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热词
    • 1. 发明申请
    • 발광 다이오드
    • 发光二极管
    • WO2016195286A1
    • 2016-12-08
    • PCT/KR2016/005236
    • 2016-05-18
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 김매이이섬근윤여진이진웅류용우
    • H01L33/36H01L33/14
    • H05B33/0803H01L33/14H01L33/36
    • 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들을 포함하되, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 복수의 메사들 사이에 노출된 노출 영역을 포함하는 발광 구조체, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제1 전극, 상기 복수의 메사들의 일부분 및 상기 노출 영역의 일부분 상에 위치하는 전류차단층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 전류차단층을 부분적으로 덮으며, 상기 복수의 메사들의 일부분 및 상기 노출 영역의 일부분 상에 위치하는 투명전극층, 및 상기 전류차단층 및 상기 투명전극층 상에 위치하고, 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제2 전극을 포함하며, 상기 전류차단층은, 상기 복수의 메사들 중 일 메사로부터 상기 일 메사에 인접하는 또 다른 메사로 연장되는 적어도 하나의 연결부, 및 상기 연결부로부터 돌출되며 상기 노출 영역 상에 위치하는 돌출부를 포함할 수 있다.
    • 根据一个实施例的发光二极管包括多个台面,其包括第一导电半导体层,有源层和第二导电半导体层,其中第一导电半导体层包括:发光结构,其包括曝光 在多个台面之间暴露的区域; 与第一导电半导体层电连接的第一电极; 电流中断层,位于所述多个台面的一部分和所述曝光区域的一部分之间; 透明电极层,其部分地覆盖所述第二导电半导体层和所述电流中断层,并且位于所述多个台面的一部分和所述曝光区域的一部分之间; 以及第二电极,其位于所述电流中断层和所述透明电极层上,并且与所述第二导电半导体层电连接,其中所述电流中断层可以包括突出部分和至少一个连接部分,所述至少一个连接 从所述多个台面中的一个台面延伸到与所述一个台面相邻的另一台面的部分,以及从所述连接部突出并且位于所述曝光区域上的所述突出部。
    • 2. 发明申请
    • 복수의 발광요소를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
    • 具有多种发光元件的发光二极管及其制造方法
    • WO2014129688A1
    • 2014-08-28
    • PCT/KR2013/001495
    • 2013-02-25
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 김예슬김경완윤여진
    • H01L33/36H01L33/62
    • H01L27/15H01L27/153H01L33/005H01L33/0095H01L33/20H01L33/38H01L33/44H01L33/62
    • 복수의 발광요소를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 기판상에 배열된 복수의 발광 요소들과, 인접한 발광 요소들을 서로 분리시키는 분리 홈과, 분리 홈의 적어도 일부를 채우는 절연물질과, 인접한 두개의 발광 요소들을 전기적으로 연결하는 배선과, 이 배선을 발광 요소의 측면으로부터 절연시키는 절연층을 포함한다. 각 발광 요소는 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하며, 제1 도전형 반도체층은 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 제거하여 노출된 상부면을 갖고, 이 상부면은 분리홈에 인접하며, 배선은 상기 절연물질 상부에 위치한다. 분리홈을 절연물질로 채움으로써 배선 단선을 방지할 수 있으며 발광 면적을 증대시킬 수 있다.
