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1. 发明申请

WO2007020823A1 磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気ランダムアクセスメモリへのデータ読み書き方法审中-公开
标题翻译：磁性存储器单元，磁性随机存取存储器及其在磁性随机存取存储器中读/写数据的方法
公开(公告)号：WO2007020823A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/315528
申请日：2006-08-04
申请人：日本電気株式会社 , 沼田秀昭 , 大嶋則和 , 鈴木哲広 , 杉林直彦 , 石綿延行 , 深見俊輔
发明人：沼田秀昭 , 大嶋則和 , 鈴木哲広 , 杉林直彦 , 石綿延行 , 深見俊輔
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L27/228
摘要：　本発明は、トンネルバリヤ層の劣化を抑制することができる新たなＭＲＡＭのデータ書き込み方式を提供する。磁気メモリセル１は、磁気記録層１０と、非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は、磁化反転領域１３と、第１磁化固定領域１１と、第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は、反転可能な磁化を有し、ピン層３０と対向する。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向及び第２方向は共に、磁化反転領域１３へ向かう方向、又は、磁化反転領域１３から離れる方向である。
摘要翻译：提供了一种用于MRAM的新型数据写入方法，由此可以抑制隧道势垒层的劣化。磁存储单元（1）设置有磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的销层（30）。磁记录层（10）具有磁化切换区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化开关区域（13）设置有可切换磁化并且面向销层（30）。第一磁化固定区域（11）连接到磁化切换区域（13）的第一边界（B1），并且磁化方向固定在第一方向上。第二磁化固定区域（12）连接到磁化切换区域（13）的第二边界（B2），并且磁化方向在第二方向固定。第一方向和第二方向都是朝向磁化切换区域（13）的方向或离开磁化切换区域（13）的方向。

2. 发明申请

WO2007119708A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2007119708A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057839
申请日：2007-04-09
申请人：日本電気株式会社 , 石綿延行 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
发明人：石綿延行 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L23/367 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
摘要：　本発明による磁気ランダムアクセスメモリは、反転可能な磁化を有する磁化反転領域を備え、面内方向に書き込み電流が流される磁気記録層と、固定された磁化を有する磁化固定層と、磁化反転領域と磁化固定層との間に設けられた非磁性層と、磁気記録層に対向するように設けられ、磁気記録層で発生した熱を受け取って放熱する機能を有する吸熱構造体とを具備する。このような磁気ランダムアクセスメモリは、吸熱構造体によって磁気記録層で発生した熱を放熱し、面内方向に流れる書き込み電流による温度上昇を抑制することができる。
摘要翻译：磁性随机存取存储器包括配备有具有可逆磁化的磁化反转区域并通过其使写入电流在面内方向上流动的磁记录层，具有固定磁化强度的磁化固定层，提供非磁性层在磁化反转区域和磁化固定层之间，以及与磁记录层相对设置并具有接收在磁记录层中产生的热量和散热的功能的吸热结构。这种磁性随机存取存储器可以通过使用吸热结构辐射在磁记录层中产生的热量，并且防止由写入电流在面内方向上流动引起的温度上升。

3. 发明申请

WO2008047536A1 磁気メモリセルおよび磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆体和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008047536A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068522
申请日：2007-09-25
申请人：日本電気株式会社 , 本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
发明人：本田雄士 , 崎村昇 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：磁気メモリセル１は強磁性層である磁気記録層１０と非磁性層２０を介して磁気記録層１０に接続されたピン層３０とを備える。磁気記録層１０は磁化反転領域１３と第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２を有する。磁化反転領域１３は反転可能な磁化を有し、ピン層３０と重なる。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、その磁化の向きは第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、その磁化の向きは第２方向に固定される。第１方向と第２方向は互いに逆方向を向いている。
摘要翻译：公开了一种包括由铁磁层组成的磁记录层（10）和通过非磁性层（20）连接到磁记录层（10）的引脚层（30）的磁存储单元（1）。磁记录层（10）具有磁化反转区域（13），第一磁化固定区域（11）和第二磁化固定区域（12）。磁化反转区域（13）具有可逆磁化并与引脚层（30）重叠。第一磁化固定区域（11）连接到磁化反转区域（13）的第一边界（B1），并且其磁化沿第一方向固定。第二磁化固定区域（12）连接到磁化反转区域（13）的第二边界（B2），并且其磁化固定在第二方向上。第一方向和第二方向彼此相反。

