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1. 发明申请

WO2007049581A1 光学薄膜および光学素子とその製造方法审中-公开
标题翻译：光学薄膜，光学装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007049581A1
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/JP2006/321103
申请日：2006-10-24
申请人：住友電気工業株式会社 , 織田一彦 , 松浦尚 , 赤羽良啓 , 後利彦 , 今井貴浩
发明人：織田一彦 , 松浦尚 , 赤羽良啓 , 後利彦 , 今井貴浩
IPC分类号： G02B5/18
CPC分类号： G02B6/122 , G02B1/105 , G02B1/14 , Y10T428/265
摘要：　本発明の光学薄膜では、基板上に、少なくとも炭素と水素を主要成分として含む水素化炭素膜が形成されており、その上に、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、フッ化膜、または水素と炭素を主要成分として含む膜のいずれかからなる保護層が少なくとも一層以上積層されている。
摘要翻译：公开了一种光学薄膜，其中在基底上形成主要含有至少碳和氢的氢化碳膜，以及至少一个由氧化物膜，氮化物膜，氧氮化物膜，氟化物膜和氧化膜中的任一种构成的保护层，在氢化碳膜上形成主要含有氢和碳的膜。

2. 发明申请

WO2007029522A1 光学素子とその製造方法审中-公开
标题翻译：光学装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2007029522A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/316698
申请日：2006-08-25
申请人：住友電気工業株式会社 , 赤羽良啓 , 織田一彦 , 松浦尚 , 後利彦 , 今井貴浩
发明人：赤羽良啓 , 織田一彦 , 松浦尚 , 後利彦 , 今井貴浩
IPC分类号： G02B5/18 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/13
CPC分类号： G02B1/00 , G02B5/1857 , G02B6/1221 , Y10T428/24942
摘要：　光学素子は、シリコン、酸素、炭素、および水素を主要成分として含む透光性薄膜において、相対的に高屈折率の局所的領域と相対的に低屈折率の局所的領域とを含むことを特徴としている。
摘要翻译：公开了一种光学器件，其特征在于，主要含有硅，氧，碳和氢的透光翅片膜具有折射率相对较高的局部区域和折射率相对较低的另一局部区域。

3. 发明申请

WO2008056577A1 Ｓｉ－Ｏ含有水素化炭素膜とそれを含む光学デバイスおよびそれらの製造方法审中-公开
标题翻译：包含加氢碳膜的Si-O，包括其的光学装置以及用于制造含Si-O的氢化膜和光学装置的方法
公开(公告)号：WO2008056577A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：PCT/JP2007/071191
申请日：2007-10-31
申请人：住友電気工業株式会社 , 赤羽良啓 , 今井貴浩 , 松浦尚 , 片山哲也 , 後利彦
发明人：赤羽良啓 , 今井貴浩 , 松浦尚 , 片山哲也 , 後利彦
IPC分类号： C01B31/02 , B32B9/00 , G02B3/00 , G02B5/18 , G02B5/30 , G02B5/32 , G03H1/02
CPC分类号： G02B5/1857 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B3/0012 , G02B3/0087 , G02B27/283 , G03H1/02 , G03H2001/0268 , H04N9/3129 , H04N9/3161 , H04N9/3167 , Y10S427/106
摘要：　光学膜としてのＳｉ－Ｏ含有水素化炭素膜は、波長５２０ｎｍの光に関して１．４８以上で１．８５以下の範囲内の屈折率を有し、かつ波長２４８ｎｍの光に関して０．１５未満の消衰係数を有し、エネルギビーム照射を受けることによってその屈折率と消衰係数が低下することを特徴としている。このようなＳｉ－Ｏ含有水素化炭素膜を利用することによって種々の光学素子およびそれを含む光学装置を提供することができる。
摘要翻译：含Si-O的氢化膜作为光学膜的特征在于，具有波长为520nm，消光系数小于0.15的光的折射率在1.48以上且不大于1.85的范围内，具有波长 248nm，并且当接收能量束照射时折射率和消光系数降低。通过使用这种含Si-O的氢化碳膜，提供了包括光学元件的各种类型的光学元件和光学装置。

4. 发明申请

WO2005027172A1 ダイヤモンド電子放出素子およびこれを用いた電子線源审中-公开
标题翻译：钻石电子发射器和电子束源使用相同
公开(公告)号：WO2005027172A1
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：PCT/JP2004/013873
申请日：2004-09-15
申请人：住友電気工業株式会社 , 辰巳夏生 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：辰巳夏生 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , H01J1/308 , H01J2237/06325 , H01J2237/3175
摘要：　従来に比べて、より小型で動作電圧が低く、高効率な電子放射素子およびこれを用いた電子線源を提供する。　光を陰極に照射するための発光素子を有し、陰極の少なくとも電子放出面がダイヤモンドからなる構成する。このような構成にすることによって、電子を引き出すための電圧は、従来より大幅に低下させることができ、低電圧駆動が可能な小型の電子放出素子を得ることができる。前記発光素子は、前記陰極と一体に形成されていることが望ましく、また発光素子と電極はダイヤモンドからなることが好ましい。更に、陰極の電子放出面は、ｎ型あるいはｐ型のダイヤモンド半導体であることが望ましい。
摘要翻译：公开了一种电子发射器，其尺寸较小，工作电压较低，效率高于常规电子发射器。还公开了使用这种电子发射体的电子束源。电子发射器包括用于用光照射阴极的发光元件，并且至少阴极的电子发射表面由金刚石构成。通过具有这样的结构，在电子发射器中提取电子的电压可以大大降低。即，可以获得能够在低电压下工作的小型电子发射体。上述发光元件优选与阴极一体形成。发光元件和电极优选由金刚石构成。此外，期望阴极的电子发射表面由n型或p型金刚石半导体组成。

