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1. 发明申请

WO2002099868A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2002099868A1
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：PCT/JP2002/005386
申请日：2002-05-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 横山新 , 中島安理 , 多田吉秀 , 中村源志 , 今井正幸 , 米川司
发明人：横山新 , 中島安理 , 多田吉秀 , 中村源志 , 今井正幸 , 米川司
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/3185 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/45546 , C23C16/56 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/31662 , H01L21/3211 , Y10S438/909
摘要： A method of fabricating a semiconductor device, capable of improving the in−plane uniformity of a silicon nitride film or a silicon oxynitride film to be formed, and increasing a production efficiency at the film forming. The method comprises the steps of forming on a silicon substrate a first film consisting of a silicon oxide film or a silicon oxynitride film, forming a second film consisting of one tetrachlorosilane monomolecular layer, and nitriding the second film to form a third film consisting of one silicon nitride monomolecular layer. The second film forming step and the third film forming steps are repeated specified number of times to form a silicon nitride film of a specified film thickness. A fabrication device comprises a plurality of silicon substrates disposed on shelf−shaped wafer ports, a process gas being supplied toward above a reaction pipe from a process gas supply pipe.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，其能够提高要形成的氮化硅膜或氮氧化硅膜的面内均匀性，并提高成膜时的生产效率。该方法包括以下步骤：在硅衬底上形成由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成的第一膜，形成由一个四氯硅烷单分子层组成的第二膜，并将第二膜氮化以形成由一个氮化硅单分子层。重复指定次数的第二成膜步骤和第三成膜步骤以形成具有指定膜厚度的氮化硅膜。制造装置包括设置在搁板状晶片端口上的多个硅基板，从处理气体供给管向反应管的上方供给处理气体。

2. 发明申请

WO2004027857A1 半導体基板の処理方法审中-公开
标题翻译：加工半导体基板的方法
公开(公告)号：WO2004027857A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/011771
申请日：2003-09-16
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 米川司 , 鈴木啓介
发明人：米川司 , 鈴木啓介
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/3247 , H01L21/76232
摘要： A method for processing a semiconductor substrate comprises a step wherein a trench (16) is formed in the surface of a substrate (W) by etching the substrate (W) and a step wherein a corner portion (10) of the substrate which is at the entrance of the trench (16) is rounded off by heating the substrate (W). The step of rounding off the corner portion (10) includes a first heat treatment conducted in a hydrogen gas atmosphere wherein the process temperature (T) is 850 °C
摘要翻译：一种用于处理半导体衬底的方法包括以下步骤：通过蚀刻衬底（W）在衬底（W）的表面中形成沟槽（16），并且其中衬底的角部（10）处于通过加热衬底（W）使沟槽（16）的入口被倒圆。舍入角部（10）的步骤包括在氢气气氛中进行的第一热处理，其中工艺温度（T）为850℃

3. 发明申请

WO2004006322A1 被処理体の酸化方法审中-公开
标题翻译：氧化要处理的会员的方法
公开(公告)号：WO2004006322A1
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/JP2003/008609
申请日：2003-07-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 西田辰夫 , 米川司 , 鈴木啓介 , 佐藤亨
发明人：西田辰夫 , 米川司 , 鈴木啓介 , 佐藤亨
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/31658
摘要：窒化膜を熱酸化することにより膜質の良好な酸化膜及び窒化膜と酸化膜の積層構造を得ることが可能な被処理体の酸化方法を提供する。　一度に複数枚の被処理体Ｗを収容できる処理容器８内にて、表面に少なくとも窒化膜が露出している被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いると共に、プロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定し、且つプロセス温度を４００℃以上に設定して前記酸化を行なう。これにより複数枚の被処理体の表面の窒化膜を酸化するに際して、面間均一性が高く維持されて、しかも膜質の良好な酸化膜を得る。
摘要翻译：通过进行氮化膜的热氧化，可以获得氧化膜或氮化膜的层叠结构和膜质量高的氧化膜的氧化膜的氧化方法。特别地，一种氧化方法包括在能够同时容纳多个被处理物（W）的处理容器（8）中氧化被处理物的表面至少具有暴露在表面上的氮化物膜的表面，其中氧化为在真空环境中使用羟基活性物质和氧活性物质作为主要成分，同时将处理压力设定在133Pa以下，处理温度设定在400℃以上。在该方法中，在构成待处理的多个构件的表面的氮化膜的氧化中，不仅能够维持高的面间均匀性，而且可以获得高品质的氧化膜。

4. 发明申请

WO2004015750A1 熱処理方法及び熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：WO2004015750A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/010173
申请日：2003-08-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 鈴木啓介 , 王文凌 , 米川司 , 池内俊之 , 佐藤享
发明人：鈴木啓介 , 王文凌 , 米川司 , 池内俊之 , 佐藤享
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L22/20 , Y10T436/25
摘要： A heat treatment method having a step wherein plural zones of a heat treatment atmosphere in a reactor are respectively heated by plural heating means and a step wherein a thin film is formed on surfaces of plural substrates by introducing a treatment gas into the reactor. The heat treatment steps include a first heat treatment step wherein plural first substrates, each of which consumes less treatment gas than a product substrate, are used; a first measuring step wherein the thickness of a thin film is measured in each zone; a first setting step wherein a temperature preset value is set in each heating means so that the thickness of each film reaches the target value; a second heat treatment step wherein the preset temperature is used for plural second substrates, each of which consumes more treatment gas than the first substrate; a second measuring step wherein the thickness of a thin film formed on a surface of the second substrate is measured in each zone; a second correcting step wherein the preset temperature set in each heating means is corrected; and a third heat treatment step wherein the heat treatment steps are conducted on plural product substrates using the corrected temperature preset value.
摘要翻译：一种具有以下步骤的热处理方法，其中反应器中的热处理气氛的多个区域分别被多个加热装置加热，并且通过将处理气体引入反应器中而在多个基板的表面上形成薄膜的步骤。热处理步骤包括第一热处理步骤，其中使用多个第一衬底，每个第一衬底比产品衬底消耗更少的处理气体; 第一测量步骤，其中在每个区域中测量薄膜的厚度; 第一设定步骤，其中在每个加热装置中设置温度预设值，使得每个胶片的厚度达到目标值; 第二热处理步骤，其中预设温度用于多个第二基板，每个基板消耗比第一基板更多的处理气体; 第二测量步骤，其中在每个区域中测量形成在第二基板的表面上的薄膜的厚度; 第二校正步骤，其中校正在每个加热装置中设置的预设温度; 以及第三热处理步骤，其中使用校正的温度预设值对多个产品基板进行热处理步骤。

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