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1. 发明申请

WO2011149163A1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2011149163A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/KR2010/008326
申请日：2010-11-24
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김동호
发明人： 김태근 , 김동호
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 본 발명은 질화물 기반 LED 소자의 광추출 효율을 향상시키고, 아울러 지향각 제어를 가능하게 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 질화물 반도체층 상에 경사면을 갖는 복수의 돌출부가 어레이 형태로 형성되고, 상기 복수의 돌출부가 각각 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 적층된 투명도전막으로 구성되며, 상기 복수의 투명도전막의 굴절률은 상기 질화물 반도체층의 굴절률과 공기층의 굴절률 사이에서 단계적으로 감소하는 값을 갖도록 형성한다. 따라서, 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 투명전극이 경사형 구조가 되어 광추출 효율을 극대화함과 아울러 칩의 표면에서 발생하는 스캐터링 효과를 방지하면서 광의 지향성을 최대한 광출력면으로 향하도록 하여 반도체 발광소자의 광출력 효율 및 전기/광학적 특성이 대폭 향상되는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 여타의 연구결과들에 비해 공정이 매우 간단하여 공정단가를 절감할 수 있고, 아울러 표면조화 공정이 필요하지 않기 때문에 공정이 단순해지고 반도체 발광소자가 손상되는 것을 방지할 수 있어 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及提高氮化物类LED元件的光提取效率的半导体发光元件，并且还能够控制方向角，并且涉及其制造方法。在本发明的半导体发光元件中，在氮化物半导体层上形成具有倾斜面的多个突出部，其中，所述多个突出部中的每一个包括多个彼此相互层叠的透明导电膜不同的折射率，并且多个透明导电膜的折射率在氮化物半导体层的折射率与空气层的折射率之间的步骤减小。因此，具有相互不同的折射率的多个透明电极具有倾斜结构以使得光提取效率最大化并且还防止在芯片表面发生的散射效应的同时具有有益效果光的朝向朝向最大光输出表面，使得半导体发光元件的光输出效率和电/光特性得到显着改善。此外，根据本发明的半导体发光元件制造方法具有有利的效果，因为与迄今为止的其它研究结果相比，处理非常简单，因此加工成本可以降低，并且也不需要表面可以简化粗化工艺，因此加工，可以防止对半导体发光元件的损坏，能够提高半导体发光元件的可靠性。

2. 发明申请

WO2013172511A1 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 장치 审中-公开
标题翻译：形成透明电极的方法和使用其制造的半导体器件
公开(公告)号：WO2013172511A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/KR2012/007254
申请日：2012-09-10
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/42 , H01L29/45 , H01L33/005 , H01L51/442 , H01L51/444 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 투명 전극이 형성된 반도체 장치를 공개한다. 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种形成透明电极的方法和通过使用其形成有透明电极的半导体器件。本发明能够：通过施加的电场将电阻状态从高电阻状态变为低电阻状态的透明材料形成透明电极; 透明电极通过进行向透明电极施加电压并将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态的形成步骤而具有导电性，从而在半导体层的下部或上部形成半导体层透明电极，并且形成透明电极，除了可见光区域之外，其在短波长UV区域中相对于光显示出良好的欧姆特性和高磁导率。

3. 发明申请

WO2012026704A2 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有光子晶体图案的半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012026704A2
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/KR2011/006033
申请日：2011-08-17
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명 , 심재인
发明人： 김태근 , 안호명 , 심재인
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： 본 발명은 2단계로 광결정 패턴이 형성된 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 반도체층 또는 투명 전극층에 형성된 제 1 광결정 패턴 내부에 제 2 광결정 패턴을 형성하여 광추출 효율을 향상시킨다. 또한, 본 발명은 제 1 광결정 패턴 내부에 나노 스케일의 미세한 제 2 광결정 패턴을 형성하기 위해서 폴리머 비드를 이용한 나노스피어 리소그라피 공정을 이용하였고, 폴리머 비드를 단일층으로 배치하기 위해서 열가소성 수지로 구현되는 트랩핑 레이어를 이용하여 간편하게 폴리머 비드를 단일층으로 형성함으로써, 종래의 나노스피어 리소그라피 공정시 폴리머 비드 사이즈에 따른 공정 변수를 일일이 계산하고 변경하는 불편함을 해소하였다.
摘要翻译：本发明公开了一种具有以两个步骤形成的光子晶体图案的半导体发光器件及其制造方法。本发明通过在形成于半导体层或透明电极层上的第一光子晶体图案中形成第二光子晶体图案来提高光提取效率。此外，本发明使用使用聚合物珠的纳米螺旋光刻工艺在第一光子晶体图案内形成纳米晶细第二光子晶体图案，通过包裹单层的层，并消除具有根据当聚合物珠尺寸改变时，常规纳米球光刻工艺，以计算所述处理参数的不便方便形成聚合物珠。