    • 公开了具有多个发光元件的发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括:布置在基板上的多个发光元件; 用于分离相邻的发光元件的分离槽; 用于填充至少一部分分离物的绝缘材料; 用于电连接两个相邻的发光元件的电线; 以及用于使电线与发光元件的侧面绝缘的绝缘层。 每个发光元件包括第一导电类型半导体层,激活层和第二导电类型半导体层,其中第一导电类型半导体层具有通过去除第二导电类型半导体层获得的暴露的上表面, 活化层,暴露的上表面邻近分离槽,并且电线位于绝缘材料的顶部。 隔离槽填充有绝缘材料,以防止电线的切断和增加发光面积。
    • 3. 发明申请
    • ZnO 투명 전극을 포함하는 발광 소자
    • 发光二极管,包括ZNO透明电极
    • WO2017010701A1
    • 2017-01-19
    • PCT/KR2016/006857
    • 2016-06-27
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 신찬섭양명학윤여진이섬근
    • H01L33/42H01L33/22H01L33/20H01L33/38
    • H01L33/42H01L33/20H01L33/22H01L33/38
    • 발광 소자가 개시된다. 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 활성층과 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 메사 상에 위치하는 ZnO 투명 전극; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극; 및 적어도 일부가 ZnO 투명 전극 상에 위치하며, 제2 전극 패드 및 제2 전극 패드로부터 연장되는 하나 이상의 제2 전극 연장부를 포함하는 제2 전극을 포함하고, 제2 전극 연장부는 ZnO 투명 전극과 접촉하고, ZnO 투명 전극은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 ZnO 투명 전극 상면의 상부로 돌출되며, 소정의 패턴으로 배치된 복수의 돌출부들을 포함하며, 복수의 돌출부들의 높이에 대응하는 부분의 두께는 제2 영역의 두께보다 크고, 복수의 돌출부들간의 이격 거리는 제2 전극 연장부로부터 제2 전극 연장부에 인접하는 일 돌출부까지의 수평 방향 최단 거리보다 작다.
    • 公开了一种发光二极管。 发光二极管包括:第一导电半导体层; 设置在所述第一导电半导体层上并且包括有源层和设置在所述有源层上的第二导电半导体层的MESA; 设置在MESA上的ZnO透明电极; 设置在所述第一导电半导体层上的第一电极; 以及第二电极,其至少一部分设置在所述ZnO透明电极上,并且包括第二电极焊盘和从所述第二电极焊盘延伸的至少一个第二电极延伸部分。 第二电极延伸部分接触ZnO透明电极。 ZnO透明电极包括第一区域和第二区域。 第一区域从ZnO透明电极的顶表面向上突出,包括以预定图案布置的多个突出部分,其对应于多个突出部分的高度的部分的厚度大于 并且所述多个突出部之间的距离小于从所述第二电极延伸部到与所述第二电极延伸部相邻的一个突出部的水平方向的最短距离。
    • 4. 发明申请
    • 발광 소자 및 이의 제조 방법
    • 发光二极管及其制造方法
    • WO2016032193A1
    • 2016-03-03
    • PCT/KR2015/008840
    • 2015-08-24
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 이소라윤여진
    • H01L33/14H01L33/36H01L33/10
    • H01L33/10H01L33/14H01L33/36
    • 발광 소자는, 기판 상에 형성된 n형 반도체층; n형 반도체층의 일부에 형성된 p형 반도체층; n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 형성되어 전자와 정공의 재결합을 통해 광을 생성하는 활성층; p형 반도체층 상에 형성되고, 금속이 도핑된 ITO(Indium Tin Oxide)층을 포함하는 오믹컨택층; 오믹컨택층 상에 오믹컨택층과 상이한 두께로 형성되고, 도핑되지 않은 ITO층을 포함하는 투명 전도체층; 및 투명 전도체층 상에 형성되고, 산화물층을 포함하는 반사층을 포함한다. 이에 따라, 오믹컨택층의 신뢰도 및 전기전도도를 향상시켜 우수한 전류-전압 특성을 나타낼 뿐만 아니라 산화물을 이용한 반사층을 이용하여 발광 효율을 높인 발광 소자를 제공할 수 있다.
