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1. 发明申请

WO2003100877A1 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気感応装置审中-公开
标题翻译：磁阻效应器件和使用它的磁传感器
公开(公告)号：WO2003100877A1
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/JP2002/005070
申请日：2002-05-24
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 秋永広幸 , 尾嶋正治 , 水口将輝
发明人：秋永広幸 , 尾嶋正治 , 水口将輝
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01F10/1936 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/1269 , H01L27/222 , H01L43/08 , Y10T428/12465
摘要：多数の分離した100μm以下の金属微粒子(3)が設けられた表面を持つ半導体領域(2)と、上記複数の金属微粒子を設けた半導体領域を覆う半導体あるいは半金属のギャップ層(4)と、上記キャップ層表面にそれぞれ離間して設けられた複数の電極(5)と、を含む磁気抵抗効果素子(1)であって、室温にて大きな磁気抵抗効果を示し、従って磁場にたいする高感度であり、しかも、簡単な製造プロセスで製造でき、また、半導体作製プロセスとの整合性を取り易い磁気抵抗材料で構成されている。また、上記磁気抵抗効果素子(1)により構成された磁気感応装置は、種々の優れた特性を備えている。
摘要翻译：一种磁阻效应器件（1），包括具有大量设置在其上不大于100μm的大小不大于100μm的分离金属颗粒（3）的表面的半导体区域（2），半导体或半金属覆盖层（4）覆盖半导体区域，在盖层的表面上彼此分开设置的多个电极（5）。该磁阻效应器件（1）在室温下产生强磁阻效应，因此对磁场高度敏感。该器件可以在简单的制造工艺中制造，并且由与半导体制造工艺容易兼容的磁阻材料形成。包括这种磁阻效应装置（1）的磁传感器具有各种优异的特性。

2. 发明申请

WO2004109805A1 環状単磁区構造微小磁性体およびその製造方法又はそれを用いた磁気記録素子审中-公开
标题翻译：具有环形单磁畴结构的微型磁体，其制造方法或使用其的磁记录元件
公开(公告)号：WO2004109805A1
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/JP2004/008182
申请日：2004-06-04
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 秋永広幸 , 小野寛太 , 尾嶋正治 , 谷内敏之
发明人：秋永広幸 , 小野寛太 , 尾嶋正治 , 谷内敏之
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/155 , G11C11/5607 , H01F41/308 , H01L43/08 , H01L43/10 , Y10T29/49069
摘要：　平板状の強磁性体からなり、その平面部形状は、線対称軸を有するとともに該線対称軸と垂直な方向に対しては非対称であって、平行外部磁界の消滅時に環状単磁区構造を示す微小磁性体及びその微小磁性体を用いたＭＲＡＭ又はそれらの製造方法とすることにより、ナノスケールの微小磁性体において、磁化の向きを制御可能にするとともに、書き換え及び書き込み回数の制限をなくすことができる。
摘要翻译：提供一种由具有轴向对称轴的平坦的铁磁体制成的微小磁体，并且在垂直于轴对称轴的方向上不对称。当平行的外部磁场消失时，微小磁体呈现环状的单磁畴结构。还公开了使用微小磁体的MRAM及其制造方法。在纳米尺度的微小磁体中，可以控制磁化方向，并消除重写和写入过程数量的限制。

3. 发明申请

WO2008142919A1 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：可变电阻元件，用于制造可变电阻元件和非易失性半导体存储器件的方法
公开(公告)号：WO2008142919A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/056859
申请日：2008-04-07
申请人：シャープ株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 玉井幸夫 , 島久 , 秋永広幸 , 高野史好 , 細井康成 , 粟屋信義 , 大西茂夫 , 石原数也
发明人：玉井幸夫 , 島久 , 秋永広幸 , 高野史好 , 細井康成 , 粟屋信義 , 大西茂夫 , 石原数也
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要：　高速且つ低消費電力動作が可能な可変抵抗素子を提供する。第１電極１１と第２電極１２の間に金属酸化物層１０を有し、第１及び第２電極間への電気的ストレスの印加に応じて、第１及び第２電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、金属酸化物層１０が第１及び第２電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメント１３を有し、第１電極と第２電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極１１と金属酸化物層１０の界面であって、少なくとも特定電極１１とフィラメント１３の界面近傍を含む一部に、特定電極１１に含まれる少なくとも１つの元素の酸化物であって、金属酸化物層１０の酸化物とは異なる界面酸化物１５を備える。
摘要翻译：提供一种执行高速和低功耗操作的可变电阻元件。在可变电阻元件中，金属氧化物层（10）设置在第一电极（11）和第二电极（12）之间，第一和第二电极之间的电阻根据电应力的应用而可逆地变化在第一和第二电极之间。金属氧化物层（10）具有灯丝（13），其是电流路径，其中在第一和第二电极之间流动的电流的密度局部增加。至少包括位于至少第一电极或第二电极的指定电极（11）与灯丝（13）之间的界面附近的部分，在指定电极（11）和金属氧化物层（10）具有界面氧化物（15），所述界面氧化物是包含在所述特定电极（11）中并与所述金属氧化物层（10）的氧化物不同的至少一种元素的氧化物。

