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1. 发明申请

WO2006118055A1 無線送信装置、ポーラ変調送信装置及び無線通信装置审中-公开
标题翻译：无线电发射装置，极性调制发射装置和无线通信装置
公开(公告)号：WO2006118055A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/308440
申请日：2006-04-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 森本滋 , 松浦徹 , 足立寿史 , 石田薫
发明人：原義博 , 森本滋 , 松浦徹 , 足立寿史 , 石田薫
IPC分类号： H04B1/04 , H04Q7/38
CPC分类号： H04B1/406 , H04B1/0483
摘要：　電力効率が良好なマルチモード動作の無線送信装置を提供する。高周波信号処理回路１０１の無線ＧＳＭ／ＥＤＧＥ（ＵＢ）信号形成回路１０１－３から出力された変調信号は、ＧＳＭ変調信号出力時は高周波電力増幅器１０４に、ＥＤＧＥ変調信号出力時は高周波電力増幅器１０５に出力されるようにスイッチ１１５、１１７を切り替える。これにより、ＥＤＧＥ変調信号を、ＥＤＧＥ変調信号と最大出力電力や包絡線変動の有無に関して親和性のあるＵＭＴＳ変調信号用の高周波電力増幅器１０５を使用して電力増幅するので、ＥＤＧＥ変調方式の無線信号を高効率で電力増幅できるようになる。
摘要翻译：一种多模式操作的无线电发送装置，其功率效率优异。操作开关（115,117），使得来自高频信号处理电路（101）的无线电GSM / EDGE（UB）信号形成电路（101-3）的调制信号在高频功率放大器（104）期间被输出到高频功率放大器在输出EDGE调制信号期间输出GSM调制信号或输出到高频功率放大器（105）。以这种方式，EDGE调制信号通过使用用于UMTS调制信号的高频功率放大器（105）而被功率放大，该调制信号对于EDGE调制信号的最大输出功率或存在/不存在的包络变化，使得EDGE调制系统的无线电信号能够以高效率放大。

2. 发明申请

WO2006082894A1 送信装置及び無線通信装置审中-公开
标题翻译：发射机和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2006082894A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/JP2006/301775
申请日：2006-02-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 松浦徹
发明人：原義博 , 松浦徹
IPC分类号： H04B1/04 , H03F1/02 , H03F3/24
CPC分类号： H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0227 , H03F3/72 , H03F2200/324 , H03F2200/451
摘要：　送信出力信号（Ｓ６）の電力レベルが大きくなる第１モードでは、掛算器（２）の出力が振幅変調信号増幅器（４）へ入力され、振幅変調信号増幅器（４）からの電源電圧によって高周波電力増幅器（５）で非線形領域を用いた高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅変調が行われる。送信出力信号（Ｓ６）の電力レベルが小さくなる第２モードでは、掛算器（２）の出力が可変利得増幅器（７）へ入力され、可変利得増幅器（７）において高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅変調が行われる。振幅変調された信号は、高周波電力増幅器（５）を通過することなく出力される。
摘要翻译：在发送输出信号（S6）的功率电平增加的第一模式中，从乘法器（2）的输出被输入到幅度调制信号放大器（4），高频功率放大器（5）进行高调制通过使用非线性区域，来自幅度调制信号放大器（4）的电源电压的高频相位调制信号（S4）。在发送输出信号（S6）的功率电平降低的第二模式中，从乘法器（2）输出的第二模式被输入到可执行高频相位调制信号（S4）的幅度调制的可变增益放大器（7）。输出幅度调制信号而不通过高频功率放大器（5）。

