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1. 发明申请

WO2009136100A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE PAR ÉCHANGE PROTONIQUE 审中-公开
标题翻译：通过PROTON EXCHANGE传输薄层的方法
公开(公告)号：WO2009136100A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/FR2009/050647
申请日：2009-04-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TAUZIN, Aurélie , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： TAUZIN, Aurélie , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： C30B31/04 , C30B33/02
CPC分类号： C30B31/04 , C30B33/02 , H01L21/76254
摘要： Procédé de transfert d'une couche mince depuis un substrat de départ à base de lithium, comportant: une étape d'échange protonique entre ce substrat et un premier électrolyte qui est acide, au travers d'une face libre de ce substrat en sorte de remplacer des ions lithium du substrat par des protons, dans une proportion comprise entre 10% et 80°, sur une profondeur e1 , une étape d'échange protonique inverse entre ce substrat et un second électrolyte, au travers ce cette face libre, en sorte de remplacer, sur une seconde profondeur e2 inférieure à la première profondeur e1 , au moins la quasi-totalité des protons par des ions lithium, en sorte de laisser subsister une couche intermédiaire entre les profondeurs e1 et e2 , dans laquelle subsistent des protons incorporés lors de l'étape d'échange protonique, la profondeur e2 définissant une couche mince entre ladite face libre et la couche intermédiaire, une étape de traitement thermique effectuée dans des conditions propres à fragiliser la couche intermédiaire, et une étape de séparation propre à provoquer la séparation de la couche mince vis-à-vis du reste du substrat au niveau de la couche intermédiaire.
摘要翻译：从锂基起始衬底转移薄层的方法，包括：通过该衬底的自由面在该衬底和作为酸的第一电解质之间进行质子交换以便取代衬底的锂离子的步骤通过质子在10％和80％之间的比例在深度e1上; 通过该自由面，在该衬底和第二电解质之间进行反向质子交换的步骤，以便在小于第一深度e1的至少几乎所有的具有锂离子的所有质子的第二深度e2上替换，以便离开深度e1和e2之间的中间层，其中留下质子交换步骤期间并入的中间层质子，深度e2在所述自由面和中间层之间限定薄层; 在适于脆化中间层的条件下进行热处理步骤; 以及适于使薄膜在中间层与基板的其余部分分离的分离步骤。

2. 发明申请

WO2012004250A1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：压电材料的方法
公开(公告)号：WO2012004250A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061290
申请日：2011-07-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC , DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant: a)la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique(20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b)une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c)un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造压电材料结构的方法，包括：a）在由压电材料制成的衬底（20）上制造包括至少一个金属层（22）和至少一个导电层（26）的叠层体，至少一个电触头（31）在所述导体层（26）和所述叠层之外的金属元件（29）之间建立; b）通过至少所述导电层（20）和所述金属层（22）注入离子和/或原子; c）将所述衬底转移到转移衬底（30）上，然后在所述弱化区域（27）中压碎所述转移的压电衬底。

3. 发明申请

WO2009124886A1 PROCEDE DE TRANSFERT A L'AIDE D'UN SUBSTRAT FERROELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：使用微电子基板的传输方法
公开(公告)号：WO2009124886A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/EP2009/054007
申请日：2009-04-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MOULET, Jean-Sébastien , DI CIOCCIO, Léa , MIGETTE, Marion
发明人： MOULET, Jean-Sébastien , DI CIOCCIO, Léa , MIGETTE, Marion
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/187 , Y10S414/135 , Y10S414/141
摘要： L' invention concerne un procédé de réalisation d'un transfert d'un ou plusieurs premiers composants (8, 10) ou d'une première couche sur un deuxième substrat (20) comportant les étapes suivantes : a) l'application et le maintien, par effet électrostatique, desdits un ou plusieurs premiers composants ou de ladite première couche, sur un premier substrat (2), en un matériau ferroélectrique, électriquement chargé, b) une mise en contact direct, ou par adhérence moléculaire, et un report de ces composants ou de cette couche sur un deuxième substrat (20), c) un démontage du premier substrat, laissant au moins une partie desdits composants (8, 10) ou de ladite couche (18) sur le deuxième substrat (20).
摘要翻译：本发明涉及一种用于将一个或多个第一组分（8,10）或第一层转移到第二衬底（20）上的方法，其包括以下步骤：a）通过静电效应施加和保留所述一个或更多的第一部件或所述第一层在由带电的铁电材料制成的第一基板（2）上; b）直接接触，即通过分子粘附（晶片结合）和将这些组分或该层转移到第二衬底（20）上; 和c）去除所述第一衬底，将所述组件（8,10）或所述层（18）的至少一部分留在所述第二衬底（20）上。

4. 发明申请

WO2009087290A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICRO-ÉLECTRONIQUE IMPLIQUANT UN COLLAGE MOLÉCULAIRE 审中-公开
标题翻译：涉及分子结合的微电子结构的方法
公开(公告)号：WO2009087290A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/FR2008/001427
申请日：2008-10-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
发明人： RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/76254
摘要： Procédé de fabrication d'une structure micro-électronique comportant : la préparation d'une première structure (1 ) présentant en surface un premier matériau différent du silicium, la formation à la surface de cette première structure, par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS), d'au moins une couche de revêtement (3) d'épaisseur inférieure à un micron en un second matériau, cette couche ayant une surface libre, le collage moléculaire de cette surface libre à une face d'une seconde structure (4), la couche de revêtement constituant, pour les première et seconde structures, une couche de collage.
摘要翻译：制造微电子结构的方法包括：制备具有与硅不同的第一材料表面的第一结构（1）; 该第一结构的表面上通过IBS（离子束溅射）形成由第二材料制成的厚度小于1微米的至少一个覆盖层（3），该层具有自由表面; 以及该自由表面与第二结构（4）的一个表面的分子键合，所述覆盖层构成第一和第二结构的接合层。

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