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    • 6. 发明申请
    • イオン注入方法、及び、イオン注入装置
    • 离子植入系统和离子植入系统
    • WO2005066385A1
    • 2005-07-21
    • PCT/JP2005/000072
    • 2005-01-06
    • 株式会社イデアルスター笠間 泰彦表 研次横尾 邦義
    • 笠間 泰彦表 研次横尾 邦義
    • C23C14/48
    • B82Y10/00B82Y30/00B82Y40/00C01B32/15C01B32/152C23C14/0605C23C14/48H01J37/32412H01L51/0046H01M8/1016H01M2300/0091Y02E10/549Y02P70/521Y02P70/56
    •  内包原子イオンに加速電極を用いて加速エネルギーを与え、堆積基板上に予め形成しておいた空のフラーレン膜に内包原子を注入する内包フラーレンの製造方法では、イオンビームを構成する荷電粒子が同一極性のイオンである内包原子イオンのみであるので、荷電粒子間で斥力が働き、特に、低エネルギーのイオン注入においてイオンビームが発散するため、フラーレン膜に高密度のイオンを注入することが困難で、内包フラーレンの収率が低いという問題があった。  内包原子イオンからなる荷電粒子及び該内包原子イオンと反対極性の荷電粒子とを含むプラズマを、磁場発生手段により発生させた均一磁場により、堆積基板上の空のフラーレン膜まで輸送し、該堆積基板に印加したバイアス電圧により内包原子に加速エネルギーを与え、該フラーレン膜に内包原子を注入することにした。プラズマを構成する荷電粒子間に引力が働きプラズマが発散しないので、低エネルギーのイオン注入においても、高密度のイオン注入が可能であり、内包フラーレンの収率を向上できる。
    • 在内面富勒烯制造方法中,通过使用加速电极对原子离子加速能量,将原子注入到预先在积聚基板上形成的空的富勒烯膜中。 该常规方法存在的问题是,由于构成离子束的带电粒子只是具有相同极性的原子离子,因此排斥力在带电粒子之间起作用,特别是在注入低能量离子时,离子束扩散。 因此,难以将高密度离子注入到富勒烯膜中,内面富勒烯的产率低。 包含要包含的原子离子的带电粒子和具有与要包含的原子离子相反极性的带电粒子的等离子体通过由磁场产生装置产生的均匀的磁场而被携带到积聚基板上的空的富勒烯。 通过施加到积聚基板的偏置电压将加速能量施加到要被包含的原子,并将原子注入到富勒烯膜中。 由于吸引力在构成等离子体的带电粒子与等离子体之间发挥功能,所以不会扩散,即使在注入低能量离子的情况下也能够注入高密度的离子,从而提高了内嵌式富勒烯的产率。
    • 9. 发明申请
    • 金属内包炭素クラスター製造装置用プラズマイオン源
    • 金属二氧化碳生产设备的等离子体源
    • WO2006013974A1
    • 2006-02-09
    • PCT/JP2005/014432
    • 2005-08-05
    • 株式会社イデアルスター横尾 邦義笠間 泰彦表 研次小松 健一郎
    • 横尾 邦義笠間 泰彦表 研次小松 健一郎
    • H05H1/24H01J37/32H01L21/265
    • H01L21/265H01J27/26H01J37/32009
    •  金属内包炭素クラスターを高能率、高収率で製造するために、安定して大量に内包元素を含むプラズマの流れを生成できる高密度イオン源が必要とされている。金属内包炭素クラスター製造装置用の高密度イオン源が実現できれば、これを半導体デバイス製造用イオン打ち込み装置で必要とされる不純物注入イオン源としても活用したい。  本発明は、前記課題を解決するために、以下の構成を採用した。すなわち、内包対象元素を真空容器(イオンチャンバー)内で高温の金属電極と接触させて、イオン化する。接触電離できなかった中性元素に高温電極部から発生する熱電子を加速して衝突させ、イオン化率を高める。前述のイオンチャンバーにはイオン引き出し電極部があって、イオンチャンバー内で生成したプラズマから帯電したイオンを引き出して、イオンを必要とする内包化処理部にイオンビームとして提供する。
    • 为了以高产率高效率地生产金属 - 碳二元簇,需要一种高密度离子源,其能够大量稳定地产生含有内含电子成像元件的等离子体流。 在实现金属 - 碳二元簇生产装置的高密度离子源时,也希望将其用作用于半导体器件生产的离子注入装置所需的杂质注入离子源。 为了满足这一要求,采用以下手段。 将内壁捕获的元件与真空容器(离子室)中的高温金属电极接触,从而实现电离。 从高温电极部发出的热量被加速并与未接触电离的中性元件碰撞,从而提高电离比。 上述离子室配备有离子提取电极部分,使得从离子室产生的等离子体中提取任何带电离子,从而将离子作为离子束供给到需要离子的内部结构部分。