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1. 发明申请

WO2004026763A1 内包フラーレンの製造方法及び製造装置审中-公开
标题翻译：生产含有富勒烯的方法及其制造方法
公开(公告)号：WO2004026763A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/012098
申请日：2003-09-22
申请人：株式会社イデアルスター , 畠山力三 , 平田孝道 , 横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
发明人：畠山力三 , 平田孝道 , 横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
摘要：　より収率性よく内包フラーレンを製造することが可能な内包フラーレンの製造方法及び製造装置を提供すること。　真空容器１と、内包対象原子のプラズマ流２を形成するための手段３，４と、プラズマ流２にフラーレンを導入するための手段８と、プラズマ流２の下流に配置する同心円状に分割された複数の分割プレート５ａ，５ｂ，５ｃを保持するための保持手段６と、各分割プレート５ａ，５ｂ，５ｃに任意のバイアス電圧を印加するためのバイアス印加手段７ａ，７ｂ，７ｃとを有している。
摘要翻译：公开了一种以更高的产率生产含氟富勒烯的方法及其设备。该装置包括：真空容器（1），用于产生待包含的原子的等离子体电流（2）的装置（3,4）;用于将富勒烯引入等离子体电流（2）的装置（8），保持装置），用于保持在等离子体电流（2）的下游区域同心分割配置的多个分割板（5a，5b，5c），以及用于施加任意偏压的偏压施加装置（7a，7b，7c）分隔板（5a，5b，5c）。

2. 发明申请

WO2006085576A1 プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法审中-公开
标题翻译：等离子体源，离子源和离子发生方法
公开(公告)号：WO2006085576A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/JP2006/302243
申请日：2006-02-09
申请人：株式会社イデアルスター , 笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義 , 小松健一郎
发明人：笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義 , 小松健一郎
IPC分类号： B01J19/08 , C01B31/02 , C01D15/00 , H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J27/26 , H01J37/08 , H01J37/3171
摘要： A thermal electrode for generating ions by spraying steam or gas containing atoms to be ionized onto the surface thereof. A thermal electrode (1) constituted of layers of metal sheets each having a plurality of openings significantly increases the steam-containing surface area of the thermal electrode to thereby enhance an ionizing efficiency and enable a large ion current to be picked up. A thermal electrode constituted of fine tungsten wires or the like can produce heat when a current is delivered to the thermal electrode itself without the need of heating the thermal electrode by a heater, thereby giving the effect of improving a heat energy utilizing efficiency.
摘要翻译：一种用于通过喷射含有待离子化的原子的蒸汽或气体来产生离子的热电极。由具有多个开口的金属板层构成的热电极（1）显着增加了热电极的含蒸汽表面积，从而提高了离子化效率，能够提取大的离子电流。由细钨丝等构成的热电极可以在电流自身传递到热电极时产生热量，而不需要通过加热器加热热电极，从而提高利用效率的效果。

3. 发明申请

WO2006041099A1 内包フラーレンの製造方法、及び、内包フラーレンの製造装置审中-公开
标题翻译：生产内啡肽和内啡肽生产装置的方法
公开(公告)号：WO2006041099A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018802
申请日：2005-10-12
申请人：株式会社イデアルスター , 横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
发明人：横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152
摘要：　内包フラーレンを精製する方法としては、従来、溶媒抽出法又は液体クロマトグラフィー法が用いられていたが、内包フラーレンと空のフラーレンを効率的に分離することができず、純度の高い内包フラーレンを大量に精製することができないという問題があった。　内包フラーレンの生成物を電離して、内包フラーレンイオンと不純物イオンからなるプラズマを形成し、バイアス電圧を印加した基板上に選択的に内包フラーレンイオンを堆積させることにした。純度の高い内包フラーレンを効率よく精製することが可能になった。
摘要翻译：作为内生富勒烯的纯化方法，已经采用溶剂萃取技术和液相色谱技术。但是，由于内含富勒烯与中空富勒烯的有效分离是不可行的，因此不能获得高纯度内嵌式富勒烯的质量纯化。提供了一种方法，其包括电离内生富勒烯产物，以便产生由内嵌富勒烯离子和杂质离子组成的等离子体，并且在施加了偏置电压的基底上进行内置富勒烯离子的选择性沉积。因此，实现高纯度内生富勒烯的有效纯化变得可行。

