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1. 发明申请

WO2004044500A1 ガス加熱方法及び加熱装置审中-公开
标题翻译：气体加热方法和气体加热装置
公开(公告)号：WO2004044500A1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/JP2003/013971
申请日：2003-10-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 橋倉学 , 仲田博彦
发明人：橋倉学 , 仲田博彦
IPC分类号： F24H3/04
CPC分类号： H01L21/67109 , F24H3/0405
摘要：　ガスによる腐蝕を受けず、高速昇温が可能なヒータを用いて、ガスを直接且つ効率的に加熱することができるガス加熱方法、及び小型で省エネ化されたガス加熱装置を提供する。　ガスの流路又は加熱室内に平板状のセラミックスヒータ３０又はセラミックスヒータを複数組み合わせたヒータユニットを、互い違いの階段状に複数配置してジグザグなガス流路Ａを形成し、ガス流路Ａに供給されるガスをセラミックスヒータ３０又はヒータユニットで直接加熱する。このガス加熱装置１０は、ＮＯｘ含有排ガスや有害又は有毒な排ガスの処理装置において、これらの排ガスやその希釈ガスの加熱に用いることができる。
摘要翻译：一种气体加热方法，其能够通过使用不被气体侵蚀并且被快速加热的加热器直接有效地加热气体，以及小型和节能的气体加热装置（10），该方法包括以下步骤：多个扁平陶瓷加热器（30）或具有多个陶瓷加热器的多个加热器单元交替地在气体流动通道或加热室中相互组合，以形成阶梯形状以形成锯齿形气体流动通道（A），并且用陶瓷加热器（30）或加热器单元直接加热供给到气体流路（A）中的气体; 气体加热装置（10）可用于在含NO x的废气和有毒或有毒的排气处理装置中加热含有NOx的废气和有害或有毒废气及其稀释气体。

2. 发明申请

WO2004030055A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体制造设备
公开(公告)号：WO2004030055A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012311
申请日：2003-09-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　加熱処理時の熱応力による固定筒状体及び／又は固定支持体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５及び／又は固定支持体の少なくとも２つが、一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５及び／又は固定支持体間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种能够防止固定的圆柱体和/或固定支撑体在加热处理时被热应力损坏的晶片保持器，以及使用该晶片保持器的高度可靠的半导体制造装置，其中至少两个固定圆筒体（5）和/或固定支撑体一端固定在陶瓷加热器（2）上，并固定在另一端的反应容器（4）上，陶瓷加热器 2）为T1，陶瓷加热器（2）的热膨胀系数为α1，反应容器（4）的最大到达温度为T2，反应容器（4）的热膨胀系数为α2，a 在室温下陶瓷加热器（2）上的多个固定圆柱体（5）和/或固定支撑体之间的最长距离为L1，多个固定圆柱体（5）和/或固定的最长距离在室温下的反应容器（4）上的支撑体是L2，关系表达式的要求||（T1×α1×L1） - （T2×α2×L2）|| <= 0.7mm。

3. 发明申请

WO2004030411A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：过滤器和半导体生产系统
公开(公告)号：WO2004030411A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/003380
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/10
CPC分类号： H01L21/68792 , H01L21/67103 , H05B3/143
摘要：　セラミックスヒータに固定された複数の固定筒状体を備え、加熱処理時の熱応力による固定筒状体の破損を防止したウエハー保持体、及びこのウエハー保持体を用いた信頼性の高い半導体製造装置を提供する。　固定筒状体５の少なくとも２つが一端をセラミックスヒータ２に、及び他端を反応容器４に固定され、セラミックスヒータ２の最高到達温度をＴ１、セラミックスヒータ２の熱膨張係数をα１、反応容器４の最高到達温度をＴ２、反応容器４の熱膨張係数をα２、複数の固定筒状体５間の常温におけるセラミックスヒータ２上での最長距離をＬ１、複数の固定筒状体５間の常温における反応容器４上での最長距離をＬ２としたとき、関係式｜(Ｔ１×α１×Ｌ１)−(Ｔ２×α２×Ｌ２)｜≦０.７ｍｍを満たしている。
摘要翻译：一种晶片保持器，其包括固定到陶瓷加热器的多个管状体，并且可防止在热处理时由于热应力而引起的损坏，以及采用该晶片保持器的高可靠性半导体生产系统。至少两个固定的管状体（5）的一端固定在陶瓷加热器（2）上，另一端分别固定在反应容器（4）上，其中关系式（1×α1×L1） - （T2×α2×L2） = 0.7mm，假设T1是陶瓷加热器（2）的最高可达到的温度，α1是陶瓷加热器（2）的热膨胀系数，T2是反应室（4）的最高可达到的温度，α2 是反应室（4）的热膨胀系数，L1是常温下陶瓷加热器（2）上的多个固定管体（5）之间的最长距离，L2是多个固定的陶瓷加热器在常温下在反应室（4）上的管体（5）。

