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1. 发明申请

WO2002061842A1 半導体結晶膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体晶体薄膜及其制备方法
公开(公告)号：WO2002061842A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/JP2002/000737
申请日：2002-01-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 神澤好彦 , 齋藤徹 , 能澤克弥 , 久保実 , 原義博 , 高木剛 , 川島孝啓
发明人：神澤好彦 , 齋藤徹 , 能澤克弥 , 久保実 , 原義博 , 高木剛 , 川島孝啓
IPC分类号： H01L29/161
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L29/155 , H01L29/1608 , H01L29/7378 , H01L29/802
摘要： A multilayer film (10) in which a plurality of Si1-x1-y1Gex1Cy1 (0 y2) layers having a composition having a greater proportion of Ge, such as Si0.2Ge0.8 layer (12), are alternately laminated. The multilayer film allows the expansion of the range wherein a semiconductor crystal layer having C atoms in lattice positions is capable of functioning as a SiGeC layer to a composition having a greater proportion of Ge.
摘要翻译：多层膜（10），其中具有Ge比例较低的组成的多个Si1-x1-y1Gex1Cy1（0 y2）例如Si0.2Ge0.8层（12）交替层压。多层膜允许扩展范围，其中具有晶格位置的C原子的半导体晶体层能够作为具有较大比例Ge的组成的SiGeC层。

2. 发明申请

WO2002086976A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2002086976A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/JP2002/003890
申请日：2002-04-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
发明人：井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/783 , H01L29/78606 , H01L29/78687 , H01L29/802
摘要： A semiconductor layer (30) of a gradient SiGe-HDTMOS is composed of an upper Si film (12), an Si buffer layer (13), an Si1-xGex film (14), and an Si cap layer (15). Between the source region (20a) and the drain region (20b) of the semiconductor layer (30), a high-concentration n-type Si body region (22), an n Si region (23), an Si cap region (25), and an SiGe channel region (24) are provided. The Ge composition ratio x of the Si1-xGex film (14) increases from the Si buffer layer (13) toward the Si cap layer (15). In a p-type HDTMOS, the electron current of the substrate current decreases.
摘要翻译：梯度SiGe-HDTMOS的半导体层（30）由上部Si膜（12），Si缓冲层（13），Si1-xGex膜（14）和Si覆盖层（15）构成。在半导体层（30）的源极区域（20a）和漏极区域（20b）之间，形成高浓度n型Si体区域（22），n + Si区域（23），Si 帽区域（25）和SiGe沟道区域（24）。 Si1-xGex膜（14）的Ge组成比x从Si缓冲层（13）向Si覆盖层（15）增加。在p型HDTMOS中，衬底电流的电子电流降低。

3. 发明申请

WO2002082526A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2002082526A1
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/JP2002/003365
申请日：2002-04-03
申请人：松下電器産業株式会社 , 森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
发明人：森田清之 , 三宅正司 , 上田路人 , 大塚隆 , 西川孝司 , 井上彰 , 高木剛 , 原義博 , 久保実
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L29/802 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L28/55 , H01L29/1054 , H01L29/783 , H01L29/78687
摘要： A silicon oxide film (102), a Pt film (103x), a Ti film (104x), and a PZT film (105x) are deposited on an Si substrate (101) in order. The Si substrate (101) is placed in a chamber (106), and the PZT film (105x) is irradiated with a millimeter wave (108). By the irradiation, the dielectric films such as the PZT film can be locally heated. Thus, the leak characteristics of the dielectric films can be improved without adversely influencing the device on the Si substrate (101).
摘要翻译：在Si衬底（101）上依次沉积氧化硅膜（102），Pt膜（103x），Ti膜（104x）和PZT膜（105x）。将Si衬底（101）放置在室（106）中，并用毫米波（108）照射PZT膜（105x）。通过照射，可以局部加热诸如PZT膜的电介质膜。因此，可以提高电介质膜的泄漏特性，而不会对Si衬底（101）上的器件产生不利影响。

4. 发明申请

WO2004077570A1 バイポーラトランジスタおよび集積回路装置审中-公开
标题翻译：双极晶体管和集成电路器件
公开(公告)号：WO2004077570A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/JP2004/002317
申请日：2004-02-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 岩永順子 , 高木剛 , 浅井明 , 齊藤徹 , 神澤好彦
发明人：岩永順子 , 高木剛 , 浅井明 , 齊藤徹 , 神澤好彦
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/0804 , H01L29/1004 , H01L29/7378
摘要：　ＳｉＧｅ−ＨＢＴ１００では、Ｇｅの組成比が一定（１５％）に分布しているところにベース−エミッタ接合があり、ベース−エミッタ接合付近に形成される空乏層の端部ＡおよびＢは共に、Ｇｅ組成比が一定（１５％）の領域に分布している。つまり、ベース−エミッタ接合付近に形成される空乏層は、ｎ型エミッタ層５ａの内部にのみ形成される。
摘要翻译：对于SiGe-HBT（100），在Ge组成比分布常数（15％）的区域中存在基极发射极结，并且在该附近形成耗尽层的两端（A，B）基极发射极结分布在恒定Ge组成比（15％）的区域。也就是说，形成在基极发射极结附近的耗尽层仅设置在n型发射极层（5a）的内部。

