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1. 发明申请

WO2007136023A1 ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：卷取器，其制造方法和半导体生产装置
公开(公告)号：WO2007136023A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/060327
申请日：2007-05-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 粟津知之 , 新間健司 , 仲田博彦
发明人：夏原益宏 , 粟津知之 , 新間健司 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4586 , H01L21/6831 , H01L21/68757
摘要： A wafer holder applicable to processing of a wafer at a temperature not higher than normal temperature and especially suitable for use in a CVD system. A wafer holder (1) having a wafer mounting surface is composed of a ceramic, and internally has a channel (3) which passes a refrigerant for cooling the wafer holder (1), and is preferably further equipped with an electrode (2) for generating high frequency. The wafer holder (1) can be produced by forming the channel (3) on one sheet of a ceramic substrate, bonding at least another sheet of a ceramic substrate to the one ceramic substrate so as to cover the channel (3), and further bonding aceramic substrate, on which the electrode (2) for generating high frequency is formed, preferably.
摘要翻译：适用于在不高于常温的温度下处理晶片并且特别适用于CVD系统的晶片保持器。具有晶片安装面的晶片保持架（1）由陶瓷构成，内部具有通过用于冷却晶片保持架（1）的制冷剂的通道（3），并且优选还具备电极（2），用于产生高频。晶片保持器（1）可以通过在一片陶瓷基板上形成通道（3）而制成，将陶瓷基板的至少另一片接合到一个陶瓷基板上以覆盖通道（3），并且进一步优选在其上形成用于产生高频的电极（2）的键合动画基片。

2. 发明申请

WO2004028208A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体的保持器和系统
公开(公告)号：WO2004028208A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/003379
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/20
CPC分类号： H01L21/68757 , H01L21/67103 , H01L21/67248
摘要：　ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。　セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等を有し、リード４が反応容器６を貫通して設けられたウエハー保持体１であって、リード４を筒状のガイド部材５内に収納し、ガイド部材５と反応容器６の間及びガイド部材５の内部で気密封止されている。ガイド部材５とセラミックス基体２は接合されておらず、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気が反応容器６内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。
摘要翻译：通过抑制晶片的保持和加热时的局部散热来提高晶片保持面的均匀加热性能的晶片保持器，以及适合于加工大直径晶片的半导体制造系统使用该晶片座。晶片架（1）包括埋在陶瓷基体（2）中的电阻加热器（3）和穿过反应容器（6）的引线（4），其中引线（4）容纳在引导构件（5）中，分别。引导构件（5）和反应容器（6）密封地密封，引导构件（5）的内部也被密封地密封。引导构件（5）和陶瓷基体（2）彼此不接合，并且内部密封的引导构件（5）中的陶瓷基体（2）侧的气氛与反应中的大致相同容器（6）。

3. 发明申请

WO2003077290A1 半導体製造装置用保持体审中-公开
标题翻译：半导体生产系统用夹具
公开(公告)号：WO2003077290A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：PCT/JP2003/002670
申请日：2003-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103
摘要： A holder for semiconductor production system in which occurrence of leak and spark is prevented in an electrode terminal and a lead wire for supplying power to a resistance heating element buried in the holder and soaking properties within ±1.0% can be attained in the holder. The holder for semiconductor production being disposed in a chamber supplied with reaction gas, comprises a ceramic holder (1) for holding material being processed (10) on the surface and incorporating resistance heating elements (2) for heating the materials being processed, and a supporting member (6) having one end for supporting the ceramic holder (1) at a part other than the surface for holding the material and the other end secured to the chamber, wherein the electrode terminal (3) and the lead wire (4) of the resistance heating element (2) provided at a part of the ceramic holder (1) other than the surface for holding the material are housed in an insulating tube (5).
摘要翻译：在保持器中可以获得半导体生产系统的保持器，其中在电极端子中防止发生漏电和火花，并且在保持器中可以获得用于向埋在保持器中的电阻加热元件供电的引线和在±1.0％内的均热性能。用于半导体生产的保持器设置在提供有反应气体的室中，包括用于在表面上保持被处理材料（10）的陶瓷保持器（1），并且包括用于加热待处理材料的电阻加热元件（2），以及支撑构件（6），其一端用于在保持材料的表面以外的部分处支撑陶瓷保持器（1），另一端固定到腔室，其中电极端子（3）和引线（4）设置在除了用于保持材料的表面之外的陶瓷保持器（1）的一部分处的电阻加热元件（2）容纳在绝缘管（5）中。