4. 发明申请

WO2014010779A1 투명 전극을 구비하는 발광소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有透明电极的发光元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2014010779A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/KR2012/007256
申请日：2012-09-10
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 김희동
发明人： 김태근 , 김희동
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
摘要： 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대해서 높은 광투과도를 나타내면서도 반도체층에 대해서 양호한 오믹 콘택 특성을 나타내는 투명 전극을 구비하는 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 자외선 영역의 빛에 대한 투과도가 높고, 물질에 고유한 임계전압을 초과하는 전압이 인가되면, 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트가 형성되어, 물질의 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 저항변화 물질로 발광소자의 투명 전극을 형성함으로써, 발광소자에서 발생하는 가시광선 영역의 빛뿐만 아니라 자외선 영역(특히, 340nm~280nm 파장 영역 및 280nm 이하의 파장 영역의 자외선)의 빛에 대해서도 높은 광투과율을 나타낼뿐만 아니라, 투명 전극의 전도도가 높아, 반도체층과 양호한 오믹 접촉 특성을 나타낸다. 또한, 본 발명은 투명 전극의 상부 또는 하부에 전도성 및 광투과도 특성이 우수한 CNT 또는 그래핀으로 구현되는 전류 확산층을 형성하여 투명 전극 내부에 형성된 전도성 필라멘트들을 상호 연결시킴으로써 투명 전극으로 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시켜 전류 집중 현상을 방지할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供：尽管相对于紫外线区域的光具有高的光透射率，但是发光元件具有相对于半导体层具有良好的欧姆接触特性的透明电极; 及其制造方法。本发明涉及形成相对于紫外线区域的光具有高透射率的导电细丝，并且当施加超过物质固有的阈值电压的电压时，允许电流在其内部流动，并且涉及从电阻状态从物质的高电阻状态向低电阻状态变化的可变电阻物质形成发光元件的透明电极，因此在本发明中，不仅高光除了从发光元件发射的可见光中的光之外，紫外线区域（特别是在340nm至280nm波长区域中的紫外线和280nm以下的波长区域）中的光的透射率，以及透明电极高，并且表现出与半导体层的良好的欧姆接触特性。另外，本发明通过将由透明电极感应出的电流扩展到整个半导体层，可以防止电流拥挤的现象; 这是通过在透明电极的上部或下部形成具有优异的导电性和光透射特性的CNT或石墨烯制成的电流扩散层，并且使形成在透明电极中的导电细丝互相连接来实现的。