5. 发明申请

WO2004067812A1 ダイヤモンド複合基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石复合基材及其制造方法
公开(公告)号：WO2004067812A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2004/000532
申请日：2004-01-22
申请人：住友電気工業株式会社 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 今井貴浩
发明人：目黒貴一 , 山本喜之 , 今井貴浩
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
摘要：　本発明の目的は、半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、高靱性でかつ、大面積・高品質なダイヤモンド基板及びその製造法を提供することである。　ダイヤモンド単結晶基板の表面にダイヤモンド多結晶膜を積層させてダイヤモンド複合基板とする。該複合基板は、ダイヤモンド単結晶基板の最も面積の大きい主たる面を｛１００｝面とし、この面に平行な対面に、前記ダイヤモンド多結晶膜が積層されていることが好ましい。該ダイヤモンド単結晶基板３を、主たる面の面方位が揃った複数個のダイヤモンド単結晶体から構成し、これら複数個のダイヤモンド単結晶体を該ダイヤモンド多結晶層４によって接合してダイヤモンド複合基板２としてもよい。また、該ダイヤモンド単結晶を種結晶として、その表面に気相合成ダイヤモンド単結晶を設けても良い。
摘要翻译：高品质的高韧性金刚石基材，用于半导体材料，电子部件，光学部件等; 及其制造方法。通过在金刚石单晶衬底的表面上叠加金刚石多晶膜来制造金刚石复合衬底。对于该金刚石复合基板，优选通过重叠的金刚石多晶膜形成与{100}面的金刚石单晶基板的最大面积的主面平行的面相反的面。金刚石复合基板（2）可以通过从多个金刚石单晶形成金刚石单晶基板（3）而提供，其中主平面的取向被均匀化，并通过金刚石多晶层（4）连接多个金刚石单晶。此外，使用金刚石单晶作为晶种，可以在其表面上叠加通过气相合成形成的金刚石单晶。

6. 发明申请

WO2008001805A1 ダイヤモンド電子放射陰極、電子源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機审中-公开
标题翻译：钻石电子辐射阴极，电子源，电子显微镜和电子束曝光
公开(公告)号：WO2008001805A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/JP2007/062885
申请日：2007-06-27
申请人：住友電気工業株式会社 , 山本喜之 , 植田暁彦 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：山本喜之 , 植田暁彦 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
摘要： Intended is to provide an electron radiation cathode of a high brightness, low energy dispersion and a long lifetime. Also intended is to provide a diamond electron radiation cathode, which can be sufficiently stably gripped, which is sharpened at its leading end and which is improved in a field intensity. The diamond electron radiation cathode (110) is characterized in that it is divided into at least three regions, that is, a leading end region (203) for irradiating a column-shaped leading end with electrons, a trailing end region (201) confronting in the longitudinal direction and adapted to be gripped, and a radially thinned intermediate region (202), in that the trailing end region has a sectional area of 0.2 mm 2 , in that the leading region has a sharpened leading end, and in that the radially thinned intermediate region has a sectional area of 0.1 mm 2 at most.
摘要翻译：旨在提供高亮度，低能量分散和长寿命的电子辐射阴极。还旨在提供一种金刚石电子辐射阴极，其能够被充分稳定地夹持，其在其前端被削尖并且在场强度方面得到改善。金刚石电子辐射阴极（110）的特征在于，其被划分为至少三个区域，即用于用电子照射柱状前端的前端区域（203），面对着的后端区域（201）在纵向方向上并适于被夹持，并且径向变薄的中间区域（202），其中后端区域的截面积为0.2mm 2，其中，引导区域具有锐化并且径向变薄的中间区域的截面积最多为0.1mm 2。

7. 发明申请

WO2007037170A1 電子放出素子及び電子放出素子の製造方法审中-公开
标题翻译：电子发射元件和电子发射元件制造方法
公开(公告)号：WO2007037170A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/318755
申请日：2006-09-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 山本喜之 , 辰巳夏生 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：山本喜之 , 辰巳夏生 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J1/304 , H01J9/02
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J9/025
摘要： An electron emission element (2) includes an electron emission unit (6) made of diamond. When an electron emission current value is equal to or above 10 µA in the electron emission element (2), a deviation of the electron emission current value for one hour is within ± 20%. Moreover, the number of generations of a stepwise noise in which the electron emission current value changes stepwise is once or below per 10 minutes.
摘要翻译：电子发射元件（2）包括由金刚石制成的电子发射单元（6）。当电子发射元件（2）中的电子发射电流值等于或高于10μA时，电子发射电流值一小时的偏差在±20％以内。此外，电子发射电流值逐步变化的逐步噪声的代数是每10分钟一次或更少。

