的方法。还公开了包括一个或多个纳米线（104,204,304,404,504,604,704）的半导体结构（200,300,400,500,600,700）。纳米线可以包括钝化层或具有中空管结构。

5. 发明申请

WO2008048215A3 CONTACT LITHOGRAPHY APPARATUS, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：联系人地平线设备，系统和方法
公开(公告)号：WO2008048215A3
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/US2006028299
申请日：2006-07-21
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , STEWART DUNCAN , WU WEI
发明人： STEWART DUNCAN , WU WEI
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7035 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： A contact lithography apparatus (100,220), system (200) and method (300) use a deformation (320) to facilitate pattern transfer (300). The apparatus (100,220), system (200) and method 300 include a spacer (120,226) that provides a spaced apart parallel and proximal orientation 310 of lithographic elements, such as a mask (110,228a,222) and a substrate (130,228b,224), when in mutual contact with the spacer (120,226). One or more of the mask (110,228a,222), the substrate (130,228b,224) and the spacer (120,226) is deformable, such that deformation (320) thereof facilitates the pattern transfer (300).
摘要翻译：接触光刻设备（100,220），系统（200）和方法（300）使用变形（320）以便于图案转印（300）。设备（100,220），系统（200）和方法300包括间隔物（120,226），其提供光刻元件的间隔开的平行和近端取向310，例如掩模（110,228a，222）和基底（130,228b， 224），当与间隔物（120,226）相互接触时。掩模（110,228a，222），基板（130,228b，224）和间隔件（120,226）中的一个或多个可变形，使得其变形（320）有助于图案转印（300）。

6. 发明申请

WO2006036433A3 IMPRINT LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD EMPLOYING AN EFFECTIVE PRESSURE 审中-公开
标题翻译：印刷机的设备和使用有效压力的方法
公开(公告)号：WO2006036433A3
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/US2005030880
申请日：2005-08-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , TONG WILLIAM M , GAO JUN , PICCIOTTO CARL E
发明人： WU WEI , TONG WILLIAM M , GAO JUN , PICCIOTTO CARL E
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： An imprint apparatus (100, 100', 200, 220) and method 300 employ an effective pressure P eff in imprint lithography. The imprint apparatus (100, 100', 200, 220) includes a compressible chamber (111) that encloses an imprint mold (120, 228a) having a mold pattern (122) and a sample (130, 228b) to be imprinted (300). The chamber (111) is compressed (330, 340, 350) to imprint (360) the mold pattern (122) on the sample (130, 228b). The mold (120, 228a) is pressed (350) against the sample (130, 228b) with the effective pressure P eff . The effective pressure P eff is controlled by a selected ratio A cavity /A contact of a cavity area A cavity of the chamber (111) to a contact area A contact between the mold (120, 228a) and the sample (130, 228b).
摘要翻译：压印装置（100,100'，200,220）和方法300在压印光刻中采用有效压力P eff。压印装置（100,100'，200,220）包括可压缩室（111），其包围具有模具图案（122）和要印刷的样品（130,228b）的压印模具（120,228a）（300 ）。腔室（111）被压缩（330,340,350）以在样品（130,228b）上印模（360）模具图案（122）。模具（120,228a）以有效压力P eff被压制（350）抵靠样品（130,228b）。有效压力P eff通过空腔区域A腔的选定比例A / A 来控制，（111）的位置与模具（120,228a）和样品（130,228b）之间的接触区域A _接触。

7. 发明申请

WO2008016651A3 METHOD OF PERFORMING LITHOGRAPHY AND LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
标题翻译：执行算术和图像系统的方法
公开(公告)号：WO2008016651A3
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/US2007017195
申请日：2007-07-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , PICCIOTTO CARL , GAO JUN , WU WEI , YU ZHAONING
发明人： PICCIOTTO CARL , GAO JUN , WU WEI , YU ZHAONING
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F9/7038 , G03F9/7042 , G03F9/7088
摘要： Methods of performing lithography include calculating a displacement vector (74) for a lithography tool (50) using an image (60) of a portion of the lithography tool (50) and a portion of a substrate (10) and an additional image (28) of a portion of an additional lithography tool (30) and a portion of the substrate (10). Methods of aligning objects include positioning a second object (30) proximate a first object (10) and acquiring a first image (38) illustrating a feature (32) on a surface of the second object (30) and a feature (18) on a surface of the first object (10). As additional object (50) is positioned proximate the first object (10), and an additional image (60) is acquired that illustrates a feature (52) on a surface of the additional object (50) and the feature (18) on the surface of the first object (10). The additional image (60) is compared with the first image (38). Imprint molds (30, 50) include at least one non-marking reference feature (32, 52) on animprinting surface of the imprint molds (30, 50).
摘要翻译：执行光刻的方法包括使用光刻工具（50）的一部分的图像（60）和基底（10）的一部分和附加图像（28）来计算光刻工具（50）的位移矢量（74））附加光刻工具（30）的一部分和基底（10）的一部分。对准对象的方法包括定位邻近第一物体（10）的第二物体（30）并且获取第二图像（38），该第一图像（38）示出在第二物体（30）的表面上的特征（32）第一物体（10）的表面。随着附加物体（50）被定位在第一物体（10）附近，并且获取附加图像（60），其示出了附加物体（50）的表面上的特征（52）和第一物体（10）的表面。将附加图像（60）与第一图像（38）进行比较。压印模具（30,50）包括在压印模具（30,50）的印模表面上的至少一个非标记参考特征（32,52）。