5. 发明申请

WO2004075301A1 バイポーラトランジスタおよび集積回路装置审中-公开
标题翻译：双极晶体管和集成电路器件
公开(公告)号：WO2004075301A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001849
申请日：2004-02-18
申请人：松下電器産業株式会社 , 岩永順子 , 高木剛 , 浅井明 , 神澤好彦
发明人：岩永順子 , 高木剛 , 浅井明 , 神澤好彦
IPC分类号： H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7378 , H01L29/0817 , H01L29/1004
摘要：　図１に示すように、ＳｉＧｅ−ＨＢＴ１００は、Ｓｉ半導体基板１上に形成されている。Ｓｉ半導体基板１の上部には、Ｓｉ半導体からなるｎ型コレクタ層２と、トレンチ分離領域９ａおよび９ｂが形成されている。また、Ｓｉ半導体基板１上の領域Ｒａでは、ｎ型コレクタ層２の上にＳｉＧｅ半導体からなるｐ型ベース層３と、ＳｉＧｅ半導体からなるｎ型エミッタ層４と、Ｓｉ半導体からなるｎ型エミッタ層５とが形成されており、ｐ型ベース層３に隣接して外部ベース層１０が形成されている。特にＳｉＧｅ−ＨＢＴ１００では、ｐ型ベース層３の最上部およびｎ型エミッタ層４は、キャリアのライフタイムがｎ型コレクタ層２と比べて短くなる短ライフタイム領域１１となっている。
摘要翻译：如图1所示，在Si半导体衬底（1）上制造SiGe-HBT（100）。在Si半导体衬底（1）的上部设置有Si半导体的n型集电极层（2）和沟槽隔离区（9a，9b）。在Si半导体衬底（1）上的区域（Ra）中，n型集电极层（2）上的SiGe半导体的p型基极层（3），n型发射极层 SiGe半导体，Si半导体的n型发射极层（5）和与p型基极层（3）相邻的外部基极层（10）。特别地，p型基极层（3）和n型发射极层（4）的最上部是短寿命区域（11），其中载流子的寿命短于n型集电极层（2）。

6. 发明申请

WO2004070847A1 電界効果トランジスタ及びその製造方法、相補型電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法和补充场效应晶体管
公开(公告)号：WO2004070847A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/JP2004/001321
申请日：2004-02-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 高木剛
发明人：原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/783 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L27/092
摘要：　半導体基板の上に設けられた第１導電型の不純物を含むボディ領域を有する半導体層と、半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、半導体層のうち、ゲート電極の側下方に位置する領域に設けられ、第２導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域とを備え、ゲート電極とボディ領域とが電気的に短絡されている電界効果トランジスタであって、半導体層からソース領域及びドレイン領域を除いた領域のうち、ソース領域またはドレイン領域との接合部の少なくとも一部は、ボディ領域のうちソース領域及びドレイン領域との接合部を除く部分よりも高濃度で第１導電型の不純物を含んでいる。
摘要翻译：场效应晶体管包括设置在半导体衬底上并具有包含第一导电类型的杂质的体区的半导体层，设置在半导体层上的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的栅电极以及源极和漏极在栅电极下方对角设置半导体层并含有第二导电类型杂质的区域。栅电极与身体区域电短路。第一导电类型的杂质的浓度至少部分地连接到除了源极和漏极区域之外的源极或漏极区域的半导体层的接合部分比在体区域中的结合部分的浓度高，源极和漏极区域。

7. 发明申请

WO2003098698A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003098698A1
公开(公告)日：2003-11-27
申请号：PCT/JP2003/006173
申请日：2003-05-19
申请人：松下電器産業株式会社 , 井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
发明人：井上彰 , 浅井明 , 大西照人 , 空田晴之 , 原義博 , 高木剛
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L21/76895 , H01L29/783 , H01L29/78615 , H01L29/78621
摘要：本発明の半導体装置及びその製造方法は、半導体基板の所定領域(110)の上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上にゲート電極(G)を形成し、所定領域(110)の平面視におけるゲート電極(G)の両側に位置する部分にそれぞれソース領域及びドレイン領域(2)を形成し、所定領域(110)のうちのソース領域及びドレイン領域(2)を除く領域からなるボディ領域(4)とゲート電極(G)とを電気的に接続するコンタクト(C1)を形成し、コンタクト(C1)のゲート電極(G)への接続部分を、平面視においてゲート電極(G)に交差するように形成する。
摘要翻译：一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的预定区域（110）上形成栅极绝缘膜。栅电极（G）形成在栅绝缘膜上。当从上方观察预定区域（110）的栅电极（G）时，源极区域和漏极区域（2）分别形成在两侧。形成电连接由除了预定区域（110）的源极和漏极区域（2）之外的区域和栅极电极（G）构成的体区域（4）的触点（C1）。当从上方观察时，触点（C1）与栅电极（G）的接合部与栅电极（G）交叉。

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