4. 发明申请

WO2005066385A1 イオン注入方法、及び、イオン注入装置审中-公开
标题翻译：离子植入系统和离子植入系统
公开(公告)号：WO2005066385A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：PCT/JP2005/000072
申请日：2005-01-06
申请人：株式会社イデアルスター , 笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義
发明人：笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義
IPC分类号： C23C14/48
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152 , C23C14/0605 , C23C14/48 , H01J37/32412 , H01L51/0046 , H01M8/1016 , H01M2300/0091 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y02P70/56
摘要：　内包原子イオンに加速電極を用いて加速エネルギーを与え、堆積基板上に予め形成しておいた空のフラーレン膜に内包原子を注入する内包フラーレンの製造方法では、イオンビームを構成する荷電粒子が同一極性のイオンである内包原子イオンのみであるので、荷電粒子間で斥力が働き、特に、低エネルギーのイオン注入においてイオンビームが発散するため、フラーレン膜に高密度のイオンを注入することが困難で、内包フラーレンの収率が低いという問題があった。　内包原子イオンからなる荷電粒子及び該内包原子イオンと反対極性の荷電粒子とを含むプラズマを、磁場発生手段により発生させた均一磁場により、堆積基板上の空のフラーレン膜まで輸送し、該堆積基板に印加したバイアス電圧により内包原子に加速エネルギーを与え、該フラーレン膜に内包原子を注入することにした。プラズマを構成する荷電粒子間に引力が働きプラズマが発散しないので、低エネルギーのイオン注入においても、高密度のイオン注入が可能であり、内包フラーレンの収率を向上できる。
摘要翻译：在内面富勒烯制造方法中，通过使用加速电极对原子离子加速能量，将原子注入到预先在积聚基板上形成的空的富勒烯膜中。该常规方法存在的问题是，由于构成离子束的带电粒子只是具有相同极性的原子离子，因此排斥力在带电粒子之间起作用，特别是在注入低能量离子时，离子束扩散。因此，难以将高密度离子注入到富勒烯膜中，内面富勒烯的产率低。包含要包含的原子离子的带电粒子和具有与要包含的原子离子相反极性的带电粒子的等离子体通过由磁场产生装置产生的均匀的磁场而被携带到积聚基板上的空的富勒烯。通过施加到积聚基板的偏置电压将加速能量施加到要被包含的原子，并将原子注入到富勒烯膜中。由于吸引力在构成等离子体的带电粒子与等离子体之间发挥功能，所以不会扩散，即使在注入低能量离子的情况下也能够注入高密度的离子，从而提高了内嵌式富勒烯的产率。

5. 发明申请

WO2007123208A1 フラーレンベース材料、及びフラーレンベース材料の製造方法审中-公开
标题翻译：基于富勒烯的材料和生产富勒烯基材料的方法
公开(公告)号：WO2007123208A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/058644
申请日：2007-04-20
申请人：株式会社イデアルスター , 岡田洋史 , 柴田昌紀 , 横尾邦義 , 溝渕裕三 , 表研次 , 笠間泰彦
发明人：岡田洋史 , 柴田昌紀 , 横尾邦義 , 溝渕裕三 , 表研次 , 笠間泰彦
IPC分类号： C01B31/02 , B82B1/00 , C08K9/00 , C08L101/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/15 , C01B32/152
摘要：　内包フラーレンの分離精製には、トルエンを用いた溶媒洗浄を用い残渣物中に内包フラーレンを濃縮していたが、内包フラーレン以外の不純物を十分に除去することができないために効率的な精製を行うことができなかった。　クロロナフタレン、テトラリンなど内包フラーレンの溶解度が高い溶媒を用いて、溶媒中に内包フラーレンを濃縮して内包フラーレンの分離精製を行うことにした。溶媒抽出により分離精製した内包フラーレンは空のフラーレンで取り囲まれたクラスター構造をしており、内包フラーレンの安定性が高く、医療、エレクトロニクスなどさまざまな分野に利用可能な有用な材料である。
摘要翻译：在封装的富勒烯的分离和纯化中，通过使用甲苯的溶剂洗涤将包封的富勒烯浓缩在残余物中。然而，由于不能充分除去包封的富勒烯以外的杂质，不能进行有效的纯化。决定通过使用包封的富勒烯如氯萘或四氢化萘具有高溶解度的溶剂，通过将包封的富勒烯浓缩在溶剂中来进行封装的富勒烯的分离和纯化。通过溶剂萃取分离和纯化的封装的富勒烯具有由空的富勒烯包围的簇结构，并且封装的富勒烯的稳定性高，因此它是可用于各种领域的有用材料，例如医疗和电子领域。