4. 发明申请

WO2008108109A1 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁记忆体和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008108109A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/JP2008/050535
申请日：2008-01-17
申请人：日本電気株式会社 , 志村健一 , 沼田秀昭 , 深見俊輔
发明人：志村健一 , 沼田秀昭 , 深見俊輔
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要：　磁気メモリセルは、固定層４と記録層２と非磁性体層３と電極部２１と電極部２２とを具備する。固定層４は、磁化方向が固定された強磁性体を含む。記録層２は、固定層４の磁化方向と自身の磁化方向との相対的関係により情報を記憶する強磁性体を含む。非磁性体層３は、記録層２と固定層４との間に設けられている。電極部２１は、記録層２の一方の端部に電気的に接続されている。電極部２２は、記録層２の他方の端部に電気的に接続されている。書き込み電流が第１電極部２１及び電極部２２のいずれか一方から他方へ記録層２を介して供給されたとき、一方の端部及び他方の端部に、記録層２の磁化の方向に対して反平行の成分を含む端部磁化が生じ、記録層２の磁化は、端部磁化の方向へ向く。
摘要翻译：磁存储单元设置有固定层（4），记录层（2），非磁性层（3），电极部分（21）和电极部分（22）。固定层（4）包括其磁化方向固定的铁磁体。记录层（2）包括铁磁体，用于通过固定层（4）的磁化方向和记录层本身的磁化方向之间的相对关系来存储信息。非磁性层（3）布置在记录层（2）和固定层（4）之间。电极部（21）电连接到记录层（2）的一个端部。电极部（22）电连接到记录层（2）的另一端部。当通过记录层（2）将写入电流从第一电极部分（21）和电极部分（22）之一提供到另一个时，端部磁化包括不与记录层的磁化方向平行的分量（2）在一个端部和另一个端部处产生，并且记录层（2）的磁化指向端部部分磁化的方向。

5. 发明申请

WO2003092076A1 磁気メモリ、及びその動作方法审中-公开
标题翻译：磁记忆及其操作方法
公开(公告)号：WO2003092076A1
公开(公告)日：2003-11-06
申请号：PCT/JP2003/005030
申请日：2003-04-21
申请人：日本電気株式会社 , 三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
发明人：三浦貞彦 , 杉林直彦 , 沼田秀昭 , 辻清孝
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16
摘要：　本発明は、磁気トンネル接合のトンネル絶縁膜の欠陥を可能な限り排除し、磁気トンネル接合をメモリセルに使用するＭＲＡＭの不良ビットの発生を抑制するための技術を提供する。　本発明による磁気メモリは、基板と、基板の上面側を被覆する層間絶縁膜と、メモリセルと、層間絶縁膜を貫通するプラグとを備えている。メモリセルは、層間絶縁膜の上面側に形成された第１磁性体層と、第１磁性体層の上に形成されたトンネル絶縁層と、トンネル絶縁層の上に形成された第２磁性体層とを含む。プラグは、第１磁性体層に、電気的に接続されている。トンネル絶縁層のうち第１磁性体層と第２磁性体層との間に位置するトンネル電流通過部分のうちの少なくとも一部は、基板の表面に垂直な垂直方向においてプラグにオーバーラップしないように配置されている。
摘要翻译：尽可能地消除磁隧道结的隧道绝缘膜中的缺陷并利用存储器中的磁性隧道结抑制MRAM中的有缺陷位的产生的技术。磁存储器包括基板，覆盖基板的上表面侧的层间绝缘膜，存储单元和穿透层间绝缘膜的插塞。存储单元包括形成在层间绝缘膜的上表面侧上的第一磁性层，形成在第一磁性层上的隧道绝缘层和形成在隧道绝缘层上的第二磁性层。插头与第一磁性层电连接。位于第一和第二磁性层之间的隧道绝缘层的隧道电流通过部分被布置成至少部分地不与垂直于衬底的表面的方向上的插塞重叠。

