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1. 发明申请

WO2012004250A1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：压电材料的方法
公开(公告)号：WO2012004250A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061290
申请日：2011-07-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC , DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant: a)la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique(20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b)une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c)un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造压电材料结构的方法，包括：a）在由压电材料制成的衬底（20）上制造包括至少一个金属层（22）和至少一个导电层（26）的叠层体，至少一个电触头（31）在所述导体层（26）和所述叠层之外的金属元件（29）之间建立; b）通过至少所述导电层（20）和所述金属层（22）注入离子和/或原子; c）将所述衬底转移到转移衬底（30）上，然后在所述弱化区域（27）中压碎所述转移的压电衬底。

2. 发明申请

WO2010139794A1 PROCÈDE DE FABRICATION D'IMAGES COLORÉES AVEC UNE RÉSOLUTION MICRONIQUE ENFOUIES DANS UN SUPPORT TRÈS ROBUSTE ET TRÈS PÉRENNE 审中-公开
标题翻译：用于生产非常强大，非常耐用的介质中嵌入的微分辨率彩色图像的方法
公开(公告)号：WO2010139794A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/EP2010/057850
申请日：2010-06-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , REY, Alain-Marcel , DEGUET, Chrystel , FREY, Laurent , TARDIF, François
发明人： REY, Alain-Marcel , DEGUET, Chrystel , FREY, Laurent , TARDIF, François
IPC分类号： G02B5/28 , G03C7/04 , C03C17/00
CPC分类号： G02B5/286 , C03C17/34 , C03C2217/425 , C03C2217/72 , G02B5/201 , G03F7/0007 , Y10T156/10 , Y10T428/24802
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat coloré ou fluorescent en vue de la formation d'une image colorée ou fluorescente comportant la formation, sur un substrat (10), d'une matrice colorée ou fluorescente, définissant des pixels d'au moins deux couleurs différentes, chaque pixel formant un filtre pour une couleur donnée. Au moins un filtre est un filtre interférentiel ou obtenu avec des particules colorées ou fluorescentes.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产彩色或荧光底物的方法，以便形成一种颜色或荧光图像，其包括在基底（10）上形成颜色或荧光矩阵的图形，其定义至少两种不同颜色的像素像素形成用于预定颜色的滤光器。至少一个滤光片是用彩色或荧光颗粒获得的干涉滤光片或滤光片。

3. 发明申请

WO2011009847A2 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A ELEMENT GRAPHIQUE 审中-公开
标题翻译：用于制造具有显示元件的器件的方法
公开(公告)号：WO2011009847A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060456
申请日：2010-07-20
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
发明人： DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00 , H01L21/316 , B44C1/22 , B32B3/30 , B32B17/00
CPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à élément graphique (108), comportant les étapes de : a) réalisation d'un empilement comportant une couche sacrificielle disposée entre un premier substrat et une couche protectrice (106), et un élément graphique (108) réalisé au niveau d'une première face de la couche protectrice opposée à une seconde face de la couche protectrice telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle, b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat (116) telle que l'élément graphique soit disposé entre le premier substrat et le second substrat, c) désolidarisation de la couche sacrificielle vis-à-vis de la couche protectrice.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有显示元件（108）的装置（100）的方法，包括以下步骤：a）产生包括放置在第一基板和保护层（106）之间的牺牲层的堆叠，以及显示元件（108），其形成在所述保护层的与所述保护层的第二表面相对的第一表面上，使得所述第二表面抵靠所述牺牲层放置，b）用至少一个第二基板（116）固定所述堆叠，使得显示元件被放置在第一基板和第二基板之间，c）将牺牲层与保护层分离。

4. 发明申请

WO2012062585A3 PROCEDE DE REALISATION D'UNE PIECE CONTENANT UN MOTIF ENFOUI ET PIECE AINSI OBTENUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012062585A3
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/068819
申请日：2011-10-27
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , DRAGIN, Fabienne , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel
发明人： DRAGIN, Fabienne , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel
IPC分类号： B44C1/22
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une pièce contenant un motif enfoui dont les dimensions sont au plus micrométriques, selon lequel - on prépare des premier et second substrats (11, 11', 12) dont l'un au moins est transparent, au moins une tranchée (13A, 13B, 13A', 13B', 27) étant ménagée dans l'un au moins de ces substrats à partir d'une surface destinée à être collée à l'autre substrat, - on assemble les premier et second substrats par collage par adhésion moléculaire, ladite au moins une tranchée délimitant un volume creux (26, 26', 36, 46) dont la configuration définit le motif enfoui, ce volume creux communiquant avec l'extérieur de l'assemblage des premier et second substrats, puis - on fait circuler au moins temporairement un fluide colorant dans ce volume creux pour en colorer au moins certaines parois.

