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    • 2. 发明申请
    • 1셀 4비트의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
    • 4位单细胞非易失性存储器件及其制造方法
    • WO2010131824A1
    • 2010-11-18
    • PCT/KR2009/006542
    • 2009-11-09
    • 고려대학교 산학 협력단김태근안호명
    • 김태근안호명
    • H01L27/115
    • H01L29/66825G11C11/5678G11C13/0004H01L21/28273H01L21/28282H01L27/11521H01L27/11568H01L27/24H01L29/66833H01L29/788H01L29/792H01L45/06H01L45/1233H01L45/144H01L45/1683
    • 본 발명은 돌출부가 형성된 기판에 비휘발성 메모리 소자를 구현한다. 본 발명은 돌출부 양측(소오스측 및 드레인측)에 전하 포획층을 형성하고, 소오스 및 드레인에, 전하를 전하 포획층에 프로그램하기 위한 전극(제 1 전극) 및 프로그램 상태를 판독하기 위한 전극(제 2 전극)을 설치한다. 또한, 제 2 전극에는 사전에 프로그램된 상태에 따라서 출력되는 전류량을 조절하는 전류 조절부를 설치한다. 본 발명은 전하 포획층에 전하가 프로그램된 상태에 따라서 OFF 전류 또는 ON 전류가 소오스측 또는 드레인측 제 2 전극, 보다 구체적으로는 제 2 전극에 설치된 전류 조절부로 유입된다. 또한, 전류 조절부는 상변화 물질로 구성된 상변화층들을 내부에 포함하여, 사전에 셋 펄스 및 리셋 펄스를 인가하여 상태를 프로그램할 수 있고, 프로그램된 상태에 따라서 유입되는 OFF 전류 및 ON 전류의 출력량을 조절할 수 있다. 따라서, 전류 조절부로부터 출력되는 전류량을 조사하여 프로그램 상태를 판독할 수 있다. 특히, 본 발명의 바람직한 실시예는 전류 조절부에 2개의 상변화층을 포함시켜 4레벨의 전류 출력이 가능하므로, 소오스측에 2비트의 프로그램이 가능하고, 드레인측에 2비트 프로그램이 가능하여, 하나의 소자 내에서 4비트의 프로그램이 가능한 효과가 있다.
    • 本发明涉及一种形成突起部的基板上的非易失性存储装置。 根据本发明,在突起部分的两侧(源极侧和漏极侧)形成电荷捕获层,以及用于对电荷捕获层中的电荷进行编程的电极(第一电极)和电极(第二电极 )读取编程状态安装在源和漏极上。 此外,在第二电极上安装用于控制根据先前编程状态输出的电流量的电流控制器。 关闭电流或导通电流被输入到源极侧或漏极侧的第二电极,更具体地,根据电荷捕获层中的编程电荷的状态被输入到安装在第二电极上的电流控制器。 此外,电流控制器包括由相变材料组成的相变层,由此通过预先施加设定脉冲和复位脉冲对该状态进行编程,并根据该情况控制输入的截止电流和导通电流的输出量 编程状态。 因此,可以通过检查从电流控制器输出的电流的量来读取编程状态。 特别地,在本发明的优选实施例中,可以通过在电流控制器中包括两个相变层来输出4电平电流,从而允许在源极上进行2位编程和在漏极侧进行2位编程。 因此,可以在一个设备内执行4位编程。
    • 5. 发明申请
    • 문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
    • 使用阈值电压切换材料的非易失性存储器件及其制造方法
    • WO2012138016A1
    • 2012-10-11
    • PCT/KR2011/006034
    • 2011-08-17
    • 고려대학교 산학협력단김태근안호명
    • 김태근안호명
    • H01L27/115H01L21/8247
    • G11C11/34G11C13/0002H01L29/42332H01L29/66825H01L29/66833H01L29/7881H01L29/792
    • 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다. 따라서, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링을 이용하지 않을뿐만 아니라, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 저저항 상태로 변환하여 프로그램을 수행한 후, 전하 포획층에 포획된 전하를 유지하기 위해서, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 다시 고저항 상태로 변환하기 위한 별도의 전압 펄스를 인가하지 않아도 되므로, 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비해서 신속한 프로그램이 가능하다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링 방식을 이용하지 않으므로, 전하 포획층과 기판 사이의 절연막을 두께를 충분히 두껍게 형성하여 10년 이상의 데이터 보유 특성을 확보할 수 있으므로, 기존의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비하여 신뢰성이 높다.