6. 发明申请

WO2008108108A1 磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2008108108A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/JP2008/050344
申请日：2008-01-15
申请人：日本電気株式会社 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 沼田秀昭
发明人：鈴木哲広 , 大嶋則和 , 沼田秀昭
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/08
摘要：　ＭＲＡＭの磁気記録層１０は、第１磁化固定領域１１、第２磁化固定領域１２及び磁化反転領域１３を有する。磁化反転領域１３は反転可能な磁化を有し、ピン層とオーバーラップする。第１磁化固定領域１１は、磁化反転領域１３の第１境界Ｂ１に接続され、磁化の向きが第１方向に固定される。第２磁化固定領域１２は、磁化反転領域１３の第２境界Ｂ２に接続され、磁化の向きが第２方向に固定される。第１方向及び第２方向は共に、磁化反転領域１３へ向かう方向、又は、磁化反転領域１３から離れる方向である。磁化固定領域１１、１２の少なくとも一部分Ｒ１，Ｒ２における制動係数αは、磁化反転領域１３における制動係数αよりも大きい。
摘要翻译： MRAM的磁记录层（10）具有第一固定磁化区域（11），第二固定磁化区域（12）和反向磁化区域（13）。反向磁化区域（13）具有可逆磁化并且与引脚层重叠。第一固定磁化区域（11）连接到反向磁化区域（13）的第一边界（B1），并且磁化方向固定在第一方向上。第二固定磁化区域（12）连接到反向磁化区域（13）的第二边界（B2），并且磁化方向被固定到第二方向。第一和第二方向是朝向反向磁化区域（13）或远离反向磁化区域（13）的方向。固定磁化区域（11,12）的至少部分（R1，R2）的阻尼系数α大于反向磁化区域（13）的阻尼系数a。

7. 发明申请

WO2009031681A1 スイッチング素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：切换装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009031681A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/066174
申请日：2008-09-08
申请人：日本電気株式会社 , 東口達 , 沼田秀昭 , 遠藤浩幸
发明人：東口達 , 沼田秀昭 , 遠藤浩幸
IPC分类号： H01L29/786 , C01B31/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/105 , B82Y10/00 , G02B1/041 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , C08L101/12
摘要：　低温で製造可能なカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）分散膜を活性層に用いたスイッチング素子において、ＣＮＴとソース・ドレイン電極表面との十分な電気的コンタクト及び熱伝導性が得られないという問題があった。本発明のスイッチング素子においてはソース及びドレイン電極上に、カーボンナノチューブと金属材料の混合層、前記金属材料からなる金属層の順で積層された構造を有することによりＣＮＴ分散膜と電極表面とが電気的、機械的、熱的に強固に接触することができる。それにより低温、簡便、安価なプロセスで良好かつ安定したトランジスタ特性を示すスイッチング素子が得られる。
摘要翻译：使用可在低温下生产的碳纳米管（CNT）分散膜作为活性层的开关器件具有这样的问题，即在CNT和源/漏电极表面之间不能获得足够的电接触和热传导。本发明的开关装置通过具有碳纳米管和金属材料的混合层和金属材料的金属层的结构，在CNT分散膜和电极表面之间具有电，机械和热的良好的接触依次形成在源电极和漏电极上。因此，可以通过简单且低成本的工艺在低温下获得显示良好且稳定的晶体管特性的开关器件。