5. 发明申请

WO2015107290A3 PROCÉDÉ DE PLACEMENT ET DE COLLAGE DE PUCES SUR UN SUBSTRAT RÉCEPTEUR EN UTILISANT UN PLOT A L'AIDE D'UNE FORCE D'ATTRACTION MAGNÉTIQUE, ÉLECTROSTATIQUE OU ÉLECTROMAGNÉTIQUE. 审中-公开
公开(公告)号：WO2015107290A3
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/FR2015/050052
申请日：2015-01-09
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DEGUET, Chrystel , FOURNEL, Frank , MORICEAU, Hubert , SANCHEZ, Loic
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/68
摘要： Un procédé de placement et de collage de puces (4) sur un substrat récepteur (6), ce procédé comportant : a) la fourniture (44, 98) de plusieurs puces (4), chaque puce (4) comportant une face de collage et une couche de transfert (36), b) le placement (70, 100, 126) des puces (4) à des emplacements prédéfinis en attirant la couche de transfert (36) à l'aide d'un plot (58), la force d'attraction entre la couche de transfert (36) et le plot (58) étant une force choisie dans le groupe composé d'une force magnétique, d'une force électrostatique et d'une force électromagnétique, c) le collage (74, 100, 126) des faces de collage des puces (4) ainsi placées sur des zones de réception respectives d'une face active (10) du substrat récepteur (6), chaque zone de réception ayant la même surface que la face de collage collée sur cette zone de réception et chaque zone de réception étant lisse et directement bordée par une zone périphérique lisse et au même niveau pour prolonger cette zone de réception dans un même plan ou par une zone périphérique en retrait à l'intérieur du substrat (6), dans lequel : - les faces de collage et les zones de réception sont préparées pour permettre un collage sans apport de matière adhésive entre les faces de collage et les zones de réception correspondantes, puis - lors de l'étape c), chaque face de collage est mise en contact direct avec sa zone de réception respective pour obtenir ainsi un collage sans apport de matière adhésive (un collage direct) des puces (4) sur le substrat récepteur (6).

6. 发明申请

WO2007045759A1 TRAITEMENT D'UNE COUCHE DE GERMANIUM COLLEE A UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：处理粘结到基材上的锗层
公开(公告)号：WO2007045759A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/FR2006/002332
申请日：2006-10-17
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ALLIBERT, Frédéric , DEGUET, Chrystel , RICHTARCH, Claire
发明人： ALLIBERT, Frédéric , DEGUET, Chrystel , RICHTARCH, Claire
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure comprenant une couche mince de Ge sur un substrat, ladite couche ayant été préalablement collée au substrat, le procédé comprenant un traitement pour améliorer les propriétés électriques de la couche et/ou de l'interface de la couche de Ge avec la couche sous-jacente, caractérisé en ce que ledit traitement est un traitement thermique mis en œuvre à une température comprise entre 5000C et 6000C pendant au maximum 3 heures. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'une structure comprenant une couche de Ge, le procédé comprenant un collage entre un substrat donneur comportant au moins dans sa partie supérieure une couche mince de Ge et un substrat récepteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) collage du substrat donneur au substrat récepteur de sorte que la couche de Ge se trouve au voisinage de l'interface de collage ; (b) retrait de la partie du substrat donneur ne comprenant pas la couche de Ge ; (c) traitement de la structure comprenant le substrat récepteur et la couche de Ge conformément audit procédé de traitement.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理在衬底上包括薄Ge层的结构的方法，所述层已经预先结合到衬底上，该方法包括用于改善Ge层和/或Ge界面的电性能的处理层与底层。本发明的特征在于，所述处理是在500℃至600℃之间的温度下实施最多3小时的热处理。本发明还涉及一种用于制造包括Ge层的结构的方法，所述方法包括将包括至少在其上部的薄Ge层和接收衬底的施主衬底结合，其特征在于，其包括以下步骤：（a）将施主衬底接合到接收器衬底，使得Ge层位于接合界面附近; （b）消除不包括Ge层的供体衬底的一部分; （c）根据处理方法处理包括接收器基板和Ge层的结构。

7. 发明申请

WO2010049654A1 PROCEDE D'ELABORATION D'UN SUBSTRAT HYBRIDE AYANT UNE COUCHE CONTINUE ELECTRIQUEMENT ISOLANTE ENTERREE 审中-公开
标题翻译：用嵌入式电绝缘连续层生产混合基板的方法
公开(公告)号：WO2010049654A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/FR2009/052091
申请日：2009-10-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： Un procédé d'élaboration d'un substrat hybride comporte les étapes suivantes : on prépare un premier substrat (10) comportant une couche mixte qui est longée par une couche sous-jacente continue électriquement isolante (11) et qui est formée de premières zones monocristallines (12A) et de secondes zones adjacentes (12B) en un matériau sous forme amorphe, ces secondes zones formant au moins une partie de la surface libre de ce premier substrat; on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire hydrophobe sur au moins ces zones amorphes, un second substrat (20) comportant en surface une couche de référence ayant une orientation cristallographique donnée; on provoque la recristallisation en phase solide d'au moins une partie des zones amorphes suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence, et on sépare les deux substrats à l'interface de collage.
摘要翻译：本发明涉及一种制备混合基片的方法，包括以下步骤： - 制备第一基片（10），其包括由下面的电绝缘连续层（11）延伸并由第一单晶区域（12A）和第二相邻区域（12B），所述第二区域构成所述第一基板的自由表面的至少一部分; 在其表面上包含具有预定晶体取向的参考层的第二基板（20）至少通过疏水分子键结合到所述第一基板到所述非晶区域; 根据参考层的结晶取向进行至少部分非晶区域至固相的再结晶，并且在键合界面分离两个基板。

