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    • 2. 发明申请
    • 초음파 트랜스듀서 및 그 제작방법
    • 超声波传感器及其制造方法
    • WO2014133211A1
    • 2014-09-04
    • PCT/KR2013/001672
    • 2013-02-28
    • 알피니언메디칼시스템 주식회사
    • 김종길이수성
    • H04R17/00A61B8/00G01N29/24
    • B06B1/0644A61B8/4483B06B1/0207B06B1/0622B06B2201/76G01N29/2437H01L41/0475H01L41/29H01L41/313
    • 본 발명에 따른 초음파 트랜스듀서의 일 실시예는, 외부로부터 제공받는 전력을 이용하여 초음파를 발생시키는 압전층; 상기 압전층의 일면에 부착되는 접지전극; 상기 압전층의 타면에 부착되는 신호전극; 및 상기 접지전극 및 상기 신호전극과 연결되는 회로기판을 포함하고, 상기 접지전극 및 상기 신호전극은 일부가 상기 회로기판에 직접 연결되고 유연한 재질로 형성되며, 상기 회로기판은 휘어지지 않는 견고한 재질로 형성되는 것일 수 있다. 이때, 상기 회로기판은, 상기 접지전극 및 상기 신호전극 양 측부에 각각 구비되는 것일 수 있다. 이에 의하면, 접지전극 또는 신호전극이 회로기판에 직접 연결되는 구조를 제공하여, 소켓 연결구조를 가진 초음파 트랜스듀서가 가지는 제작비용증가, 소켓부피의 증가와 소켓 설계의 어려움, 소켓 접촉불량의 발생 문제 등을 개선할 수 있는 효과가 있다.
    • 根据本发明的一个实施例,超声波换能器包括:用于通过使用从外部提供的电力产生超声波的压电层; 接地电极粘附在压电层的一个表面上; 信号电极粘附到压电层的另一个表面; 以及与接地电极和信号电极连接的电路板,其中接地电极和信号电极的一部分直接连接到电路板并由柔性材料制成,并且电路板由刚性材料制成, 是无法忍受的 在这种情况下,电路板可以分别设置在接地电极和信号电极的两侧。 因此,提供了用于将接地电极或信号电极直接连接到电路板的结构,使得具有插座连接结构的超声波换能器可以解决制造成本增加的问题,插座的体积增加 ,插座设计困难,插座接触故障等。
    • 5. 发明申请
    • 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
    • 压电元件的制造方法及压电元件的制造方法
    • WO2012128268A1
    • 2012-09-27
    • PCT/JP2012/057119
    • 2012-03-21
    • 株式会社村田製作所伊藤是清岩本敬
    • 伊藤是清岩本敬
    • H03H9/25H01L41/08H01L41/09H01L41/113H01L41/18H01L41/22H03H3/08H03H9/145
    • H01L41/29H01L41/04H01L41/0477H01L41/1873H01L41/297H01L41/313H01L2224/11H03H3/08H03H9/02574H03H9/02929H03H9/14538
    •  圧電薄膜上に形成する電極の耐電力性を向上させるとともに、エッチング液の濃度やエッチング時間を大幅に低減させることができる圧電デバイス、及び該圧電デバイスの製造方法を提供する。 圧電薄膜(20)の+Z軸側の+C面(22)と圧電薄膜(20)の-Z軸側の-C面(12)とのうち、圧電薄膜(20)の-Z軸側の-C面(12)をエッチングする。これにより、エピタキシャル成長可能な圧電薄膜(20)の-Z面(21)を露出させる。そして、Tiを、その結晶成長面が圧電薄膜(20)の-Z面(21)と平行になるよう圧電薄膜(20)の-Z面(21)に-Z軸方向へエピタキシャル成長させる。次に、Alを、その結晶成長面が圧電薄膜(20)の-Z面(21)と平行になるようTi電極(65)の表面に-Z軸方向へエピタキシャル成長させる。
    • 为了提高形成在压电膜上的电极的功率耐久性,提供了能够大大降低蚀刻溶液的浓度和蚀刻时间的压电器件的压电器件和制造方法。 在压电膜(20)的+ Z轴侧的+ C平面(22)和压电膜(20)的-Z轴侧的-C平面(12)之间, 蚀刻压电膜(20)的-Z轴侧的-C面(12)。 结果,暴露了可以外延生长的压电膜(20)的-Z平面(21)。 然后,在压电膜(20)的-Z-面(21)上沿-Z轴方向外延生长Ti,使其晶体生长面平行于-Z-面(21) 压电膜(20)。 接着,在Ti电极(65)的表面向-Z轴方向外延生长Al,使其结晶生长面平行于压电膜(20)的-Z-面(21) 。
    • 6. 发明申请
    • 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
    • 压电元件及制造压电元件的方法
    • WO2011065317A1
    • 2011-06-03
    • PCT/JP2010/070765
    • 2010-11-22
    • 株式会社村田製作所伊藤是清
    • 伊藤是清
    • H03H9/145H03H3/02H03H3/08H03H9/17
    • H01L41/053H01L41/18H01L41/313H03H3/02H03H3/08H03H9/02007H03H9/02574H03H9/05H03H2003/021Y10T29/42Y10T29/49126Y10T156/1153
    •  圧電薄膜と支持体の間に接合のための中間層を設けても、共振特性が劣化することがない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。 水素イオンを注入して圧電単結晶基板(1)内にイオン注入部分を形成後に、圧電単結晶基板(1)の裏面(12)に金属製の中間層(32)を形成する。そして、この中間層(32)を介して圧電単結晶基板(1)と支持体(30)を接合する。イオン注入部分が形成された複合圧電体(2)、または圧電単結晶基板(1)を加熱分離した複合圧電基板(3)を450℃乃至700℃で加熱して、中間層の金属を酸化させて導電性を低下させる。これにより、金属の中間層を形成することで、圧電基板と支持体を確実に密着させることができ、また、中間層の金属を酸化させるので、中間層の導電性を低下させることができ、共振特性の良い圧電デバイスを提供できる。
    • 公开了即使在压电薄膜和支撑体之间设置用于接合的中间层的情况下,谐振特性也不会劣化的压电器件。 还公开了一种制造压电器件的方法。 具体地说,在压电单晶衬底(1)中通过注入氢离子形成离子注入区域之后,在压电单晶衬底(1)的背面(12)上形成金属中间层(32)。 然后将压电单晶基板(1)和支撑体(30)接合在一起,同时中间层(32)插入其间。 通过将压电单晶衬底(1)加热分离而获得的具有离子注入区域的复合压电体(2)或复合压电基板(3)被加热到450-700℃ ,使得中间层中的金属被氧化,从而降低导电性。 因此,通过形成金属中间层,可以将压电基板和支撑体可靠地结合在一起。 此外,由于金属中间层被氧化,所以可以降低中间层的导电性,从而提供具有良好谐振特性的压电元件。