6. 发明申请

WO2006095812A1 線状発光素子及び表示装置审中-公开
标题翻译：线性发光装置和显示器
公开(公告)号：WO2006095812A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/JP2006/304595
申请日：2006-03-09
申请人：株式会社イデアルスター , 横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
发明人：横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次
IPC分类号： H01J65/00 , H01J11/00 , H01J11/02 , H01J61/92
CPC分类号： H01J11/18 , H01J9/241
摘要：　現在広く用いられている大型表示パネルは平面基板上に作製されている。その製造には、高真空を用いた成膜装置、高度な微細加工装置、複雑な製造プロセスが必要であり、製造コストが高いという問題があった。　中空線状体の内面に誘電体膜、蛍光体膜を順に堆積し、電極を備えた線状発光素子を作製した。さらに、該発光素子を織ることにより表示パネルを作製した。比較的簡単な装置、簡単なプロセスで大型の表示パネルを製造することができ、製造コストの低減に効果がある。
摘要翻译：目前广泛使用的大型显示面板形成在平面基板上。这种大型显示面板由于需要使用高真空度的成膜装置，先进的微细加工装置和复杂的生产工艺，所以生产成本高。通过在中空线状材料的内表面上依次沉积介电膜和荧光膜来制造具有电极的线性发光装置。通过编织这种线性发光装置制造显示面板。因此，可以通过相对简单的装置和简单的工艺制造大型显示面板，从而降低生产成本。

7. 发明申请

WO2006013974A1 金属内包炭素クラスター製造装置用プラズマイオン源审中-公开
标题翻译：金属二氧化碳生产设备的等离子体源
公开(公告)号：WO2006013974A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014432
申请日：2005-08-05
申请人：株式会社イデアルスター , 横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次 , 小松健一郎
发明人：横尾邦義 , 笠間泰彦 , 表研次 , 小松健一郎
IPC分类号： H05H1/24 , H01J37/32 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01J27/26 , H01J37/32009
摘要：　金属内包炭素クラスターを高能率、高収率で製造するために、安定して大量に内包元素を含むプラズマの流れを生成できる高密度イオン源が必要とされている。金属内包炭素クラスター製造装置用の高密度イオン源が実現できれば、これを半導体デバイス製造用イオン打ち込み装置で必要とされる不純物注入イオン源としても活用したい。　本発明は、前記課題を解決するために、以下の構成を採用した。すなわち、内包対象元素を真空容器（イオンチャンバー）内で高温の金属電極と接触させて、イオン化する。接触電離できなかった中性元素に高温電極部から発生する熱電子を加速して衝突させ、イオン化率を高める。前述のイオンチャンバーにはイオン引き出し電極部があって、イオンチャンバー内で生成したプラズマから帯電したイオンを引き出して、イオンを必要とする内包化処理部にイオンビームとして提供する。
摘要翻译：为了以高产率高效率地生产金属 - 碳二元簇，需要一种高密度离子源，其能够大量稳定地产生含有内含电子成像元件的等离子体流。在实现金属 - 碳二元簇生产装置的高密度离子源时，也希望将其用作用于半导体器件生产的离子注入装置所需的杂质注入离子源。为了满足这一要求，采用以下手段。将内壁捕获的元件与真空容器（离子室）中的高温金属电极接触，从而实现电离。从高温电极部发出的热量被加速并与未接触电离的中性元件碰撞，从而提高电离比。上述离子室配备有离子提取电极部分，使得从离子室产生的等离子体中提取任何带电离子，从而将离子作为离子束供给到需要离子的内部结构部分。