3. 发明申请

WO2005015757A1 送信装置、送信電力制御方法および無線通信装置审中-公开
标题翻译：传输设备，传输功率控制方法和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2005015757A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/JP2004/009764
申请日：2004-07-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 荒屋敷護 , 原義博 , 宇田川昌治
发明人：荒屋敷護 , 原義博 , 宇田川昌治
IPC分类号： H04B1/04
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/025 , H04W52/52
摘要：本発明の課題は、電力効率が良好で、かつ送信出力電力の制御範囲が広い送信装置、送信電力制御方法およびこの送信装置を用いた無線通信装置を提供することである。高出力電力時には高周波電力増幅器（５）を非線形増幅器として動作させて、送信信号の電力増幅時の電力効率を向上させることができる。また、低出力電力時には、高周波電力増幅器（５）を線形増幅器として動作させて、送信出力電力の制御範囲を広くとることができる。さらに、高周波電力増幅器（５）が非線形増幅器として動作する時に、高周波電力増幅器（５）の入力レベルを可変利得増幅器（７）により送信信号の平均出力電力に応じて変化させることにより、リーク電力を低減して送信出力電力の制御範囲を広くとることができる。
摘要翻译：提供了具有优选的功率效率和广泛的发送输出功率控制范围的发送装置和发送功率控制方法以及使用该发送装置的无线通信装置。在高功率输出期间，高频功率放大器（5）作为非线性放大器工作，从而提高了发射信号功率放大期间的功率效率。此外，在低功率输出期间，高频功率放大器（5）作为线性放大器工作，从而获得传输输出功率的宽的控制范围。此外，当高频功率放大器（5）作为非线性放大器工作时，高频功率放大器（5）的输入电平根据可变增益放大器（7）的发送信号的平均输出功率而改变），从而降低泄漏功率并获得传输输出功率的宽的控制范围。

4. 发明申请

WO2005036739A1 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置审中-公开
标题翻译：传输设备，传输输出控制方法和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2005036739A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/011722
申请日：2004-08-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 荒屋敷護
发明人：原義博 , 荒屋敷護
IPC分类号： H03G3/00
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/02 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03G3/004 , H03G3/3042 , H03G2201/103 , H03G2201/307 , H03G2201/40 , H04B2001/045
摘要：本発明の課題は、高効率で線形性が良好でかつ広範囲な出力レベルをカバーすることができる送信装置を提供することである。　動作モード指定信号（１０７）に基づいて、高周波電力増幅器（１５）の動作モードを線形動作モードまたは飽和動作モードのいずれか１つに指定する。高周波電力増幅器（１５）の前段に設けられた可変利得増幅器（１４）の利得、および電源電圧／バイアス電流制御回路（１７）から高周波電力増幅器（１５）に供給される出力電圧（１０９）およびバイアス電流の値が切り替わる。飽和動作モードの場合、可変利得増幅器（１４）の利得は、線形動作モードの場合よりも所定量だけ大きくなるように構成されている。これにより、高周波電力増幅器１５は、指定された動作モードで動作し、出力送信電力範囲を広くとれる。
摘要翻译：可以提供能够表现出高效率和优选的线性度并且覆盖宽范围的输出电平的传输装置。根据操作模式指定信号（107），将高频功率放大器（15）的操作模式指定为线性操作模式或饱和操作模式。布置在高频功率放大器（15）的前级的可变增益放大器（14）的增益，从电源电压/偏置电流控制电路（17）提供的高频功率放大器（15）的输出电压（109）功率放大器（15），偏置电流值从一个切换到另一个。在饱和运行模式的情况下，使可变增益放大器（14）的增益大于线性运行模式预定量的增益。因此，高频功率放大器（15）在指定的运行模式下工作，可以获得宽范围的输出发送功率。