4. 发明申请

WO2007108462A1 エッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：WO2007108462A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/JP2007/055623
申请日：2007-03-20
申请人：株式会社アルバック , 独立行政法人産業技術総合研究所 , 小風豊 , 山本直志 , 鄒紅コウ , 秋永広幸 , 高野史好
发明人：小風豊 , 山本直志 , 鄒紅コウ , 秋永広幸 , 高野史好
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136
摘要：　ハイドロフルオロカーボンガス、酸素ガスおよび窒素ガスの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、遷移金属を含む材料をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
摘要翻译：提供了一种蚀刻方法，其中引入氢氟烃气体，氧气和氮气的混合气体以产生等离子体，并且蚀刻包括过渡金属的材料。

5. 发明申请

WO2003075360A1 磁気抵抗スイッチ効果素子及びそれを用いた磁気感応装置审中-公开
标题翻译：磁感应开关元件和包含其的磁感应装置
公开(公告)号：WO2003075360A1
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/JP2003/002347
申请日：2003-02-28
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 株式会社先端科学技術インキュベーションセンター , 秋永広幸 , 三浦登 , 内田和人
发明人：秋永広幸 , 三浦登 , 内田和人
IPC分类号： H01L29/82
CPC分类号： G01R33/09 , H01L29/82
摘要： A magnetoresistive switch effect element composed of a material easy-to-match with a semiconductor production process and can be produced by a simple production process to exhibit a significant magnetoresistive switch effect at room temperature. On a semiconductor region, a plurality of conductive regions are provided while being spaced apart from each other and two electrode parts are provided while being spaced apart by l00 mum or less, wherein the conductive regions are interconnected electrically through a junction consisting of at least one adjacent conductive region and a semiconductor region between both conductive regions connected electrically through the conductive region and the junction.
摘要翻译：一种磁阻开关效应元件，其由与半导体制造工艺容易匹配的材料组成，并且可以通过简单的制造工艺制造，以在室温下显示出显着的磁阻开关效应。在半导体区域上，设置多个导电区域，同时彼此间隔开，并且设置两个电极部分，同时隔开100um或更小，其中导电区域通过由至少一个相邻的导电区域和在通过导电区域和结之间电连接的两个导电区域之间的半导体区域。

6. 发明申请

WO2009057671A1 整流素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：整流器和整流器的生产过程
公开(公告)号：WO2009057671A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069710
申请日：2008-10-30
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 島久 , 秋永広幸 , 石橋章司 , 田村友幸
发明人：島久 , 秋永広幸 , 石橋章司 , 田村友幸
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/47 , H01L29/86 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/24 , H01L29/872
摘要：　電気陰性度がＴｉよりも大きい遷移金属からなる第１及び第２電極の間に、何れか一方の電極に面する側の界面のみが定比組成であり、層全体の平均組成がＴｉＯ x （但し、式中ｘは、1.6≦ｘ＜2の関係を満たすものに限る。）の式で表される、酸化チタン層が介在し、該第１電極及び第２電極の間に臨界反転電力を超える大きさの反転電気信号を逆方向に印加することによって整流特性を反転できる整流素子並びに、基板上に、電気陰性度がＴｉよりも大きい遷移金属からなる第１電極を堆積させる工程、該第１電極上に酸化チタン（ＴｉＯ x （但し、式中ｘは、1.6≦ｘ＜2の関係を満たすものに限る。））層を堆積させる工程、該酸化チタン（ＴｉＯ x ）層の表面を酸素雰囲気に曝露する工程及び該酸素雰囲気に曝露された酸化チタン（ＴｉＯ x ）層の表面上に電気陰性度がＴｉよりも大きい遷移金属からなる第２電極を堆積させる工程を含む整流素子の製造方法。
摘要翻译：本发明提供了一种整流器，其包括置于具有大于Ti的电负性的过渡金属形成的第一和第二电极之间的氧化钛层。在氧化钛层中，只有面对任何一个电极的一侧上的界面具有固定的比例组成，并且整个层的平均组成由TiOx表示，其中x满足1.6 = x < 通过在第一和第二电极之间沿相反方向施加超过临界反向电功率的反向电信号来反转整流特性。还提供了一种用于制造整流器的方法，包括在基板上沉积由电负性大于Ti的过渡金属形成的第一电极的步骤，在第一电极上沉积氧化钛层（TiOx）的步骤条件是x满足与氧气氛的1.6 = xx）层的关系，并且在暴露于氧化钛（TiOx）层的表面上沉积由电负性大于Ti的过渡金属形成的第二电极的步骤氧气氛围。