5. 发明申请

WO2012138016A1 문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：使用阈值电压切换材料的非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012138016A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/KR2011/006034
申请日：2011-08-17
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명
发明人： 김태근 , 안호명
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/34 , G11C13/0002 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자의 블로킹 절연막을, 평상시에 고저항 상태를 유지하다가 문턱전압 이상의 전압이 인가되는 동안에만 저저항 상태로 변화되고 인가되는 전압을 제거하면 다시 고저항 상태로 환원되는 문턱전압 스위칭 물질로 대체하고, 게이트 전극층에 문턱 전압 이상의 전압 펄스를 인가하여, 게이트 전극층으로부터 문턱전압 스위칭 물질로 이루어진 절연막을 통해서 전하 포획층으로 전하를 주입하여 프로그램을 수행한다. 따라서, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링을 이용하지 않을뿐만 아니라, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 저저항 상태로 변환하여 프로그램을 수행한 후, 전하 포획층에 포획된 전하를 유지하기 위해서, 문턱전압 스위칭 물질의 저항 상태를 다시 고저항 상태로 변환하기 위한 별도의 전압 펄스를 인가하지 않아도 되므로, 종래의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비해서 신속한 프로그램이 가능하다. 또한, 본 발명의 비휘발성 메모리 소자는 프로그램시에 터널링 방식을 이용하지 않으므로, 전하 포획층과 기판 사이의 절연막을 두께를 충분히 두껍게 형성하여 10년 이상의 데이터 보유 특성을 확보할 수 있으므로, 기존의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자에 비하여 신뢰성이 높다.
摘要翻译：非易失性存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其制造方法。根据本发明，具有典型SONOS结构的非易失性存储器件的隔离绝缘层被阈值电压切换材料所替代，阈值电压切换材料仅在施加大于阈值电压的电压时变为低电阻状态，同时保持在正常条件下具有高电阻状态，并且当施加的电压被去除时返回到高电阻状态。本发明通过在向栅电极层施加大于阈值电压的电压脉冲之后，通过由阈值电压开关材料形成的绝缘层将电荷从栅电极层注入电荷陷阱层来执行程序。因此，本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道，并且将阈值电压切换材料的电阻状态改变为低电阻状态以便运行程序。此外，为了保持陷在电荷陷阱层中的电荷，不需要额外的电压脉冲，以将阈值电压切换材料的电阻状态再次转换为高电阻状态。因此，与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比，快速编程是可能的。此外，由于本发明的非易失性存储器件在编程期间不使用隧道法，所以可以通过在绝缘层和基片之间形成足够的厚度来获得最少10年的数据保持。因此，与具有典型SONOS结构的非易失性存储器件相比，可以进一步提高可靠性。

6. 发明申请

WO2011159001A1 나노 패턴이 형성된 전하 포획층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：包括纳米图案中的电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2011159001A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/KR2010/008324
申请日：2010-11-24
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 김태근 , 안호명
发明人： 김태근 , 안호명
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L21/28282 , H01L29/66833
摘要： 본 발명은 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 종래 기술의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자가 점점 소형화됨에 따라서 전하 포획층에서 포획되는 전하의 양이 감소하고, 이로 인해서 메모리 소자의 프로그램 상태 및 프로그램 소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우 마진을 확보하기 어려운 문제점을 해소하기 위해서, 전하 포획층 중 주로 전하가 포획되는 영역인 전하 포획층과 블로킹 절연막의 접합면에 요철 패턴과 같은 나노 패턴을 형성하였다. 본 발명은 별도의 복잡한 공정의 추가없이, 기존의 SONOS 공정에서 나노 패턴을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 전하 포획층 중 전하가 포획되는 영역인 블로킹 절연막과의 계면을 확장하여, 단위 길이당 전하가 포획되는 영역을 증가시킬 수 있게 되었고, 이로 인해, 45nm 이하의 초소형 메모리 소자에서도 큰 메모리 윈도우 마진을 확보할 수 있게 됨으로써, 보다 신뢰성있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及SONOS非易失性存储器件及其制造方法。为了解决现有技术中较小的SONOS非易失性存储器件的问题，例如，电荷量的减少被俘获在电荷俘获层中，这导致难以确保用于识别程序条件的存储器窗口余量存储器件和程序擦除条件，在电荷俘获层和阻挡绝缘膜之间的接合表面上形成诸如凹凸图案的纳米图案，其中电荷主要在电荷俘获层的其它区域中被困。本发明仅对常规SONOS工艺增加纳米图案形成工艺，而不涉及单独的附加复杂工艺，以扩大电荷捕获层和阻挡绝缘膜之间的界面，其对应于电荷被俘获在电荷俘获层的其他区域中。因此，可以增加每单位长度的电荷捕获面积，并且因此即使在不大于45nm的超小型存储器件中也能够确保足够大的存储窗边缘，从而提供具有较高的非易失性存储器件可靠性。