5. 发明申请

WO2002082526A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2002082526A1
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/JP2002/003365
申请日：2002-04-03
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
发明人：森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L29/802 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L28/55 , H01L29/1054 , H01L29/783 , H01L29/78687
摘要： A silicon oxide film (102), a Pt film (103x), a Ti film (104x), and a PZT film (105x) are deposited on an Si substrate (101) in order. The Si substrate (101) is placed in a chamber (106), and the PZT film (105x) is irradiated with a millimeter wave (108). By the irradiation, the dielectric films such as the PZT film can be locally heated. Thus, the leak characteristics of the dielectric films can be improved without adversely influencing the device on the Si substrate (101).
摘要翻译：在Si衬底（101）上依次沉积氧化硅膜（102），Pt膜（103x），Ti膜（104x）和PZT膜（105x）。将Si衬底（101）放置在室（106）中，并用毫米波（108）照射PZT膜（105x）。通过照射，可以局部加热诸如PZT膜的电介质膜。因此，可以提高电介质膜的泄漏特性，而不会对Si衬底（101）上的器件产生不利影响。

6. 发明申请

WO2002061842A1 半導体結晶膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体晶体薄膜及其制备方法
公开(公告)号：WO2002061842A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/JP2002/000737
申请日：2002-01-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 神澤好彦 , 齋藤徹 , 能澤克弥 , 久保実 , 原義博 , 高木剛 , 川島孝啓
发明人：神澤好彦 , 齋藤徹 , 能澤克弥 , 久保実 , 原義博 , 高木剛 , 川島孝啓
IPC分类号： H01L29/161
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L29/155 , H01L29/1608 , H01L29/7378 , H01L29/802
摘要： A multilayer film (10) in which a plurality of Si1-x1-y1Gex1Cy1 (0 y2) layers having a composition having a greater proportion of Ge, such as Si0.2Ge0.8 layer (12), are alternately laminated. The multilayer film allows the expansion of the range wherein a semiconductor crystal layer having C atoms in lattice positions is capable of functioning as a SiGeC layer to a composition having a greater proportion of Ge.
摘要翻译：多层膜（10），其中具有Ge比例较低的组成的多个Si1-x1-y1Gex1Cy1（0 y2）例如Si0.2Ge0.8层（12）交替层压。多层膜允许扩展范围，其中具有晶格位置的C原子的半导体晶体层能够作为具有较大比例Ge的组成的SiGeC层。

7. 发明申请

WO2005088842A1 送信装置及び無線通信装置审中-公开
标题翻译：传输设备和无线电通信设备
公开(公告)号：WO2005088842A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：PCT/JP2005/004127
申请日：2005-03-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 宇田川昌治 , 荒屋敷護 , 原義博
发明人：宇田川昌治 , 荒屋敷護 , 原義博
IPC分类号： H04B1/04
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0211 , H03F1/0261 , H03F1/32 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2203/45352 , H03F2203/45374 , H03F2203/45481 , H03G1/0023 , H03G3/3042 , H04B1/0483 , H04B2001/0416 , H04B2001/045
摘要：　電力効率が良好で、かつ送信出力電力の制御範囲が広い送信装置を提示する。ベースバンド振幅変調信号（Ｓ２）と利得制御信号（Ｓ１２）とに応じて高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅を変化させる高周波電力増幅器（１０５）の前段側に、ベースバンド振幅変調信号（Ｓ２）と利得制御信号（Ｓ１２）とに応じて高周波位相変調信号（Ｓ４）の振幅を変化させる可変利得増幅部（２０１）を設け、ベースバンド振幅変調信号（Ｓ２）をリニア−ｌｏｇ変換部（２０６）を介して可変利得増幅器（２０３）に供給するようにする。
摘要翻译：提供了具有优选的功率效率和宽的发送输出功率的控制范围的发送装置。在用于根据基带幅度调制信号（S2）和增益控制信号（S12）改变高频相位调制信号（S4）的振幅的高频功率放大器（105）的前级侧，提供了用于根据基带幅度调制信号（S2）和增益控制信号（S12）改变高频相位调制信号（S4）的振幅的可变增益放大器（201），使得基极频带幅度调制信号（S2）经由线性对数转换单元（206）提供给可变增益放大器（203）。