4. 发明申请

WO2007125802A1 熱伝達部材、凸状構造部材、電子機器、および電気製品审中-公开
标题翻译：热转印构件，推进结构构件，电子设备和电气产品
公开(公告)号：WO2007125802A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058450
申请日：2007-04-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 粟津知之 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 粟津知之 , 仲田博彦
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36
CPC分类号： H05K7/20963 , F28F3/048 , F28F13/18 , F28F19/02 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　熱伝達部材（２０）は、保持体（１）と、全体／あるいは一部が保持体（１）に対して斜めに傾斜するように配置された柱状体（２）とを備えている。柱状体（２）の各々は被接触体（２１）と接しており、かつ柱状体（２）の各々が被接触体（２１）との接触面の形状に沿って弾性変形及び／又は塑性変形することにより被接触体（２１）のうねりや粗さに沿って直接接触し、かつ柱状体（２）を介して熱を移動させる。
摘要翻译：提供一种传热构件（20），其包括保持部（1）和相对于保持部（1）全部或部分地倾斜设置的柱部（2）。支柱部分（2）分别与接触构件（21）接触，并且沿其表面的形状弹性和/或塑性单独变形以与接触构件（21）接触，从而直接与起伏或粗糙度接触的接触构件（21），并且通过柱部（2）传递热量。

5. 发明申请

WO2005017984A1 基板保持構造物および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板保持结构和基板处理装置
公开(公告)号：WO2005017984A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011836
申请日：2004-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 住友電気工業株式会社 , 田中澄 , 斎藤哲也 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：田中澄 , 斎藤哲也 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103
摘要：　本発明は、被処理基板を保持する基板保持構造物において、基板保持台の熱応力による破損を抑制することを目的としている。支柱先端部に基板保持台を設けた基板保持構造物において、前記支柱と前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面とで画成されたフランジ部を形成し、その際、前記内周面を、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大する傾斜面により形成し、さらに前記フランジ部が結合する前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に対応してＵ字型溝を形成する。
摘要翻译：本发明的目的是抑制用于保持处理对象衬底的衬底保持结构中的衬底保持平台的热应力断裂。在支柱前端设置有板保持平台的板保持结构中，柱与基板保持平台之间的接合部形成有由内周面和外周面限定的凸缘，在这种情况下，内周表面由倾斜表面形成，其中凸缘的内径朝向基板保持平台的下表面连续增大。此外，与凸缘接合的基板保持平台的下表面形成有与凸缘的外周面相对应的U形槽。

6. 发明申请

WO2004030411A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体生产系统
公开(公告)号：WO2004030411A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/003380
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/10
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　セラミックスヒータに固定された複数の固定筒状体を備え、加熱処理時の熱応力による固定筒状体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５の少なくとも２つが一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种晶片保持器，其包括固定到陶瓷加热器的多个管状体，并且可防止在热处理时由于热应力而引起的损坏，以及采用该晶片保持器的高可靠性半导体生产系统。至少两个固定的管状体（5）的一端固定在陶瓷加热器（2）上，另一端分别固定在反应容器（4）上，其中关系式（1×α1×L1） - （T2×α2×L2） = 0.7mm，假设T1是陶瓷加热器（2）的最高可达到的温度，α1是陶瓷加热器（2）的热膨胀系数，T2是反应室（4）的最高可达到的温度，α2 是反应室（4）的热膨胀系数，L1是常温下陶瓷加热器（2）上的多个固定管体（5）之间的最长距离，L2是多个固定的陶瓷加热器在常温下在反应室（4）上的管体（5）。

7. 发明申请

WO2002083596A1 セラミックス接合体、基板保持構造体および基板処理装置审中-公开
标题翻译：接合陶瓷制品，基板保持结构及处理基板的装置
公开(公告)号：WO2002083596A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/JP2002/003639
申请日：2002-04-11
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： H01L21/6833 , B32B18/00 , B32B2309/022 , B32B2315/02 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B37/005 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/96 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , Y10T279/23
摘要： A substrate-holding structure (1) for holding a substrate during the treatment of the substrate, which has a ceramic base article (2) for holding the substrate, a protective cylinder (7) joined to the ceramic base article (2), and a joining layer (8) which is disposed between the ceramic base article (2) and the protective cylinder (7) and joins the ceramic base article (2) and the protective cylinder (7), wherein the joining layer (8) contains a rare earth oxide, aluminum oxide and aluminum nitride in amounts of 2 to 70 mass %, 10 to 78 mass % and 2 to 50 mass %, respectively, provided that the joining layer (8) contains a rare earth oxide or an aluminum oxide in the largest amount among those of the above three components. The substrate-holding structure has excellent corrosion resistance, high gas-tightness and excellent dimensional accuracy, and also exhibits satisfactory durability even under mechanical or thermal stress.
摘要翻译：一种用于在处理基板期间保持基板的基板保持结构（1），其具有用于保持基板的陶瓷基底制品（2），与陶瓷基底制品（2）接合的保护筒（7），以及布置在陶瓷基底制品（2）和保护筒（7）之间并与陶瓷基底制品（2）和保护筒（7）接合的接合层（8），其中接合层（8）含有稀土氧化物，氧化铝和氮化铝的含量分别为2〜70质量％，10〜78质量％和2〜50质量％，条件是接合层（8）含有稀土氧化物或氧化铝是上述三个组成部分中最大的。基板保持结构具有优异的耐腐蚀性，高气密性和优异的尺寸精度，并且即使在机械或热应力下也表现出令人满意的耐久性。

