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1. 发明申请

WO2004028208A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体的保持器和系统
公开(公告)号：WO2004028208A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/003379
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/20
CPC分类号： H01L21/68757 , H01L21/67103 , H01L21/67248
摘要：　ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。　セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等を有し、リード４が反応容器６を貫通して設けられたウエハー保持体１であって、リード４を筒状のガイド部材５内に収納し、ガイド部材５と反応容器６の間及びガイド部材５の内部で気密封止されている。ガイド部材５とセラミックス基体２は接合されておらず、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気が反応容器６内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。
摘要翻译：通过抑制晶片的保持和加热时的局部散热来提高晶片保持面的均匀加热性能的晶片保持器，以及适合于加工大直径晶片的半导体制造系统使用该晶片座。晶片架（1）包括埋在陶瓷基体（2）中的电阻加热器（3）和穿过反应容器（6）的引线（4），其中引线（4）容纳在引导构件（5）中，分别。引导构件（5）和反应容器（6）密封地密封，引导构件（5）的内部也被密封地密封。引导构件（5）和陶瓷基体（2）彼此不接合，并且内部密封的引导构件（5）中的陶瓷基体（2）侧的气氛与反应中的大致相同容器（6）。

2. 发明申请

WO2003077290A1 半導体製造装置用保持体审中-公开
标题翻译：半导体生产系统用夹具
公开(公告)号：WO2003077290A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：PCT/JP2003/002670
申请日：2003-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103
摘要： A holder for semiconductor production system in which occurrence of leak and spark is prevented in an electrode terminal and a lead wire for supplying power to a resistance heating element buried in the holder and soaking properties within ±1.0% can be attained in the holder. The holder for semiconductor production being disposed in a chamber supplied with reaction gas, comprises a ceramic holder (1) for holding material being processed (10) on the surface and incorporating resistance heating elements (2) for heating the materials being processed, and a supporting member (6) having one end for supporting the ceramic holder (1) at a part other than the surface for holding the material and the other end secured to the chamber, wherein the electrode terminal (3) and the lead wire (4) of the resistance heating element (2) provided at a part of the ceramic holder (1) other than the surface for holding the material are housed in an insulating tube (5).
摘要翻译：在保持器中可以获得半导体生产系统的保持器，其中在电极端子中防止发生漏电和火花，并且在保持器中可以获得用于向埋在保持器中的电阻加热元件供电的引线和在±1.0％内的均热性能。用于半导体生产的保持器设置在提供有反应气体的室中，包括用于在表面上保持被处理材料（10）的陶瓷保持器（1），并且包括用于加热待处理材料的电阻加热元件（2），以及支撑构件（6），其一端用于在保持材料的表面以外的部分处支撑陶瓷保持器（1），另一端固定到腔室，其中电极端子（3）和引线（4）设置在除了用于保持材料的表面之外的陶瓷保持器（1）的一部分处的电阻加热元件（2）容纳在绝缘管（5）中。

3. 发明申请

WO2004044500A1 ガス加熱方法及び加熱装置审中-公开
标题翻译：气体加热方法和气体加热装置
公开(公告)号：WO2004044500A1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/JP2003/013971
申请日：2003-10-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋倉学 , 仲田博彦
发明人：橋倉学 , 仲田博彦
IPC分类号： F24H3/04
CPC分类号： H01L21/67109 , F24H3/0405
摘要：　ガスによる腐蝕を受けず、高速昇温が可能なヒータを用いて、ガスを直接且つ効率的に加熱することができるガス加熱方法、及び小型で省エネ化されたガス加熱装置を提供する。　ガスの流路又は加熱室内に平板状のセラミックスヒータ３０又はセラミックスヒータを複数組み合わせたヒータユニットを、互い違いの階段状に複数配置してジグザグなガス流路Ａを形成し、ガス流路Ａに供給されるガスをセラミックスヒータ３０又はヒータユニットで直接加熱する。このガス加熱装置１０は、ＮＯｘ含有排ガスや有害又は有毒な排ガスの処理装置において、これらの排ガスやその希釈ガスの加熱に用いることができる。
摘要翻译：一种气体加热方法，其能够通过使用不被气体侵蚀并且被快速加热的加热器直接有效地加热气体，以及小型和节能的气体加热装置（10），该方法包括以下步骤：多个扁平陶瓷加热器（30）或具有多个陶瓷加热器的多个加热器单元交替地在气体流动通道或加热室中相互组合，以形成阶梯形状以形成锯齿形气体流动通道（A），并且用陶瓷加热器（30）或加热器单元直接加热供给到气体流路（A）中的气体; 气体加热装置（10）可用于在含NO x的废气和有毒或有毒的排气处理装置中加热含有NOx的废气和有害或有毒废气及其稀释气体。