8. 发明申请

WO2008048491A3 CONTACT LITHOGRAPHY APPARATUS, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：接触光刻设备，系统和方法
公开(公告)号：WO2008048491A3
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/US2007021813
申请日：2007-10-12
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , WANG SHIH-YUAN , LI ZHIYONG , WALMSLEY ROBERT
发明人： WU WEI , WANG SHIH-YUAN , LI ZHIYONG , WALMSLEY ROBERT
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7035
摘要： A contact lithography system (100, 200) includes a patterning tool (110, 228a, 510) bearing a pattern (112); a substrate chuck (214) for chucking a substrate (130, 228b) to receive the pattern (112) from the patterning tool (110, 228a, 510); where the system (100, 200) deflects a portion of either the patterning tool (110, 228a, 510) or the substrate (130, 228b) to bring the patterning tool (110, 228a, 510) and a portion of the substrate (130, 228b) into contact; and a stepper (260) for repositioning either or both of the patterning tool (110, 228a, 510) and substrate (130, 228b) to align the pattern (112) with an additional portion of the substrate (130, 228b) to also receive the pattern (112). A method of performing contact lithography comprising: deflecting a portion of either a patterning tool (110, 228a, 510) or a substrate (130, 228b) to bring the patterning tool (110, 228a, 510) and a portion of the substrate (130, 228b) into contact; and repositioning either or both of the patterning tool (110, 228a, 510) and substrate (130, 228b) to align a pattern (112) on the patterning tool (110, 228a, 510) with an additional portion of the substrate (130, 228b) to also receive the pattern (112).
摘要翻译：一种接触光刻系统（100,200）包括承载图案（112）的图案化工具（110,228a，510）; 衬底卡盘（214），其用于夹持衬底（130,228b）以从图案化工具（110,228a，510）接收图案（112）; 其中系统（100,200）使图案化工具（110,228a，510）或衬底（130,228b）的一部分偏转以使图案化工具（110,228a，510）和部分衬底 130，228b）接触; 和步进器（260），其用于重新定位图案形成工具（110,228a，510）和衬底（130,228b）中的任一个或两者以使图案（112）与衬底（130,228b）的另外部分对准接收模式（112）。一种执行接触光刻的方法，包括：使图案化工具（110,228a，510）或衬底（130,228b）的一部分偏转，以使图案化工具（110,228a，510）和衬底的一部分 130，228b）接触; 以及重新定位图案化工具（110,228a，510）和衬底（130,228b）中的任一者或两者以使图案形成工具（110,228a，510）上的图案（112）与衬底（130,228b）的另外部分，228b）也接收图案（112）。

9. 发明申请

WO2007146031A3 IMPRINT LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHODS 审中-公开
公开(公告)号：WO2007146031A3
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/US2007013374
申请日：2007-06-06
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , WANG SHIH-YUAN , YU ZHAONING , WILLIAMS R STANLEY
发明人： WU WEI , WANG SHIH-YUAN , YU ZHAONING , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B29C37/005 , B29C2035/0827 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： An apparatus for forming a pattern in a curable material carried on a substrate (108) having one or more components with coefficients of thermal expansion that are substantially equal to the coefficient of thermal expansion of the substrate (108).
摘要翻译：在具有一个或多个具有基本上等于衬底（108）的热膨胀系数的热膨胀系数的一个或多个部件的衬底（108）上形成可固化材料的图案形成装置。

10. 发明申请

WO2007058909A3 METHOD OF CONTROLLING NANOWIRE GROWTH AND DEVICE WITH CONTROLLED-GROWTH NANOWIRE 审中-公开
标题翻译：控制生长纳米线的纳米线生长和器件的控制方法
公开(公告)号：WO2007058909A3
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/US2006043688
申请日：2006-11-08
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , KAMINS THEODORE I , SHARMA SHASHANK , WILLIAMS R STANLEY
发明人： WU WEI , KAMINS THEODORE I , SHARMA SHASHANK , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/28525 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Nanowire (260, 360) growth in situ on a planar surface, which is one of a crystalline surface having any crystal orientation, a polycrystalline surface and a non-crystalline surface, is controlled by guiding (160) catalyzed growth from the planar surface in a nano-throughhole (224, 324) of a patterned layer (220, 320) formed on the planar surface, such that the nanowire (260, 360) grows in situ perpendicular to the planar surface. An electronic device (200, 300) includes first and second regions of electronic circuitry (280, 370, 380) vertically spaced by the patterned layer (220, 320). The nano-throughhole (224, 324) of the patterned layer (220, 320) extends perpendicularly between the regions. The first region (324, 376) has the planar surface. The device (200, 300) further includes a nanowire (260, 360) extending perpendicular from a catalyst location on the planar surface of the first region (374, 376) in the nano-throughhole (224, 324). The nanowire (260, 360) forms a component of a nano-scale circuit that connects the regions.
摘要翻译：在具有任何晶体取向的晶体表面，多晶表面和非晶体表面之一的平面表面上原位生长的纳米线（260,360）通过引导（160）来自平面表面的催化生长来控制形成在所述平坦表面上的图案化层（220,320）的纳米通孔（224,324），使得所述纳米线（260,360）垂直于所述平坦表面原位生长。电子设备（200,300）包括由图案化层（220,320）垂直间隔开的电子电路（280,370,380）的第一和第二区域。图案化层（220,320）的纳米通孔（224,324）在区域之间垂直延伸。第一区域（324,376）具有平坦表面。装置（200,300）还包括从纳米通孔（224,324）中的第一区域（374,376）的平坦表面上的催化剂位置垂直延伸的纳米线（260,360）。纳米线（260,360）形成连接区域的纳米级电路的组件。

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