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热词
    • 2. 发明申请
    • ガス加熱方法及び加熱装置
    • 气体加热方法和气体加热装置
    • WO2004044500A1
    • 2004-05-27
    • PCT/JP2003/013971
    • 2003-10-30
    • 住友電気工業株式会社橋倉 学仲田 博彦
    • 橋倉 学仲田 博彦
    • F24H3/04
    • H01L21/67109F24H3/0405
    •  ガスによる腐蝕を受けず、高速昇温が可能なヒータを用いて、ガスを直接且つ効率的に加熱することができるガス加熱方法、及び小型で省エネ化されたガス加熱装置を提供する。 ガスの流路又は加熱室内に平板状のセラミックスヒータ30又はセラミックスヒータを複数組み合わせたヒータユニットを、互い違いの階段状に複数配置してジグザグなガス流路Aを形成し、ガス流路Aに供給されるガスをセラミックスヒータ30又はヒータユニットで直接加熱する。このガス加熱装置10は、NOx含有排ガスや有害又は有毒な排ガスの処理装置において、これらの排ガスやその希釈ガスの加熱に用いることができる。
    • 一种气体加热方法,其能够通过使用不被气体侵蚀并且被快速加热的加热器直接有效地加热气体,以及小型和节能的气体加热装置(10),该方法包括以下步骤: 多个扁平陶瓷加热器(30)或具有多个陶瓷加热器的多个加热器单元交替地在气体流动通道或加热室中相互组合,以形成阶梯形状以形成锯齿形气体流动通道 (A),并且用陶瓷加热器(30)或加热器单元直接加热供给到气体流路(A)中的气体; 气体加热装置(10)可用于在含NO x的废气和有毒或有毒的排气处理装置中加热含有NOx的废气和有害或有毒废气及其稀释气体。
    • 3. 发明申请
    • ウエハー保持体及び半導体製造装置
    • 过滤器和半导体制造设备
    • WO2004030055A1
    • 2004-04-08
    • PCT/JP2003/012311
    • 2003-09-26
    • 住友電気工業株式会社夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • 夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • H01L21/02
    • H01L21/68792H01L21/67103H05B3/143
    •  加熱処理時の熱応力による固定筒状体及び/又は固定支持体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。 固定筒状体5及び/又は固定支持体の少なくとも2つが、一端をセラミックスヒータ2に、及び他端を反応容器4に固定され、セラミックスヒータ2の最高到達温度をT1、セラミックスヒータ2の熱膨張係数をα1、反応容器4の最高到達温度をT2、反応容器4の熱膨張係数をα2、複数の固定筒状体5及び/又は固定支持体間の常温におけるセラミックスヒータ2上での最長距離をL1、複数の固定筒状体5及び/又は固定支持体間の常温における反応容器4上での最長距離をL2としたとき、関係式|(T1×α1×L1)−(T2×α2×L2)|≦0.7mmを満たしている。
    • 一种能够防止固定的圆柱体和/或固定支撑体在加热处理时被热应力损坏的晶片保持器,以及使用该晶片保持器的高度可靠的半导体制造装置,其中至少两个 固定圆筒体(5)和/或固定支撑体一端固定在陶瓷加热器(2)上,并固定在另一端的反应容器(4)上,陶瓷加热器 2)为T1,陶瓷加热器(2)的热膨胀系数为α1,反应容器(4)的最大到达温度为T2,反应容器(4)的热膨胀系数为α2,a 在室温下陶瓷加热器(2)上的多个固定圆柱体(5)和/或固定支撑体之间的最长距离为L1,多个固定圆柱体(5)和/或固定的最长距离 在室温下的反应容器(4)上的支撑体是L2,关系表达式的要求||(T1×α1×L1) - (T2×α2×L2)|| <= 0.7mm。
    • 5. 发明申请
    • ウエハー保持体及び半導体製造装置
    • 过滤器和半导体生产系统
    • WO2004030411A1
    • 2004-04-08
    • PCT/JP2003/003380
    • 2003-03-19
    • 住友電気工業株式会社夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • 夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • H05B3/10
    • H01L21/68792H01L21/67103H05B3/143
    •  セラミックスヒータに固定された複数の固定筒状体を備え、加熱処理時の熱応力による固定筒状体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。 固定筒状体5の少なくとも2つが一端をセラミックスヒータ2に、及び他端を反応容器4に固定され、セラミックスヒータ2の最高到達温度をT1、セラミックスヒータ2の熱膨張係数をα1、反応容器4の最高到達温度をT2、反応容器4の熱膨張係数をα2、複数の固定筒状体5間の常温におけるセラミックスヒータ2上での最長距離をL1、複数の固定筒状体5間の常温における反応容器4上での最長距離をL2としたとき、関係式|(T1×α1×L1)−(T2×α2×L2)|≦0.7mmを満たしている。
    • 一种晶片保持器,其包括固定到陶瓷加热器的多个管状体,并且可防止在热处理时由于热应力而引起的损坏,以及采用该晶片保持器的高可靠性半导体生产系统。 至少两个固定的管状体(5)的一端固定在陶瓷加热器(2)上,另一端分别固定在反应容器(4)上,其中关系式(1×α1×L1) - (T2×α2×L2) = 0.7mm,假设T1是陶瓷加热器(2)的最高可达到的温度,α1是陶瓷加热器(2)的热膨胀系数,T2是反应室(4)的最高可达到的温度,α2 是反应室(4)的热膨胀系数,L1是常温下陶瓷加热器(2)上的多个固定管体(5)之间的最长距离,L2是多个固定的陶瓷加热器 在常温下在反应室(4)上的管体(5)。
    • 7. 发明申请
    • ウエハー保持体及び半導体製造装置
    • 用于生产半导体的保持器和系统
    • WO2004028208A1
    • 2004-04-01
    • PCT/JP2003/003379
    • 2003-03-19
    • 住友電気工業株式会社夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • 夏原 益宏仲田 博彦柊平 啓橋倉 学
    • H05B3/20
    • H01L21/68757H01L21/67103H01L21/67248
    •  ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。 セラミックス基体2中に抵抗発熱体3等を有し、リード4が反応容器6を貫通して設けられたウエハー保持体1であって、リード4を筒状のガイド部材5内に収納し、ガイド部材5と反応容器6の間及びガイド部材5の内部で気密封止されている。ガイド部材5とセラミックス基体2は接合されておらず、内部封止されたガイド部材5内のセラミックス基体2側の雰囲気が反応容器6内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。
    • 通过抑制晶片的保持和加热时的局部散热来提高晶片保持面的均匀加热性能的晶片保持器,以及适合于加工大直径晶片的半导体制造系统 使用该晶片座。 晶片架(1)包括埋在陶瓷基体(2)中的电阻加热器(3)和穿过反应容器(6)的引线(4),其中引线(4)容纳在引导构件(5)中, 分别。 引导构件(5)和反应容器(6)密封地密封,引导构件(5)的内部也被密封地密封。 引导构件(5)和陶瓷基体(2)彼此不接合,并且内部密封的引导构件(5)中的陶瓷基体(2)侧的气氛与反应中的大致相同 容器(6)。