8. 发明申请

WO2004030055A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体制造设备
公开(公告)号：WO2004030055A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012311
申请日：2003-09-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　加熱処理時の熱応力による固定筒状体及び／又は固定支持体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５及び／又は固定支持体の少なくとも２つが、一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种能够防止固定的圆柱体和/或固定支撑体在加热处理时被热应力损坏的晶片保持器，以及使用该晶片保持器的高度可靠的半导体制造装置，其中至少两个固定圆筒体（5）和/或固定支撑体一端固定在陶瓷加热器（2）上，并固定在另一端的反应容器（4）上，陶瓷加热器 2）为T1，陶瓷加热器（2）的热膨胀系数为α1，反应容器（4）的最大到达温度为T2，反应容器（4）的热膨胀系数为α2，a 在室温下陶瓷加热器（2）上的多个固定圆柱体（5）和/或固定支撑体之间的最长距离为L1，多个固定圆柱体（5）和/或固定的最长距离在室温下的反应容器（4）上的支撑体是L2，关系表达式的要求||（T1×α1×L1） - （T2×α2×L2）|| <= 0.7mm。

9. 发明申请

WO2003073483A1 半導体製造用加熱装置审中-公开
标题翻译：用于制造半导体的加热装置
公开(公告)号：WO2003073483A1
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/JP2003/002137
申请日：2003-02-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67103
摘要： A heating device for manufacturing a semiconductor capable of uniformly heating a processed material such as a wafer and specifically used for heat-curing resin film for photolithography in coater developers and heat-baking insulation film with low dielectric constants, comprising a holding body (1) of ceramics having a resistance heating element (2) buried therein and holding and heating the processed material such as the wafer (6), a tubular support member (4) for supporting the holding body (1) of ceramics, and a chamber (5) for storing the holding body (1) and the support member (4), wherein atmospheres in the tubular support member (4) and the chamber (5) are maintained substantially identical to each other by eliminating the air-tight sealing of the support member (4) by the holding body (1) ceramics or by controlling the introduction and discharge of gas.
摘要翻译：一种用于制造能够均匀加热诸如晶片的加工材料并且特别用于热涂覆显影剂中的光刻用树脂膜和用于低介电常数的热烘烤绝缘膜的半导体的加热装置，包括保持体（1）的陶瓷具有埋置在其中的电阻加热元件（2），并且保持和加热诸如晶片（6）的处理材料，用于支撑陶瓷的保持体（1）的管状支撑构件（4）和腔室（5）），用于存储保持体（1）和支撑构件（4），其中管状支撑构件（4）和腔室（5）中的气氛通过消除支撑件的气密密封而保持基本相同通过保持体（1）陶瓷构件（4）或通过控制气体的引入和排出。

10. 发明申请

WO2003074759A1 半導体又は液晶製造装置审中-公开
标题翻译：制造半导体或液晶的装置
公开(公告)号：WO2003074759A1
公开(公告)日：2003-09-12
申请号：PCT/JP2003/002432
申请日：2003-03-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： C23C16/458
CPC分类号： H01L21/68792 , C23C16/4409 , C23C16/458 , C23C16/4583 , H01L21/67103
摘要： An apparatus for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal, which has a reaction vessel (9) and, disposed therein, a ceramic holder (1) having a resistance heating element (3) buried in the inside thereof and a cylindrical supporting member (2) which supports the ceramic holder (1) with one end (2a) thereof and has the other end (2b) fixed to the reaction vessel (9), wherein the one end (2a) of the cylindrical supporting member (2) is joined gas-tightly to the ceramic holder (1) and the other end (2b) is gas-tightly sealed with a partition plate (6) and a sealing agent (7) inside the cylindrical member. In the apparatus, the space within the cylindrical supporting member (2) partitioned by the ceramic holder (1) and partition plate (6) is preferably maintained under vacuum or in an inert gas atmosphere under reduced pressure. The apparatus for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal allows the operation for gas-tight sealing of the cylindrical supporting member to be performed with ease, allows the prevention of corrosion and oxidation of an electrode terminal (4) being exposed on the back face of the ceramic holder, the enhancement of temperature uniformity of the holder and the improvement of heat efficiency, and further allows the miniaturization of the reaction vessel through the decrease of the length of the cylindrical supporting member.
摘要翻译：一种半导体或液晶的制造装置，其具有反应容器（9），并且配置有具有埋在其内部的电阻加热元件（3）的陶瓷保持架（1）和圆筒状的支撑部件（2）），其一端（2a）支撑陶瓷支架（1），并且另一端（2b）固定在反应容器（9）上，其中圆柱形支撑构件（2）的一端（2a）接合气密地连接到陶瓷保持器（1），另一端（2b）在圆柱形构件内部用分隔板（6）和密封剂（7）气密密封。在该装置中，由陶瓷保持架（1）和分隔板（6）分隔的筒状支撑构件（2）内的空间优选在减压下或在惰性气体气氛中进行减压。用于制造半导体或液晶的装置允许容易地执行圆柱形支撑构件的气密密封的操作，从而防止电极端子（4）在背面暴露的腐蚀和氧化陶瓷保持器，保持器的温度均匀性的提高和热效率的提高，并且还可以通过减小圆筒形支撑构件的长度来使反应容器小型化。

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