7. 发明申请

WO2017014441A1 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：包含形成导电性纤维的透明电极的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2017014441A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/KR2016/007056
申请日：2016-06-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01L21/28 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , H01L21/28
摘要： 본 발명은 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 전도성이 낮은 반도체층과 저항 변화 물질로 형성된 투명 전극의 경계 영역에 나노 단위의 금속으로 형성된 메탈 메쉬를 형성함으로써, 절연체인 투명 전극에 인가된 전계가 메탈 메쉬를 통해서 보다 효율적으로 저항 변화 물질 전체 영역으로 퍼지도록 함으로써, 보다 낮은 전압으로 균일한 밀도의 전도성 필라멘트를 형성할 수 있다. 또한, 투명 전극 아래에 형성된 나노 메탈 메쉬는 투명 전극을 통해서 유입된 전류를 반도체층 전체로 확산시키는 기능을 수행함으로써, 반도체 장치의 전류 주입 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其包括其中形成有导电细丝的透明电极及其制造方法。本发明可以通过使施加到作为绝缘材料的透明电极的电场通过金属网更有效地扩展到可变电阻材料的整个区域中，从而形成具有低电压的均匀密度的导电细丝通过在由导电半导体层形成的透明电极和可变电阻材料的边界处形成由纳米级金属形成的金属网。此外，形成在透明电极下方的纳米金属网将通过透明电极引入的电流扩散到整个半导体层中，以提高半导体器件的电流注入效率。

8. 发明申请

WO2016208963A1 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법 审中-公开
标题翻译：透明电极和形成透明电极的方法
公开(公告)号：WO2016208963A1
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：PCT/KR2016/006619
申请日：2016-06-22
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 김경헌
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극 형성 방법은 일정한 간격으로 서로 이격되도록, 저항 변화 물질로 저항 변화 돌출부를 형성하고, 각 저항 변화 돌출부마다 일일이 포밍 공정을 수행하여 그 내부에 전도성 필라멘트를 형성하여 저항 상태를 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화시킴으로써, 반도체 기판 전체에 균일하게 전도성 필라멘트가 형성된 투명전극을 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 기판과 양호한 오믹 접촉을 형성하면서 반도체 기판 전체에 균일하게 전류를 주입할 수 있어 전류 확산 효율을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：公开了透明电极和形成透明电极的方法。根据本发明的优选实施方案，形成透明电极的方法可以形成透明电极，该透明电极具有均匀地形成在整个半导体衬底上的导电细丝，该透明电极通过形成具有可变电阻材料的可变电阻突起，该电阻突起与每个然后以预定间隔进行其他处理，然后对每个可变电阻突起进行形成处理，以在其中形成导电丝，以将电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态。因此，可以在与半导体衬底进行良好的欧姆接触的同时将电流均匀地注入整个半导体衬底，从而提高电流扩散效率。

9. 发明申请

WO2016204420A1 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：具有跨栏阵列结构的存储器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016204420A1
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：PCT/KR2016/005506
申请日：2016-05-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 박주현
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/115 , H01L27/24
摘要： 본 발명은 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치 및 이의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 크로스바 어레이 구조에 포함되는 복수의 저항 변화 메모리 셀들 내부에 다이오드가 포함되도록 구성하되, 전극을 공유하는 메모리 셀들에 포함된 다이오드의 순방향이 서로 교번적으로 반대로 설정되도록 하여, 각 메모리 셀의 다이오드의 순방향이 전극을 공유하는 인접한 메모리 셀들의 다이오드의 순방향과는 서로 반대이고, 전극을 공유하지 않는 대각선 방향의 인접 메모리 셀들의 다이오드의 순방향과는 서로 동일하도록 형성함으로써, 누설 전류를 크게 감소시켰다. 또한, 이렇게 누설 전류를 크게 감소시킴으로 인해서, 크로스바 어레이 구조의 메모리 장치의 판독 마진(Read Margin)을 증가시킴으로써 단위 면적당 더 많은 메모리 셀을 포함시킬 수 있어 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种具有交叉列阵列结构的存储器件及其制造方法。本发明形成为包括在横列阵列结构中的多个电阻变化存储单元中的二极管，使得包含在共享电极的存储单元中的二极管的正向设置为彼此交替相对，各个存储单元的二极管的正向方向与共享电极的相邻存储单元的二极管的正向相反，并且与相邻存储单元的二极管的正向相反，沿对角线方向，不共用电极，使得漏电流明显降低。此外，泄漏电流的这种显着降低增加了具有交叉串阵列结构的存储器件的读取余量，从而使得能够在每单位面积上包含更多的存储器单元，从而可以提高积分度。