8. 发明申请

WO2006013936A1 誘導フラーレン製造装置及び製造方法並びに誘導フラーレン审中-公开
标题翻译：感兴趣的FULLERENE生产设备和生产方法和诱导FULLERENE
公开(公告)号：WO2006013936A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014324
申请日：2005-08-04
申请人：株式会社イデアルスター , 畠山力三 , 横尾邦義 , 平田孝道 , 笠間泰彦 , 表研次
发明人：畠山力三 , 横尾邦義 , 平田孝道 , 笠間泰彦 , 表研次
IPC分类号： C01B31/02 , B01J19/08
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828 , B01J2219/085 , B01J2219/0869 , B01J2219/0875 , B01J2219/0898 , B82Y30/00 , C01B32/15 , C01B32/152
摘要：　高収率に誘導フラーレンを製造できる装置及び方法を提供する。　誘導対象物である窒素ガスを、プラズマ流発生室、高温プラズマ流形成室に導入して、窒素イオンと電子からなる高温プラズマ流を形成する。グリッド１０５に負の電圧を供給して高温プラズマ流中の電子エネルギーを低下させておく。そしてフラーレン昇華用オーブン１０７から導入されたフラーレンに衝突させることにより、フラーレンに電子を付着してイオン化する。誘導フラーレン蓄積室では、プラズマ流を囲むように回収用円筒１１２を配置する。この誘導フラーレン蓄積室では、窒素置換ヘテロフラーレン、窒素内包フラーレン等の誘導フラーレンが生成して、回収用円筒１１２に堆積する。
摘要翻译：一种以高产率生产感应富勒烯的装置和方法。将待诱导物体的氮气引入等离子体流产生室和高温等离子体流形成室，以形成由氮离子和电子组成的高温等离子体流。栅极（105）施加负电压以在高温等离子体流中保持低电子能量。然后，从富勒烯升华炉（107）引入的富勒烯与电子碰撞，将电子键合到富勒烯上进行离子化。回收圆筒（112）设置在感应富勒烯蓄积室中以包围等离子体流。在该感应富勒烯蓄积室中，产生并且在回收圆筒（112）上沉积诸如氮取代杂富勒烯和含氮富勒烯的感应富勒烯。

9. 发明申请

WO2005054127A1 誘導フラーレンの製造装置及び製造方法审中-公开
标题翻译：衍生丰富的生产设备和方法
公开(公告)号：WO2005054127A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/018057
申请日：2004-12-03
申请人：株式会社イデアルスター , 笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義
发明人：笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： H05B6/806 , B01J19/126 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B01J2219/1227 , B01J2219/182 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152 , Y02P20/124
摘要：　プラズマ中電子の高効率加熱を実現し得て、誘導フラーレンの収率向上が可能な誘導フラーレンの製造装置を提供する。　マイクロ波発信器と、ミラー磁場形成コイルと、４位相制御ヘリカルアンテナとを備えたプラズマ生成手段により高電子温度プラズマを生成できるので、誘導対象イオンの生成効率が向上し、誘導フラーレンの収率が向上する。
摘要翻译：通过实现等离子体中的电子的高效加热来以高产率制造衍生富勒烯的装置。可以使用包括微波发生器，镜场产生线圈和四相控制螺旋天线的等离子体产生装置来制造高电子温度等离子体。结果，提高了衍生对象的离子产生效率，提高了产生衍生物富勒烯的产率。

10. 发明申请

WO2008140024A1 ガスセンサー、これを用いた気体計測システム、およびそのための気体検知モジュール审中-公开
标题翻译：气体传感器，使用气体传感器的气体测量系统和气体测量系统的气体检测模块
公开(公告)号：WO2008140024A1
公开(公告)日：2008-11-20
申请号：PCT/JP2008/058571
申请日：2008-05-08
申请人：株式会社イデアルスター , 学校法人東京理科大学 , 笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義 , 溝渕裕三 , 大泉春菜 , 才田守彦 , 相模寛之 , 溝上員章 , 古川猛夫
发明人：笠間泰彦 , 表研次 , 横尾邦義 , 溝渕裕三 , 大泉春菜 , 才田守彦 , 相模寛之 , 溝上員章 , 古川猛夫
IPC分类号： G01N27/22
CPC分类号： G01N27/226 , G01N27/12
摘要：　半導体の製造設備における個別のガス配管にも設置可能な超小型となりうるガスセンサー、これを用いた気体計測システム、およびそのための気体検知モジュールを提供する。誘電性半導体を有し、気体の吸着状態に応じて導電率が変化する気体検知素子と、気体検知素子に対して直列に接続された静電容量部と、気体検知素子および静電容量部を含む電気素子の電気的端部に夫々接続された一対の電極とを備え、この一対の電極に印加される極性反転を含み周期的に変化する電圧に応じて変化する電気的応答から、気体検知素子への気体の吸着状態を検知可能とすることを特徴とするガスセンサー。
摘要翻译：提供了一种超小型的气体传感器，其被设置用于半导体制造设备中的分离的气体管道，使用这种气体传感器的气体测量系统和用于这种气体测量系统的气体检测模块。气体传感器设置有气体检测元件，其具有介电半导体并且改变对应于气体吸附状态的导电性; 与气体检测元件串联连接的电容部; 以及分别连接到电气元件的电端部的一对电极，包括气体检测元件和电容部。气体传感器基于根据施加到具有周期性变化的一对电极的电压（包括极性反转）而变化的电响应来检测气体检测元件的气体吸附状态。

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