4. 发明申请

WO2004030055A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体制造设备
公开(公告)号：WO2004030055A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012311
申请日：2003-09-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　加熱処理時の熱応力による固定筒状体及び／又は固定支持体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５及び／又は固定支持体の少なくとも２つが、一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种能够防止固定的圆柱体和/或固定支撑体在加热处理时被热应力损坏的晶片保持器，以及使用该晶片保持器的高度可靠的半导体制造装置，其中至少两个固定圆筒体（5）和/或固定支撑体一端固定在陶瓷加热器（2）上，并固定在另一端的反应容器（4）上，陶瓷加热器 2）为T1，陶瓷加热器（2）的热膨胀系数为α1，反应容器（4）的最大到达温度为T2，反应容器（4）的热膨胀系数为α2，a 在室温下陶瓷加热器（2）上的多个固定圆柱体（5）和/或固定支撑体之间的最长距离为L1，多个固定圆柱体（5）和/或固定的最长距离在室温下的反应容器（4）上的支撑体是L2，关系表达式的要求||（T1×α1×L1） - （T2×α2×L2）|| <= 0.7mm。

5. 发明申请

WO2003073483A1 半導体製造用加熱装置审中-公开
标题翻译：用于制造半导体的加热装置
公开(公告)号：WO2003073483A1
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/JP2003/002137
申请日：2003-02-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67103
摘要： A heating device for manufacturing a semiconductor capable of uniformly heating a processed material such as a wafer and specifically used for heat-curing resin film for photolithography in coater developers and heat-baking insulation film with low dielectric constants, comprising a holding body (1) of ceramics having a resistance heating element (2) buried therein and holding and heating the processed material such as the wafer (6), a tubular support member (4) for supporting the holding body (1) of ceramics, and a chamber (5) for storing the holding body (1) and the support member (4), wherein atmospheres in the tubular support member (4) and the chamber (5) are maintained substantially identical to each other by eliminating the air-tight sealing of the support member (4) by the holding body (1) ceramics or by controlling the introduction and discharge of gas.
摘要翻译：一种用于制造能够均匀加热诸如晶片的加工材料并且特别用于热涂覆显影剂中的光刻用树脂膜和用于低介电常数的热烘烤绝缘膜的半导体的加热装置，包括保持体（1）的陶瓷具有埋置在其中的电阻加热元件（2），并且保持和加热诸如晶片（6）的处理材料，用于支撑陶瓷的保持体（1）的管状支撑构件（4）和腔室（5）），用于存储保持体（1）和支撑构件（4），其中管状支撑构件（4）和腔室（5）中的气氛通过消除支撑件的气密密封而保持基本相同通过保持体（1）陶瓷构件（4）或通过控制气体的引入和排出。

6. 发明申请

WO2010110137A1 高周波電極の接続方法を改善したウエハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置审中-公开
标题翻译：用于改善连接高频电极的方法的保护器和在保持器保持器的半导体生产装置
公开(公告)号：WO2010110137A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2010/054506
申请日：2010-03-17
申请人：住友電気工業株式会社 , 三雲晃 , 西本悦弘 , 木村功一 , 仲田博彦
发明人：三雲　晃 , 西本　悦弘 , 木村　功一 , 仲田　博彦
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , H01J37/32577 , H01L21/67069 , H01L21/68792
摘要：　本発明は、異常過熱やパーティクルの発生のない信頼性の高い高周波電極回路を有するウエハ保持体及びそれを搭載した半導体製造装置を提供する。　本発明は、チャンバー内に設置され、高周波電極回路５が埋設されたウエハ保持部１と、ウエハ保持部１をそのウエハ載置面１ａの反対側の面１ｂから支持する支持部材２と、支持部材２に関してウエハ保持部１の反対側に設けられたアース部品３と、支持部材２の内部に挿通され、高周波電極回路５とアース部品３とを電気的に接続する導電性接続部品７とを有するウエハ保持体１０であって、導電性接続部品７は鉛直方向に変形能を有し、かつ、導電性接続部品７の主たる電流パスを担う接続部分が面接触で固着している。
摘要翻译：提供了具有高可靠性的高频电极电路的晶片保持器，其不会意外过热或产生颗粒。还提供了其上安装有晶片保持器的半导体制造装置。晶片保持器（10）包括设置在室内并具有嵌入其中的高频电极电路（5）的晶片保持部（1）支撑构件（2），其从与其上安装有晶片的保持部分的表面（1a）相对的一侧的表面（1b）支撑晶片保持部分（1）; 设置在所述晶片保持部件（1）的与所述支撑部件（2）相对的一侧的接地部分（3）; 以及导电连接部（7），其插入在所述支撑部件（2）的内部，并且电连接所述高频电极电路（5）和所述接地部（3）。导电连接部（7）具有垂直变形的能力，并且作为导电连接部（7）的一次电流路径的连接部通过表面接触而被锚定。