    • 非易失性存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其制造方法。 根据本发明,具有典型SONOS结构的非易失性存储器件的隔离绝缘层被阈值电压切换材料所替代,阈值电压切换材料仅在施加大于阈值电压的电压时变为低电阻状态,同时保持 在正常条件下具有高电阻状态,并且当施加的电压被去除时返回到高电阻状态。 本发明通过在向栅电极层施加大于阈值电压的电压脉冲之后,通过由阈值电压开关材料形成的绝缘层将电荷从栅电极层注入电荷陷阱层来执行程序。 因此,本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道,并且将阈值电压切换材料的电阻状态改变为低电阻状态以便运行程序。 此外,为了保持陷在电荷陷阱层中的电荷,不需要额外的电压脉冲,以将阈值电压切换材料的电阻状态再次转换为高电阻状态。 因此,与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比,快速编程是可能的。 此外,由于本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道法,所以可以通过在绝缘层和基片之间形成足够的厚度来获得最少10年的数据保持。 因此,与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比,可以进一步提高可靠性。
    • 7. 发明申请
    • 나노 패턴이 형성된 전하 포획층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
    • 包括纳米图案中的电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法
    • WO2011159001A1
    • 2011-12-22
    • PCT/KR2010/008324
    • 2010-11-24
    • 고려대학교 산학협력단김태근안호명
    • 김태근안호명
    • H01L21/8247H01L27/115
    • H01L27/11568H01L21/28282H01L29/66833
    • 본 발명은 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 종래 기술의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자가 점점 소형화됨에 따라서 전하 포획층에서 포획되는 전하의 양이 감소하고, 이로 인해서 메모리 소자의 프로그램 상태 및 프로그램 소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우 마진을 확보하기 어려운 문제점을 해소하기 위해서, 전하 포획층 중 주로 전하가 포획되는 영역인 전하 포획층과 블로킹 절연막의 접합면에 요철 패턴과 같은 나노 패턴을 형성하였다. 본 발명은 별도의 복잡한 공정의 추가없이, 기존의 SONOS 공정에서 나노 패턴을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 전하 포획층 중 전하가 포획되는 영역인 블로킹 절연막과의 계면을 확장하여, 단위 길이당 전하가 포획되는 영역을 증가시킬 수 있게 되었고, 이로 인해, 45nm 이하의 초소형 메모리 소자에서도 큰 메모리 윈도우 마진을 확보할 수 있게 됨으로써, 보다 신뢰성있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
    • 本发明涉及SONOS非易失性存储器件及其制造方法。 为了解决现有技术中较小的SONOS非易失性存储器件的问题,例如,电荷量的减少被俘获在电荷俘获层中,这导致难以确保用于识别程序条件的存储器窗口余量 存储器件和程序擦除条件,在电荷俘获层和阻挡绝缘膜之间的接合表面上形成诸如凹凸图案的纳米图案,其中电荷主要在电荷俘获层的其它区域中 被困。 本发明仅对常规SONOS工艺增加纳米图案形成工艺,而不涉及单独的附加复杂工艺,以扩大电荷捕获层和阻挡绝缘膜之间的界面,其对应于电荷 被俘获在电荷俘获层的其他区域中。 因此,可以增加每单位长度的电荷捕获面积,并且因此即使在不大于45nm的超小型存储器件中也能够确保足够大的存储窗边缘,从而提供具有较高的非易失性存储器件 可靠性。
    • 8. 发明申请
    • 반도체 발광소자 및 그 제조방법
    • 半导体发光元件及其生产方法
    • WO2011149163A1
    • 2011-12-01
    • PCT/KR2010/008326