8. 发明申请

WO2007020351A1 PROCÉDÉ DE REPORT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUPPORT 审中-公开
标题翻译：将薄膜转移到支持上的方法
公开(公告)号：WO2007020351A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/FR2006/001945
申请日：2006-08-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DECHAMP, Jérôme
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10T156/1052 , Y10T156/109
摘要： Un procédé de report d'une couche mince sur un premier support (18), comprend les étapes suivantes : - fourniture d'une structure comportant une couche (3) dont une partie au moins est issue d'un substrat massif d'un premier matériau et solidaire d'un second support (6, 10) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui du premier matériau et proche de celui du premier support ; - formation dans la couche (3) d'une zone fragilisée enterrée (14) délimitant la couche mince à reporter ; - collage de la couche (3) solidaire du second support (6, 10) sur le premier support (18) ; - fracture de la couche (3) au niveau de la zone fragilisée (14).
摘要翻译：本发明涉及一种将薄膜转移到第一支撑件（18）上的方法，包括以下步骤：提供包括膜（3）的结构，其中至少一个部分来自第一材料的固体基底并且其牢固地连接到具有与第一材料不同的热膨胀系数并且接近于第一支撑件的热膨胀系数的第二支撑件（6,10），在膜（3）内形成脆化区域（14）限定要转印的薄膜，将固定在第二支撑体（6,10）上的薄膜（3）固定到第一支撑件（18）上，并且在脆化区域（14）处打破薄膜（3）。

9. 发明申请

WO2010049657A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DANS LE DOMAINE MICRO-ELECTRONIQUE 审中-公开
标题翻译：在微电子领域形成单晶膜的方法
公开(公告)号：WO2010049657A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/FR2009/052096
申请日：2009-10-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , SIGNAMARCHEIX, Thomas , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
发明人： FOURNEL, Franck , SIGNAMARCHEIX, Thomas , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02524 , H01L21/02538 , H01L21/02603 , H01L21/02667
摘要： Un procédé de formation d'une couche mince en un matériau donné comporte les étapes suivantes : on prépare un premier substrat 10 comportant, en surface, une couche amorphe et/ou polycristalline 12 dudit matériau donné; on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire hydrophobe, un second substrat 20 comportant en surface une couche monocristalline de référence 21, ayant une orientation cristallographique donnée; on applique au moins à la couche amorphe et/ou polycristalline un traitement thermique adapté à provoquer la recristallisation en phase solide d'au moins une partie de cette couche amorphe et/ou polycristalline 12 suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence 22, cette couche de référence agissant en tant que germe de recristallisation; et on sépare la couche au moins en partie recristallisée vis-à-vis d'au moins une partie de la couche de référence.
摘要翻译：用于形成给定材料的薄膜的方法包括以下步骤：制备表面上具有所述给定材料的无定形和/或多晶薄膜12的第一基底10; 通过疏水性直接键合（分子粘合）将第二基板20接合到该第一基板，所述第二基板在其表面具有给定结晶取向的单晶参考膜21; 至少对非晶和/或多晶膜施加热处理，所述热处理设计成使得该非晶和/或多晶膜12的至少一部分沿着参考膜的结晶取向进行固相重结晶 21，该参比膜作为再结晶种子; 并且至少部分重结晶的膜与参考膜的至少一部分分离。

10. 发明申请

WO2010015470A1 METHOD OF MAKING MULTIPLE IMPLANTATIONS IN A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基板上制作多个植入物的方法
公开(公告)号：WO2010015470A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/EP2009/058557
申请日：2009-07-07
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , DEGUET, Chrystel , MAZEN, Frédéric
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , DEGUET, Chrystel , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of implanting atoms and/or ions into a substrate, comprising: a) a first implantation of ions or atoms at a first depth in the substrate, in order to form a first implantation plane, b) at least one second implantation of ions or atoms at a second depth in the substrate, which is different from the first depth, in order to form at least one second implantation plane.
摘要翻译：本发明涉及将原子和/或离子注入衬底的方法，包括：a）在衬底中的第一深度处首先注入离子或原子，以形成第一注入平面，b）至少一个在与第一深度不同的衬底中的第二深度处第二次注入离子或原子，以便形成至少一个第二注入平面。

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