10. 发明申请

WO2015046766A1 투명 전극 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：透明电极及其制造方法
公开(公告)号：WO2015046766A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008082
申请日：2014-08-29
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김태근 , 이병룡
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 저항 변화 물질로 투명 전극을 형성하고, 투명 전극에 전압을 인가하여 투명 전극의 저항상태를 저저항 상태로 변화시키는 포밍(forming) 공정을 수행하여 투명 전극이 전도성을 갖도록 함으로써, 투명 전극의 하부 또는 상부에 형성되는 반도체층과 양호한 오믹 특성을 나타내면서도, 가시광 영역뿐만 아니라 단파장의 자외선 영역의 빛에 대해서도 높은 투과도를 나타내는 투명 전극을 형성할 수 있다. 특히, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극 내부에 나노 파티클 등을 포함시켜 전계를 집중시킴으로써 보다 낮은 전압으로 용이하게 포밍을 수행할 수 있고, 동일한 포밍 전압을 적용하는 경우에는 보다 두껍게 투명 전극을 형성하여 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 저항 변화 물질로 형성되는 투명 전극층을 복수로 적층하여 투명 전극을 형성함으로써 투명 전극의 두께를 두껍게 형성하여, 투명 전극의 강도 및 소자의 안전성을 강화시킬 수 있다. 특히, 복수의 투명 전극층 중 일부를 포밍이 잘되는 물질로 형성함으로써, 투명 전극의 두께를 두껍게 하면서도 포밍 전압을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 복수의 투명 전극층을 적층하여 투명 전극을 형성할 때, 상부로 갈수록 외부 공기층과의 굴절율 차이가 감소되도록 복수의 투명 전극층을 적층함으로써, 반도체층에서 발생되는 빛이 전반사되는 것을 방지하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 반도체층 위에, 투명 전극 위에 형성되는 전극 패드 패턴에 대응되는 패턴으로 투명 전도층을 형성함으로써 광추출 효율을 저하를 최소화하면서도 포밍을 용이하게 하여, 투명 전극의 두께를 두껍게 형성할 수 있고, 따라서 투명 전극의 강도 및 소자 안전성을 강화시킬 수 있다.
摘要翻译：根据本发明，使用透明电阻改变材料形成透明电极，其电阻状态根据所施加的电场从高电阻状态变为低电阻状态; 通过向透明电极施加电压以将透明电极的电阻状态改变为低电阻状态使得透明电极具有导电性来进行形成处理; 结果，可以形成透明电极，其透明电极表现出良好的欧姆特性，其中形成在透明电极的下部或上部的半导体层，并且不仅相对于可见光的光而表现出高的透射率光线范围，也适用于紫外线范围内的短波长光。特别地，根据本发明，纳米颗粒等被包括在由电阻变化材料制成的透明电极内部，从而集中电场，使得可以在较低电压下容易地进行成型; 当施加相同的成形电压时，形成较厚的透明电极，从而提高透明电极的强度和器件的安全性。此外，根据本发明，由电阻变化材料制成的多个透明电极层被层叠以形成透明电极，从而形成厚度大的透明电极，提高透明电极的强度和安全性的设备。特别地，使用非常适合于形成的材料形成多个透明电极层的一部分，从而增加了透明电极的厚度并降低了形成电压。此外，当根据本发明堆叠多个透明电极层以形成透明电极时，多个透明电极层被堆叠成使得相对于外部空气层的折射率差异朝向上部从而防止由半导体层产生的光的全反射并提高光提取效率。此外，根据本发明，在半导体层上形成透明导电层，其形式与形成在透明电极上的电极焊盘图案对应，使得容易形成，同时使光提取效率的降低最小化，从而形成具有较大厚度的透明电极，从而提高透明电极的强度和装置的安全性。

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