8. 发明申请

WO2005034164A1 電子放出素子审中-公开
标题翻译：电子发射器
公开(公告)号：WO2005034164A1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/JP2004/014106
申请日：2004-09-27
申请人：住友電気工業株式会社 , 辰巳夏生 , 難波暁彦 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：辰巳夏生 , 難波暁彦 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J63/02 , H01J1/3044 , H01J1/308
摘要：　この発明は、効率良く電子を放出させるための構造を備えた電子放出素子に関する。当該電子放出素子は、ｎ型ダイヤモンドからなる基板と、この基板上に設けられた先鋭な突起を備える。突起は、基板側に設けられた基部と、この基部上に設けられ、先端から電子が放出される電子放出部とで構成されている。基部は、ｎ型ダイヤモンドからなる。電子放出部は、ｐ型ダイヤモンドからなる。突起（電子放出部）の先端から基部と電子放出部との界面までの長さは、好ましくは１００ｎｍ以下である。
摘要翻译：公开了具有有效发射电子的结构的电子发射体。电子发射器包括由n型金刚石构成的衬底和形成在衬底上的尖锐突起。该突起由基板侧的基部和形成在基部上的电子发射部构成。电子从电子发射部分的尖端发射。基部由n型金刚石构成，电子发射部由p型金刚石构成。从突起（电子发射部分）的尖端到基底部分和电子发射部分之间的界面的长度优选不大于100nm。

9. 发明申请

WO2005011902A1 ダイヤモンド膜被覆工具およびその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石薄膜包衣工具及其制造方法
公开(公告)号：WO2005011902A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2003/014401
申请日：2003-11-12
申请人：株式会社アライドマテリアル , 住友電気工業株式会社 , 風早克夫 , 河合成宜 , 松本寧 , 石橋恵二 , 今井貴浩
发明人：風早克夫 , 河合成宜 , 松本寧 , 石橋恵二 , 今井貴浩
IPC分类号： B23B27/14
CPC分类号： C23C16/27 , B23G5/06 , B23G2200/26 , B23G2225/08 , B23G2225/16 , B23G2225/28 , C23C16/0218 , Y10T428/30
摘要：　切削性能・耐摩耗性・耐溶着性・加工面粗さの優れたダイヤモンド膜被覆工具およびその製造方法を提供する。　基材の表面にダイヤモンドの膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆工具であって、前記基材が超硬合金またはサーメットであり、前記ダイヤモンド膜の成長表面を構成するダイヤモンド結晶粒子の平均粒径が１．５μm以下であり、前記ダイヤモンド膜の厚さが０．１μm以上２０μm以下であり、前記ダイヤモンド膜の平均表面粗さがＲａで０．０１μm以上０．２μm以下であるダイヤモンド膜被覆工具である。このようなダイヤモンド膜被覆工具は、超硬合金やサーメットからなる基材を浸炭処理してダイヤモンド膜を成長させることにより得ることができる。
摘要翻译：具有切割性能，耐磨性和耐磨性，耐焊接性和锻造表面粗糙度优异的金刚石膜涂覆工具及其制造方法。特别地，一种金刚石薄膜涂覆工具，其包括其表面涂覆有金刚石薄膜的基材，其中所述基材由硬质合金或金属陶瓷组成，其中构成金刚石薄膜生长表面的金刚石晶粒的平均直径为 1.5μm以下，金刚石膜的厚度为0.1〜20μm，平均表面粗糙度为0.01〜0.2μmRa。可以通过将硬质合金或金属陶瓷的基材渗碳以实现金刚石膜的生长而获得该金刚石膜涂覆的工具。

10. 发明申请

WO2004061167A1 低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：低电阻n型半导体金刚石及其制造方法
公开(公告)号：WO2004061167A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2003/016492
申请日：2003-12-22
申请人：住友電気工業株式会社 , 難波暁彦 , 今井貴浩 , 竹内久雄
发明人：難波暁彦 , 今井貴浩 , 竹内久雄
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
摘要：　リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。　リチウム原子と窒素原子とが共に１０１７ｃｍ −３以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド。該低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。
摘要翻译：掺杂锂的金刚石，特别是掺杂有锂和氮的低电阻n型半导体金刚石; 及其制造方法。特别地，低电阻n型半导体金刚石具有碳原子间隙的结构，其含有10 17 cm -3以上的锂原子和氮原子的低电阻n型半导体金刚石其位置掺杂有锂原子，而其碳原子取代位置掺杂有氮原子，锂原子和氮原子彼此相邻配置。低电阻n型半导体金刚石可以通过包括金刚石气相合成工艺的方法获得，根据使用真空紫外线照射的光激发技术对原材料进行光解，同时将其暴露于准分子激光以实现锂原子的散射和供应。

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