4. 发明申请

WO2004028208A1 ウエハー保持体及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产半导体的保持器和系统
公开(公告)号：WO2004028208A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/003379
申请日：2003-03-19
申请人：住友電気工業株式会社 , 夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
发明人：夏原益宏 , 仲田博彦 , 柊平啓 , 橋倉学
IPC分类号： H05B3/20
CPC分类号： H01L21/68757 , H01L21/67103 , H01L21/67248
摘要：　ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。　セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等を有し、リード４が反応容器６を貫通して設けられたウエハー保持体１であって、リード４を筒状のガイド部材５内に収納し、ガイド部材５と反応容器６の間及びガイド部材５の内部で気密封止されている。ガイド部材５とセラミックス基体２は接合されておらず、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気が反応容器６内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。
摘要翻译：通过抑制晶片的保持和加热时的局部散热来提高晶片保持面的均匀加热性能的晶片保持器，以及适合于加工大直径晶片的半导体制造系统使用该晶片座。晶片架（1）包括埋在陶瓷基体（2）中的电阻加热器（3）和穿过反应容器（6）的引线（4），其中引线（4）容纳在引导构件（5）中，分别。引导构件（5）和反应容器（6）密封地密封，引导构件（5）的内部也被密封地密封。引导构件（5）和陶瓷基体（2）彼此不接合，并且内部密封的引导构件（5）中的陶瓷基体（2）侧的气氛与反应中的大致相同容器（6）。

5. 发明申请

WO2009017046A1 電気接続箱审中-公开
标题翻译：电连接盒
公开(公告)号：WO2009017046A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063382
申请日：2008-07-25
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社 , 清水達哉 , 橋倉学
发明人：清水達哉 , 橋倉学
IPC分类号： H02G3/16
CPC分类号： H02G3/03 , H05K7/20127 , H05K7/202
摘要：ケース１１内には断熱壁５３を上下方向に延ばして配設し、断熱壁５３とケース１１の内壁との間に、空気が上昇可能な上昇流通路５４と、空気が下降可能な下降流通路５５とを設け、断熱壁５３の上端及び下端にはそれぞれ、上昇流通路５４と下降流通路５５との間を連通する上側連通口５６及び下側連通口５７を設け、上昇流通路５４内に位置してリレー３４を配設し、ケース１１のうち下降流通路５５を構成する領域には、下降流通路５５内の空気の熱をケース１１の外部に放散する放熱壁部５８を設けた。
摘要翻译：在电连接箱中，隔热壁（53）在壳体（11）中垂直延伸。这形成在绝热壁（53）和壳体（11）的内壁之间，空气可以上升的上升流路（54）和空气可以下降的下降流路（55）。连接在上升流路（54）和下降流路（55）之间的上连通开口（56）和下连通开口（57）分别设置在隔热件的上端和下端墙（53）。继电器（34）放置在上升流路（54）中。在壳体（11）的区域中，形成下降流路（55）的区域设置有用于将下降流路（55）中的空气热释放到壳体外部的散热壁部（58）（11）。

6. 发明申请

WO2009113631A1 電気接続箱审中-公开
标题翻译：电接线盒
公开(公告)号：WO2009113631A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/JP2009/054797
申请日：2009-03-12
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社 , 橋倉学 , 高阪光昭 , 清水達哉
发明人：橋倉学 , 高阪光昭 , 清水達哉
IPC分类号： H02G3/16 , H05K7/06 , B60R16/02
CPC分类号： H05K7/20854 , B60R16/0238 , H01R31/065 , H05K7/026
摘要：ケーシング１１と、ケーシング１１内に収容される回路構成体１２と、を備える電気接続箱１０であって、回路構成体１２は、間隔を空けて並べた複数の第１バスバー２１と、隣り合う複数の第１バスバー２１同士の間に配されて第１バスバー２１と密着する合成樹脂材２２と、を備え、合成樹脂材２２は空気よりも熱伝導率が大きい。これにより、通電時に第１バスバー２１から発生した熱を合成樹脂材２２に伝達することができるので、電気接続箱１０が局所的に高温になることを抑制できる。
摘要翻译：电接线盒（10）包括容纳在壳体（11）中的壳体（11）和电路结构（12）。电路结构（12）包括间隔布置的多个第一母线（21）和设置在相邻的第一母线（21）之间并牢固地附接到第一母线（21）的合成树脂构件（22）。合成树脂构件（22）的热导率高于空气。由于在电连接期间从第一母线（21）产生的热可以传递到合成树脂构件（22），所以可以防止电接线盒（10）局部加热到高温。

7. 发明申请

WO2009008366A1 電気接続箱审中-公开
标题翻译：电连接盒
公开(公告)号：WO2009008366A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/JP2008/062160
申请日：2008-07-04
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社 , 橋倉学 , 清水達哉
发明人：橋倉学 , 清水達哉
IPC分类号： H02G3/16 , B60R16/02
CPC分类号： B60R16/0238
摘要：電気接続箱１０であって、回路基板１２と、回路基板１２に接続され、且つ回路基板１２から離間する方向に延びる導電部材（第１バスバー１５、第２バスバー１６、第１接続金具、第２接続金具、又はリード端子４９）と、導電部材のうち回路基板１２と反対側に位置する端部に配設されたリレー３４と、回路基板１２を収容し、且つリレー３４に対応する位置に開口部５６が設けられたケース１１とを備え、リレー３４は開口部５６においてケース１１の外部に露出する。
摘要翻译：电连接盒（10）具有电路板（12），导电构件（第一汇流条（15），第二汇流条（16），第一连接配件，第二连接配件或引线端子）离开电路板（12）的方向，设置在位于电路板（12）相对侧的导电部件的该端的继电器（34）和用于接收电路板（12），并且具有设置在与所述继电器（34）对应的位置处的开口（56）。继电器（34）在开口（56）处暴露于壳体（11）的外部。

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