    • 2010-11-24
    • 고려대학교 산학협력단김태근김동호
    • 김태근김동호
    • H01L33/36H01L33/38H01L33/42
    • H01L33/42H01L33/32H01L33/38H01L2933/0016H01L2933/0083
    • 본 발명은 질화물 기반 LED 소자의 광추출 효율을 향상시키고, 아울러 지향각 제어를 가능하게 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 질화물 반도체층 상에 경사면을 갖는 복수의 돌출부가 어레이 형태로 형성되고, 상기 복수의 돌출부가 각각 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 적층된 투명도전막으로 구성되며, 상기 복수의 투명도전막의 굴절률은 상기 질화물 반도체층의 굴절률과 공기층의 굴절률 사이에서 단계적으로 감소하는 값을 갖도록 형성한다. 따라서, 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 투명전극이 경사형 구조가 되어 광추출 효율을 극대화함과 아울러 칩의 표면에서 발생하는 스캐터링 효과를 방지하면서 광의 지향성을 최대한 광출력면으로 향하도록 하여 반도체 발광소자의 광출력 효율 및 전기/광학적 특성이 대폭 향상되는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 여타의 연구결과들에 비해 공정이 매우 간단하여 공정단가를 절감할 수 있고, 아울러 표면조화 공정이 필요하지 않기 때문에 공정이 단순해지고 반도체 발광소자가 손상되는 것을 방지할 수 있어 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
    • 本发明涉及提高氮化物类LED元件的光提取效率的半导体发光元件,并且还能够控制方向角,并且涉及其制造方法。 在本发明的半导体发光元件中,在氮化物半导体层上形成具有倾斜面的多个突出部,其中,所述多个突出部中的每一个包括多个彼此相互层叠的透明导电膜 不同的折射率,并且多个透明导电膜的折射率在氮化物半导体层的折射率与空气层的折射率之间的步骤减小。 因此,具有相互不同的折射率的多个透明电极具有倾斜结构以使得光提取效率最大化并且还防止在芯片表面发生的散射效应的同时具有有益效果 光的朝向朝向最大光输出表面,使得半导体发光元件的光输出效率和电/光特性得到显着改善。 此外,根据本发明的半导体发光元件制造方法具有有利的效果,因为与迄今为止的其它研究结果相比,处理非常简单,因此加工成本可以降低,并且也不需要表面 可以简化粗化工艺,因此加工,可以防止对半导体发光元件的损坏,能够提高半导体发光元件的可靠性。
    • 10. 发明申请
    • 율무 추출물을 포함하는 위암 치료용 조성물과 그 추출방법
    • 用于治疗胃癌的组合物及其提取方法
    • WO2018052171A1
    • 2018-03-22
    • PCT/KR2017/001589
    • 2017-02-14
    • 김태근
    • 김태근
    • A61K36/8994A23L33/105
    • 본 발명은 율무의 뿌리와 율무 열매로부터 위암의 예방 및 치료용 조성물과 그 제조방법에 대한 것으로, 율무의 뿌리와 율무 열매로부터 물 또는 알코올을 용매로 사용하여 위암의 예방 및 치료용 조성물을 추출하고, 더 나아가 건조된 율무의 열매 분쇄물 46~66중량%를 주성분으로 하고, 건조된 느릅나무의 껍질과 뿌리가 1:1 중량비로 혼합된 분쇄물 14~24중량%, 건조된 예덕나무의 껍질과 뿌리가 1:1 중량비로 혼합된 분쇄물 14~24중량% 및 건조된 창출뿌리 분쇄물 2.5~7중량% 구성된 배합물을 알코올로 추출한 것과 상기 배합물을 주정으로 발효시킨 후 알코올을 이용해 발효시켜 추출한 위암의 예방 및 치료용 조성물의 제공과 그 제조방법에 대한 것이다.
    • 本发明是从薏苡根和薏苡果在该组合物的预防和治疗用途的作为用于制备方法中,与来自薏苡的薏苡果为胃癌的水或醇溶剂中的根 提取用于预防和治疗组合物,并进一步干燥薏苡的果实粉碎46-66按重量主组分%,并且所述外壳和所述干燥榆树1的根:将粉碎的14-24重量掺合物重量比1 %,将干燥的粗糠和1根皮:按重量计发酵上述成分作为粉碎水14-24%,并且干燥生成根粉碎2.5〜7%(重量)由具有1的重量比混合的组合,并与醇为乙醇提取 本发明涉及通过使用乙醇发酵获得的用于预防和治疗胃癌的组合物及其制备方法。