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1. 发明申请

WO2015163666A1 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2015163666A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/KR2015/003959
申请日：2015-04-21
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 임형진 , 신찬섭 , 이규호 , 김태균 , 태성원
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
摘要： 본 발명은 산화아연을 포함하는 복수 개의 돌기들을 포함하는 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판: 기판 상에 배치된 질화물 발광구조체; 질화물 발광 구조체 상에 배치된 투명 전극층을 포함하고, 투명 전극층은 복수 개의 돌기들을 포함하되, 복수 개의 돌기들 각각은 하부 영역과 상부 영역을 가지되, 하부 영역의 측면과 상부 영역의 측면은 서로 다른 기울기를 가진다.
摘要翻译：本发明涉及包括多个包括氧化锌的突起的发光二极管及其制造方法。根据本发明的发光二极管包括：基板; 设置在所述基板上的氮化物发光结构体; 以及布置在所述氮化物发光结构上的透明电极层，其中所述透明电极层包括多个突起，所述多个突起中的每一个具有下部区域和上部区域，并且所述下部区域和所述侧部的侧面上部区域的表面具有不同的斜率。

2. 发明申请

WO2017010701A1 ZnO 투명 전극을 포함하는 발광 소자 审中-公开
标题翻译：发光二极管，包括ZNO透明电极
公开(公告)号：WO2017010701A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/KR2016/006857
申请日：2016-06-27
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 신찬섭 , 양명학 , 윤여진 , 이섬근
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38
摘要： 발광 소자가 개시된다. 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 활성층과 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 메사 상에 위치하는 ZnO 투명 전극; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극; 및 적어도 일부가 ZnO 투명 전극 상에 위치하며, 제2 전극 패드 및 제2 전극 패드로부터 연장되는 하나 이상의 제2 전극 연장부를 포함하는 제2 전극을 포함하고, 제2 전극 연장부는 ZnO 투명 전극과 접촉하고, ZnO 투명 전극은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 ZnO 투명 전극 상면의 상부로 돌출되며, 소정의 패턴으로 배치된 복수의 돌출부들을 포함하며, 복수의 돌출부들의 높이에 대응하는 부분의 두께는 제2 영역의 두께보다 크고, 복수의 돌출부들간의 이격 거리는 제2 전극 연장부로부터 제2 전극 연장부에 인접하는 일 돌출부까지의 수평 방향 최단 거리보다 작다.
摘要翻译：公开了一种发光二极管。发光二极管包括：第一导电半导体层; 设置在所述第一导电半导体层上并且包括有源层和设置在所述有源层上的第二导电半导体层的MESA; 设置在MESA上的ZnO透明电极; 设置在所述第一导电半导体层上的第一电极; 以及第二电极，其至少一部分设置在所述ZnO透明电极上，并且包括第二电极焊盘和从所述第二电极焊盘延伸的至少一个第二电极延伸部分。第二电极延伸部分接触ZnO透明电极。 ZnO透明电极包括第一区域和第二区域。第一区域从ZnO透明电极的顶表面向上突出，包括以预定图案布置的多个突出部分，其对应于多个突出部分的高度的部分的厚度大于并且所述多个突出部之间的距离小于从所述第二电极延伸部到与所述第二电极延伸部相邻的一个突出部的水平方向的最短距离。

3. 发明申请

WO2020091507A1 발광 소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2020091507A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/KR2019/014710
申请日：2019-11-01
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 장성규 , 신찬섭 , 이섬근 , 이호준 , 채종현
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/24 , H01L27/15
摘要： 발광 소자를 제공한다. 발광 소자는, 제1-1형 반도체층, 제1 활성층, 및 제1-2형 반도체층을 포함하는 제1 발광부, 제1 발광부 상에 배치되며, 제2-1형 반도체층, 제2 활성층, 및 제2-2형 반도체층을 포함하는 제2 발광부, 제2 발광부 상에 배치되며, 제3-1형 반도체층, 제3 활성층, 및 제3-2형 반도체층을 포함하는 제3 발광부, 제2 발광부의 내부에 배치되며 제1-1형, 제1-2형, 제2-1형, 제2-2형 반도체층들 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 제1 부분과, 제1 부분으로부터 제2 및 제3 발광부들 사이의 제2 발광부의 일 면으로 연장하는 제2 부분을 포함하는 제1 도전 패턴, 및 제3 발광부에 배치되며 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되는 제2 도전 패턴을 포함하되, 제2 도전 패턴은 제1 도전 패턴의 제2 부분과 적어도 일부 중첩되는 영역을 포함한다.

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