专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009041397A1 原料ガスの供給システム及び成膜装置审中-公开
标题翻译：原始气体供应系统和电子装置
公开(公告)号：WO2009041397A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/067118
申请日：2008-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 山本薫 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 山本薫 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/448 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4481 , Y10T137/8158 , Y10T137/8376
摘要：　原料ガス供給システム６は、減圧雰囲気になされたガス使用系２に対して原料ガスを供給する。システムは、液体原料または固体原料を貯留する原料タンク４０と、原料タンクに一端が接続されガス使用系に他端が接続された原料通路４６と、原料タンク内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給機構５４と、原料通路の途中に介設された開閉弁４８，５０と、原料通路および開閉弁を加熱するヒータ６４と、ヒータを制御する温度制御部９２と、を有する。原料通路および前記開閉弁は、良好な熱伝導性を有した金属材料を用いて、形成されている。
摘要翻译：设置有用于将原料气体供给到设置在减压气氛中的气体使用系统（2）的原料气体供给系统（6）。该系统包括用于储存液体材料或固体材料的材料罐（40），其一端连接到材料罐并且在另一端连接到气体使用系统的材料通道（46），载气供应机构（54），用于向所述材料罐的内部供给载气，设置在所述材料通道的中途的开/关阀（48和50），用于加热所述材料通道和所述通/断阀的加热器（64），以及用于控制加热器的温度控制单元（92）。材料通道和ON / OFF阀由具有优异导热性的金属材料形成。

2. 发明申请

WO2009034893A1 基板載置機構、基板処理装置、基板載置機構上への膜堆積抑制方法及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：基板放置机构，基板处理装置，用于抑制基板放置机构上的膜沉积的方法和存储介质
公开(公告)号：WO2009034893A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065874
申请日：2008-09-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏 , 山本薫
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏 , 山本薫
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：　被処理基板が載置される基板載置機構であって、被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体２１ｂが埋設されたヒータープレート２１と、少なくともヒータープレート２１の被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされる温調ジャケット２２と、を具備する。
摘要翻译：提供了一种基板放置机构，由此放置待处理的基板。基板放置机构设置有加热板（21），该加热板具有表面（21a），其中放置有待加工的基板（W），并且具有嵌入其中的加热体（21b），用于将基板加热成膜沉积膜的温度。衬底放置机构还设置有温度调节护套（22），其形成为覆盖加热器板（21）的除了衬底放置表面（21a）的表面之外的至少一个表面，并将温度调节为非成膜温度低于成膜温度。

3. 发明申请

WO2009034895A1 基板載置機構及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板放置机构和基板处理装置
公开(公告)号：WO2009034895A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/065877
申请日：2008-09-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 前川伸次 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/4401 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/68742
摘要：　被処理基板が載置される基板載置機構であって、被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体が埋設され、広径部９４ｂと狭径部９４ａとを有する第１のリフトピン挿通孔８１ａを備えたヒータープレート２１と、少なくとも被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされ、広径部９２ｂと狭径部９２ａとを有する第２のリフトピン挿通孔８１ｃを備えた温調ジャケットと、広径部９４ｂに挿通可能な蓋部９３ｂと、広径部９４ｂ及び狭径部９４ａの双方に挿通可能な軸部９３ａとを備えた第１のリフトピン２４ｂ－１と、広径部９２ｂに挿通可能な蓋部９１ｂと、広径部９２ｂ及び狭径部９２ａの双方に挿通可能な軸部９１ａとを備えた第２のリフトピン２４ｂ－２とを具備する。
摘要翻译：提供了要放置待处理的基板的基板放置机构。基板放置机构设置有加热板（21），其具有要被放置的待加工基板的表面（21a），用于将待加工的基板（W）加热成膜成形的嵌入式加热体可以沉积膜的温度和具有大直径部分（94b）和小直径部分（94a）的第一提升插入孔（81a）; 形成为至少覆盖表面（21a）以外的表面的温度调节护套处于低于成膜温度的非成膜温度，具有大直径部分的第二提升销插入孔（81c）（92b）和小直径部分（92a）; 具有可插入大直径部分（94b）中的盖部分（93b）的第一提升销（24b-1）和可插入大直径部分（94b）的轴部分（93a）和小直径部分（94a）; 具有可插入大直径部分（92b）中的盖部分（91b）的第二提升销（24b-2）和可插入大直径部分（92b）的轴部分（91a））和小直径部（92a）。

4. 发明申请

WO2008123309A1 ガス供給方法及びガス供給装置审中-公开
标题翻译：气体供应方法和气体供应装置
公开(公告)号：WO2008123309A1
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：PCT/JP2008/055747
申请日：2008-03-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 原正道 , 五味淳 , 横山敦 , 田中利昌 , 前川伸次 , 多賀敏
发明人：原正道 , 五味淳 , 横山敦 , 田中利昌 , 前川伸次 , 多賀敏
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/52
摘要：　本発明は、原料容器内の固体原料を加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給方法において、消費区域に連通する処理ガス供給路にキャリアガスを通流させると共に、当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程（ａ）と、前記原料容器内の固体原料を加熱して、原料ガスを発生させる工程（ｂ）と、前記工程（ａ）と同じ流量のキャリアガスを前記原料容器内に供給して、このキャリアガスと共に前記原料ガスを前記処理ガス供給路に通流させながら当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程（ｃ）と、前記工程（ａ）で取得した圧力測定値と、前記工程（ｃ）で取得した圧力測定値と、キャリアガスの流量と、に基づいて、前記原料ガスの流量を演算する工程（ｄ）と、を備えたことを特徴とするガス供給方法である。
摘要翻译：将原料容器内的固体原料加热蒸发以产生供给到消耗区域的原料气体的气体供给方法。气体供给方法具有使载气流入与消耗区域连通的处理气体供给路径并测量处理气体供给路径中的气体压力的步骤（a）（b）加热包含在原料容器中的固体原料以生产原料气体; 将与步骤（a）中的载气相同流量的载气供给到原料容器并测量处理气体供给路径中的气体压力同时使原料气体与载体一起的步骤（c）气体流到处理气体供应路径; 以及步骤（d），其基于步骤（a）中获得的压力测量值，步骤（c）中获得的压力测量值和载气的流量来计算原料气体的流量。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式