7. 发明申请

WO2007086268A1 微小電極およびその製造方法审中-公开
标题翻译：微电子及其制造方法
公开(公告)号：WO2007086268A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/050414
申请日：2007-01-15
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 若山貴行 , 中桐伸行 , 佐藤平道 , 秋永広幸 , 中村徹
发明人：若山貴行 , 中桐伸行 , 佐藤平道 , 秋永広幸 , 中村徹
IPC分类号： G01N27/30
CPC分类号： G01N27/30
摘要：　極めて微小な露出面をもつ微小電極及びそれを簡便に製造しうる方法を提供する。　該微小電極を、支持基板、その上に配設された微細パターン電極及び該電極の先端露出部以外を被覆する絶縁性被覆物からなり、かつ該電極の先端露出部が該電極の断面の微小面積で側面において形成されてなるものとする。該電極は、支持基板上に被着させたレジスト膜に微細パターン電極に対応するレジストパターンを形成し、該パターンの上から導電材を付着し、レジスト共々堆積導電材を除去し、得られた微細パターン電極を絶縁性材料で被覆し、側面において微細パターン電極の断面を露出させて得られる。
摘要翻译：提供具有非常小的暴露表面的微电极和简单制造这种微电极的方法。微电极由支撑基板，布置在支撑基板上的精细图案电极和用于覆盖微细图案电极的前端露出部分以外的部分的绝缘覆盖材料构成。电极的前端露出部分形成在具有精细图案电极的横截面的细小区域的侧面上。通过在施加在支撑基板上的抗蚀剂膜上形成对应于精细图案电极的抗蚀剂图案，将导电材料粘附在图案上，用抗蚀剂去除沉积的导电材料，覆盖所获得的精细图案而获得电极电极与绝缘材料接触，并使精细图案电极的横截面暴露在侧面。

8. 发明申请

WO2007020832A1 スイッチング素子审中-公开
标题翻译：切换设备
公开(公告)号：WO2007020832A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315629
申请日：2006-08-08
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 秋永広幸 , 保田周一郎 , 井上公 , 高木英典
发明人：秋永広幸 , 保田周一郎 , 井上公 , 高木英典
IPC分类号： H01L49/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：【課題】大きく異なる２つの安定した抵抗特性を可逆的かつ反復的に示す、高度集積化した不揮発性メモリへ適用可能なスイッチング素子の提供。【解決手段】２つの電極間に、組成揺らぎを含む単一中心金属元素からなる金属酸化物薄膜が介在した可変抵抗素子を備え、該両電極間に、第１の閾値以上の電圧又は電流と、該第１の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第２の閾値以下の電圧又は電流と、該第２の閾値の絶対値よりもその絶対値が小さい第３の閾値以下の電圧又は電流とを選択的に印加可能な制御回路と接続し、その絶対値が少なくとも第３の閾値以下の電位域又は電流域における電極間の抵抗特性を可逆的に1000～10000倍変化せしめることを特徴とする、スイッチング素子。
摘要翻译： [问题]提供可逆地重复显示出两种非常不同的稳定电阻特性并且适用于高度集成的非易失性存储器的开关装置。解决问题的手段一种切换装置，其特征在于，所述装置包括插入在两个电极之间的可变电阻元件，并且具有由单个中心金属元件构成并包括组成波动的金属氧化物薄膜，用于选择性地施加第一阈值以上的电压或电流，绝对值小于第一阈值以下的第二阈值以下的电压或电流，或绝对值的第三阈值以下的电压或电流，小于第二阈值的电阻连接在电极之间，并且绝对值至少等于或小于第三阈值的电位或电流区域中的电极之间的电阻特性可以从1000变化到 10,000次。

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