8. 发明申请

WO2002086976A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2002086976A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/JP2002/003890
申请日：2002-04-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
发明人：井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/783 , H01L29/78606 , H01L29/78687 , H01L29/802
摘要： A semiconductor layer (30) of a gradient SiGe-HDTMOS is composed of an upper Si film (12), an Si buffer layer (13), an Si1-xGex film (14), and an Si cap layer (15). Between the source region (20a) and the drain region (20b) of the semiconductor layer (30), a high-concentration n-type Si body region (22), an n Si region (23), an Si cap region (25), and an SiGe channel region (24) are provided. The Ge composition ratio x of the Si1-xGex film (14) increases from the Si buffer layer (13) toward the Si cap layer (15). In a p-type HDTMOS, the electron current of the substrate current decreases.
摘要翻译：梯度SiGe-HDTMOS的半导体层（30）由上部Si膜（12），Si缓冲层（13），Si1-xGex膜（14）和Si覆盖层（15）构成。在半导体层（30）的源极区域（20a）和漏极区域（20b）之间，形成高浓度n型Si体区域（22），n + Si区域（23），Si 帽区域（25）和SiGe沟道区域（24）。 Si1-xGex膜（14）的Ge组成比x从Si缓冲层（13）向Si覆盖层（15）增加。在p型HDTMOS中，衬底电流的电子电流降低。

9. 发明申请

WO2004070847A1 電界効果トランジスタ及びその製造方法、相補型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法和补充场效应晶体管
公开(公告)号：WO2004070847A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/001321
申请日：2004-02-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 高木剛
发明人：原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/783 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L27/092
摘要：　半導体基板の上に設けられた第１導電型の不純物を含むボディ領域を有する半導体層と、半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、半導体層のうち、ゲート電極の側下方に位置する領域に設けられ、第２導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域とを備え、ゲート電極とボディ領域とが電気的に短絡されている電界効果トランジスタであって、半導体層からソース領域及びドレイン領域を除いた領域のうち、ソース領域またはドレイン領域との接合部の少なくとも一部は、ボディ領域のうちソース領域及びドレイン領域との接合部を除く部分よりも高濃度で第１導電型の不純物を含んでいる。
摘要翻译：场效应晶体管包括设置在半导体衬底上并具有包含第一导电类型的杂质的体区的半导体层，设置在半导体层上的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的栅电极以及源极和漏极在栅电极下方对角设置半导体层并含有第二导电类型杂质的区域。栅电极与身体区域电短路。第一导电类型的杂质的浓度至少部分地连接到除了源极和漏极区域之外的源极或漏极区域的半导体层的接合部分比在体区域中的结合部分的浓度高，源极和漏极区域。

10. 发明申请

WO2003098698A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003098698A1
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/JP2003/006173
申请日：2003-05-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
发明人：井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/76895 , H01L29/783 , H01L29/78615 , H01L29/78621
摘要：本発明の半導体装置及びその製造方法は、半導体基板の所定領域(110)の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上にゲート電極(G)を形成し、所定領域(110)の平面視におけるゲート電極(G)の両側に位置する部分にそれぞれソース領域及びドレイン領域(2)を形成し、所定領域(110)のうちのソース領域及びドレイン領域(2)を除く領域からなるボディ領域(4)とゲート電極(G)とを電気的に接続するコンタクト(C1)を形成し、コンタクト(C1)のゲート電極(G)への接続部分を、平面視においてゲート電極(G)に交差するように形成する。
摘要翻译：一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的预定区域（110）上形成栅极绝缘膜。栅电极（G）形成在栅绝缘膜上。当从上方观察预定区域（110）的栅电极（G）时，源极区域和漏极区域（2）分别形成在两侧。形成电连接由除了预定区域（110）的源极和漏极区域（2）之外的区域和栅极电极（G）构成的体区域（4）的触点（C1）。当从上方观察时，触点（C1）与栅电极（G）的接合部与栅电极（G）交叉。

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