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1. 发明申请

WO2004015750A1 熱処理方法及び熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：WO2004015750A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/010173
申请日：2003-08-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 鈴木啓介 , 王文凌 , 米川司 , 池内俊之 , 佐藤享
发明人：鈴木啓介 , 王文凌 , 米川司 , 池内俊之 , 佐藤享
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L22/20 , Y10T436/25
摘要： A heat treatment method having a step wherein plural zones of a heat treatment atmosphere in a reactor are respectively heated by plural heating means and a step wherein a thin film is formed on surfaces of plural substrates by introducing a treatment gas into the reactor. The heat treatment steps include a first heat treatment step wherein plural first substrates, each of which consumes less treatment gas than a product substrate, are used; a first measuring step wherein the thickness of a thin film is measured in each zone; a first setting step wherein a temperature preset value is set in each heating means so that the thickness of each film reaches the target value; a second heat treatment step wherein the preset temperature is used for plural second substrates, each of which consumes more treatment gas than the first substrate; a second measuring step wherein the thickness of a thin film formed on a surface of the second substrate is measured in each zone; a second correcting step wherein the preset temperature set in each heating means is corrected; and a third heat treatment step wherein the heat treatment steps are conducted on plural product substrates using the corrected temperature preset value.
摘要翻译：一种具有以下步骤的热处理方法，其中反应器中的热处理气氛的多个区域分别被多个加热装置加热，并且通过将处理气体引入反应器中而在多个基板的表面上形成薄膜的步骤。热处理步骤包括第一热处理步骤，其中使用多个第一衬底，每个第一衬底比产品衬底消耗更少的处理气体; 第一测量步骤，其中在每个区域中测量薄膜的厚度; 第一设定步骤，其中在每个加热装置中设置温度预设值，使得每个胶片的厚度达到目标值; 第二热处理步骤，其中预设温度用于多个第二基板，每个基板消耗比第一基板更多的处理气体; 第二测量步骤，其中在每个区域中测量形成在第二基板的表面上的薄膜的厚度; 第二校正步骤，其中校正在每个加热装置中设置的预设温度; 以及第三热处理步骤，其中使用校正的温度预设值对多个产品基板进行热处理步骤。

2. 发明申请

WO2005043609A1 熱処理装置及び熱処理方法审中-公开
标题翻译：热处理设备和热处理方法
公开(公告)号：WO2005043609A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016213
申请日：2004-11-01
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 朴永哲 , 川村和広 , 王文凌
发明人：朴永哲 , 川村和広 , 王文凌
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/324
摘要： A heat treatment apparatus, comprising a treatment container storing a treated body, a plurality of heaters for heating the treatment container, a plurality of temperature sensors for detecting the temperatures of the treatment container at a plurality of specified positions, a storage part storing a thermal model for estimating the temperature of the treated body in the treatment container by using outputs from the plurality of temperature sensors and a recipe in which the specified temperature of the treated body is specified, and a control part predicting the temperature of the treated body by using the outputs from the plurality of temperature sensors and the thermal model and controlling the plurality of heaters to match the expected temperature of the treated body to the specified temperature of the treated body specified in the recipe. The thermal model is formed to estimate the temperature of the treated body in the treatment container as well as the temperature of the treatment container at at least one specified position by using the outputs from the plurality of temperature sensors. The specified temperature at the specified portion is also specified in the recipe.
摘要翻译：一种热处理装置，其特征在于，具备容纳处理体的处理容器，多个用于加热处理容器的加热器，多个温度传感器，用于检测处理容器在多个指定位置的温度;储存部，模型，用于通过使用来自多个温度传感器的输出和指定了处理体的规定温度的配方来估计处理容器中的处理体的温度，以及控制部，其通过使用预测被处理体的温度来自多个温度传感器的输出和热模型，并且控制多个加热器以将处理过的本体的预期温度与配方中规定的处理体的规定温度相匹配。热模型形成为通过使用来自多个温度传感器的输出来估计处理容器中的处理体的温度以及至少一个指定位置处的处理容器的温度。指定部分的指定温度也在配方中指定。

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