8. 发明申请

WO2009031525A1 カーボンナノチューブ構造物及び薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：碳纳米管结构和薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009031525A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/065745
申请日：2008-09-02
申请人：日本電気株式会社 , 遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
发明人：遠藤浩幸 , 東口達 , 沼田秀昭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/105 , B82Y10/00 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0579 , H01L51/0583 , H05K3/249 , H05K2201/026 , H05K2201/0329 , Y10T428/254
摘要：　カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子素子を作製する場合、特に先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する場合、先に形成された電極の上にＣＮＴを製膜しそのまま電子素子として利用している。この場合、カーボンナノチューブと電極が充分に接触しないと接触抵抗が大きくなり充分な素子特性が得られないという課題がある。先に形成された電極上にカーボンナノチューブ薄膜を形成する際、カーボンナノチューブの製膜前、若しくは製膜後に導電性有機高分子薄膜を形成し、接触抵抗を小さくする。
摘要翻译：在使用碳纳米管（CNT）的电子元件的制造中，特别是在预先形成的电极上形成碳纳米管薄膜时，在预先形成的电极上形成CNT的膜，将所得到的产物用作电子元件没有任何进一步的处理。在这种情况下，如果碳纳米管不充分地与电极接触，则接触电阻变大，因此不能获得令人满意的元件特性的问题。因此，在预先形成的电极上形成碳纳米管薄膜时，可以通过在形成碳纳米管膜之前或之后形成导电有机聚合物薄膜来降低接触电阻。

9. 发明申请

WO2008090696A1 磁気抵抗素子及び磁気記憶装置审中-公开
标题翻译：磁电元件和磁存储器件
公开(公告)号：WO2008090696A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2007/074426
申请日：2007-12-19
申请人：日本電気株式会社 , 加藤有光 , 沼田秀昭
发明人：加藤有光 , 沼田秀昭
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：　磁気抵抗素子は、第１磁性体４と、第２磁性体５と、第１磁性体４と第２磁性体５との間に挟まれた非磁性体６と、第２磁性体５における非磁性体６とは反対の側に接して設けられた反強磁性体７とを具備する。第１磁性体４は、データによって磁化方向が変化する第１領域８と、磁化方向が第１領域８と異なり、データに依らず磁化方向が概ね変わらず、第１領域８の一方の端部に結合した第２領域９とを有する。第２磁性体５及び反強磁性体７とは、いずれも第１領域８及び第２領域９に設けられている。第２磁性体５の磁化方向は、第１磁性体４の第１領域８の磁化方向とは異なる。
摘要翻译：磁阻元件设置有第一磁体（4）; 第二磁体（5）; 布置在第一磁性体（4）和第二磁性体（5）之间的非磁性体（6）; 和与第二磁性体（5）上的非磁性体（6）相对的一侧接触的反铁磁体（7）。第一磁性体（4）具有磁化方向随数据而变化的第一区域（8），具有与第一区域（8）的磁化方向不同的磁化方向的第二区域（9）具有所述磁化方向根据数据基本上不变，并且连接到所述第一区域（8）的一个端部。第二磁体（5）和反铁磁体（7）均布置在第一区域（8）和第二区域（9）中。第二磁性体（5）的磁化方向与第一磁性体（4）的第一区域（8）的磁化方向不同。

10. 发明申请

WO2009031336A1 半導体素子审中-公开
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：WO2009031336A1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：PCT/JP2008/057152
申请日：2008-04-11
申请人：日本電気株式会社 , 沼田秀昭 , 井原和紀
发明人：沼田秀昭 , 井原和紀
IPC分类号： H01L29/786 , B82B1/00 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C13/0014 , G11C13/025 , G11C2213/35 , G11C2213/73 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：　電流通路として複数のカーボンナノチューブを用いた半導体素子で、電極コンタクト部の接触抵抗を低減し、電気特性に優れた半導体素子を提供する。　複数のカーボンナノチューブ（１８）で構成された電流通路（１６）を有し、前記電流通路と接続された２つ以上の電極（１４、１５）を有し、前記電極のうち少なくとも１つ以上の電極が、金属とマルチウォール型のカーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、グラファイト粒子などのＳＰ２混成軌道を有する炭素材料（１７）の混合物で構成されることを特徴とする半導体素子。
摘要翻译：本发明提供一种使用多个碳纳米管作为电流路径的半导体元件，能够降低其电极接触部的接触电阻，并且具有优异的电气特性。该半导体元件的特征在于包括由多个碳纳米管（18）形成的电流路径（16）和连接到电流路径的两个或更多个电极（14,15），至少一个或多个电极为由具有SP2杂交轨道的碳材料（17）的混合物形成，所述碳材料（17）具有多壁碳纳米管，玻璃碳或石墨颗粒。

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