7. 发明申请

WO2007125802A1 熱伝達部材、凸状構造部材、電子機器、および電気製品审中-公开
标题翻译：热转印构件，推进结构构件，电子设备和电气产品
公开(公告)号：WO2007125802A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058450
申请日：2007-04-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 粟津知之 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 粟津知之 , 仲田博彦
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36
CPC分类号： H05K7/20963 , F28F3/048 , F28F13/18 , F28F19/02 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　熱伝達部材（２０）は、保持体（１）と、全体／あるいは一部が保持体（１）に対して斜めに傾斜するように配置された柱状体（２）とを備えている。柱状体（２）の各々は被接触体（２１）と接しており、かつ柱状体（２）の各々が被接触体（２１）との接触面の形状に沿って弾性変形及び／又は塑性変形することにより被接触体（２１）のうねりや粗さに沿って直接接触し、かつ柱状体（２）を介して熱を移動させる。
摘要翻译：提供一种传热构件（20），其包括保持部（1）和相对于保持部（1）全部或部分地倾斜设置的柱部（2）。支柱部分（2）分别与接触构件（21）接触，并且沿其表面的形状弹性和/或塑性单独变形以与接触构件（21）接触，从而直接与起伏或粗糙度接触的接触构件（21），并且通过柱部（2）传递热量。

8. 发明申请

WO2005017984A1 基板保持構造物および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板保持结构和基板处理装置
公开(公告)号：WO2005017984A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011836
申请日：2004-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 住友電気工業株式会社 , 田中澄 , 斎藤哲也 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：田中澄 , 斎藤哲也 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103
摘要：　本発明は、被処理基板を保持する基板保持構造物において、基板保持台の熱応力による破損を抑制することを目的としている。支柱先端部に基板保持台を設けた基板保持構造物において、前記支柱と前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面とで画成されたフランジ部を形成し、その際、前記内周面を、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大する傾斜面により形成し、さらに前記フランジ部が結合する前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に対応してＵ字型溝を形成する。
摘要翻译：本发明的目的是抑制用于保持处理对象衬底的衬底保持结构中的衬底保持平台的热应力断裂。在支柱前端设置有板保持平台的板保持结构中，柱与基板保持平台之间的接合部形成有由内周面和外周面限定的凸缘，在这种情况下，内周表面由倾斜表面形成，其中凸缘的内径朝向基板保持平台的下表面连续增大。此外，与凸缘接合的基板保持平台的下表面形成有与凸缘的外周面相对应的U形槽。

9. 发明申请

WO2004030411A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体生产系统
公开(公告)号：WO2004030411A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/003380
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/10
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　セラミックスヒータに固定された複数の固定筒状体を備え、加熱処理時の熱応力による固定筒状体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５の少なくとも２つが一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种晶片保持器，其包括固定到陶瓷加热器的多个管状体，并且可防止在热处理时由于热应力而引起的损坏，以及采用该晶片保持器的高可靠性半导体生产系统。至少两个固定的管状体（5）的一端固定在陶瓷加热器（2）上，另一端分别固定在反应容器（4）上，其中关系式（1×α1×L1） - （T2×α2×L2） = 0.7mm，假设T1是陶瓷加热器（2）的最高可达到的温度，α1是陶瓷加热器（2）的热膨胀系数，T2是反应室（4）的最高可达到的温度，α2 是反应室（4）的热膨胀系数，L1是常温下陶瓷加热器（2）上的多个固定管体（5）之间的最长距离，L2是多个固定的陶瓷加热器在常温下在反应室（4）上的管体（5）。

10. 发明申请

WO2002083596A1 セラミックス接合体、基板保持構造体および基板処理装置审中-公开
标题翻译：接合陶瓷制品，基板保持结构及处理基板的装置
公开(公告)号：WO2002083596A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/JP2002/003639
申请日：2002-04-11
申请人：住友電気工業株式会社 , 柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
发明人：柊平啓 , 夏原益宏 , 仲田博彦
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： H01L21/6833 , B32B18/00 , B32B2309/022 , B32B2315/02 , C04B35/44 , C04B35/581 , C04B37/005 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/96 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , Y10T279/23
摘要： A substrate-holding structure (1) for holding a substrate during the treatment of the substrate, which has a ceramic base article (2) for holding the substrate, a protective cylinder (7) joined to the ceramic base article (2), and a joining layer (8) which is disposed between the ceramic base article (2) and the protective cylinder (7) and joins the ceramic base article (2) and the protective cylinder (7), wherein the joining layer (8) contains a rare earth oxide, aluminum oxide and aluminum nitride in amounts of 2 to 70 mass %, 10 to 78 mass % and 2 to 50 mass %, respectively, provided that the joining layer (8) contains a rare earth oxide or an aluminum oxide in the largest amount among those of the above three components. The substrate-holding structure has excellent corrosion resistance, high gas-tightness and excellent dimensional accuracy, and also exhibits satisfactory durability even under mechanical or thermal stress.
摘要翻译：一种用于在处理基板期间保持基板的基板保持结构（1），其具有用于保持基板的陶瓷基底制品（2），与陶瓷基底制品（2）接合的保护筒（7），以及布置在陶瓷基底制品（2）和保护筒（7）之间并与陶瓷基底制品（2）和保护筒（7）接合的接合层（8），其中接合层（8）含有稀土氧化物，氧化铝和氮化铝的含量分别为2〜70质量％，10〜78质量％和2〜50质量％，条件是接合层（8）含有稀土氧化物或氧化铝是上述三个组成部分中最大的。基板保持结构具有优异的耐腐蚀性，高气密性和优异的尺寸精度，并且即使在机械或热应力下也表现出令人满意的耐久性。

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