    • 发光二极管包括:形成在衬底上的n型半导体层; 形成在n型半导体层的一部分上的p型半导体层; 形成在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层,用于通过电子和空穴的复合产生光; 欧姆接触层,其形成在p型半导体层上并且包含掺杂有金属的氧化铟锡(ITO)层; 形成在欧姆接触层上的透明导电层,以便具有与欧姆接触层不同的厚度并且包括非掺杂ITO层; 以及形成在透明导电层上并包含氧化物层的反射层。 结果,可以提供通过提高欧姆层的可靠性和导电性以及通过使用使用氧化物的反射层来提高发光效率而具有优异的电流 - 电压特性的发光二极管。
    • 6. 发明申请
    • 발광 다이오드
    • 发光二极管
    • WO2016159544A1
    • 2016-10-06
    • PCT/KR2016/002631
    • 2016-03-17
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 김매이이진웅윤여진이섬근류용우
    • H01L33/36H01L33/38H01L33/62
    • H01L33/36H01L33/38H01L33/62H01L2224/48137H01L2224/48247H01L2224/48257
    • 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 일 방향으로 기다란 직사각형 형상을 가지는 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 개구부를 가지는 발광구조체; 상기 개구부 내에서 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 기판의 제1 모서리에 더 가깝게 배치된 제1 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되고, 상기 제1 모서리와 대향된 상기 기판의 제2 모서리에 상대적으로 가깝게 배치된 제2 전극 패드; 상기 제1 전극 패드에서 연장하는 제1 연장부; 및 상기 제2 전극 패드에서 상기 제1 연장부의 양측으로 연장하는 제2 연장부 및 제3 연장부를 포함하며, 상기 제2 연장부의 단부와 제3 연장부의 단부를 잇는 가상의 선이 상기 제1 전극 패드와 상기 제1 모서리 사이에 위치한다.
    • 根据本发明实施例的发光二极管包括:在其一个方向上具有细长矩形形状的基板; 位于所述基板上并具有用于通过第二导电半导体层和有源层暴露第一导电半导体层的开口的发光结构; 第一电极焊盘,其设置在所述开口内的所述第一导电类型半导体层上并且被设置为更靠近所述衬底的第一角部; 第二电极焊盘,其设置在所述第二导电半导体层上并且被设置为相对靠近所述衬底的与所述第一拐角相对的第二角部; 从所述第一电极焊盘延伸的第一延伸部分; 以及从所述第二电极焊盘延伸到所述第一延伸部分的任一侧的第二延伸部分和第三延伸部分,其中连接所述第二延伸部分的端部和所述第三延伸部分的端部的假想线路位于所述第一延伸部分之间, 电极垫和第一个角。
    • 9. 发明申请
    • 고효율 발광 장치
    • 高效发光装置
    • WO2016068533A2
    • 2016-05-06
    • PCT/KR2015/010977
    • 2015-10-16
    • 서울바이오시스 주식회사
    • 윤여진이정훈
    • H01L33/62H01L33/36
    • H01L33/62H01L33/32H01L33/36H01L33/38
    • 본 발명의 고효율 발광 장치는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 질화물계 반도체 적층, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 제1 전극 및 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극과 각각 접속하는 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극, 제1 패드 전극 및 제2 패드 전극과 각각 접속하는 제1 접속 패드 및 제2 접속 패드를 포함하는 기판, 및 패드 전극과 접속 패드 사이에 위치하는 솔더를 포함하고, 패드 전극은 접속 패드에 대향하여 배치되고, 서로 대향하는 제1 패드 전극 및 제1 접속 패드 중 적어도 하나 또는 서로 대향하는 제2 패드 전극 및 제2 접속 패드 중 적어도 하나는 서로 대향하는 면에 형성된 적어도 하나의 홈부를 포함하며, 솔더의 적어도 일부는 홈부 내에 배치될 수 있다.
    • 本发明的高效率发光元件包括:含有第一导电型半导体层,有源层和第二导电型半导体层的氮化物系半导体层叠层, 每个与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层连接的第一电极和第二电极的基板,分别与第一电极和第二电极连接的第一焊盘电极和第二焊盘电极,以及 每个与所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘; 以及位于所述焊盘电极和所述连接焊盘之间的焊料,其中所述焊盘电极被设置为面对所述连接焊盘,所述第一焊盘电极和所述第一连接焊盘中的至少一个彼此面对,或者所述焊接电极中的至少一个 第二焊盘电极和彼此面对的第二连接焊盘包括在其表面上形成的面对另一个的至少一个槽部,并且焊料的至少一部分可以设置在槽部中。