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1. 发明申请

WO2008066209A1 薄膜付きダイヤモンド単結晶の製造方法、及び薄膜付きダイヤモンド単結晶审中-公开
标题翻译：用薄膜生产钻石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶
公开(公告)号：WO2008066209A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/074996
申请日：2007-12-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 植田暁彦 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：植田暁彦 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/02 , C30B25/105 , H01L21/02376 , H01L21/02433 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , Y10T428/24355 , Y10T428/30
摘要：　原料ガス中のリン原子／炭素原子比を３％以上の条件で３００Ｋにおける抵抗率が３００Ωｃｍ以下の低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜を｛１１１｝単結晶基板の主面に成長させる方法であって、主面のオフ角は０．５０°以上であることを特徴とする。また、本発明の低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜付きダイヤモンド単結晶は、該薄膜表面が｛１１１｝面から０．５０°以上のオフ角を有し、且つ、低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜の抵抗率が３００Ｋにおいて３００Ωｃｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：在{111}单晶基板的主面上，在原料气体具有的条件下，在300K以下的电阻率为300Ωcm以下的低电阻率磷掺杂外延金刚石薄膜生长的工序磷原子/碳原子数比为3％以上，其特征在于主面的偏角为0.50°以上。还提供了具有低电阻率磷掺杂外延金刚石薄膜的金刚石单晶，其特征在于，薄膜的表面与{111}面具有0.50°或更大的偏离角，并且低电阻率磷掺杂的外延金刚石薄膜的电阻率在300K下为300Ωcm以下。

2. 发明申请

WO2004067812A1 ダイヤモンド複合基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：金刚石复合基材及其制造方法
公开(公告)号：WO2004067812A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2004/000532
申请日：2004-01-22
申请人：住友電気工業株式会社 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 今井貴浩
发明人：目黒貴一 , 山本喜之 , 今井貴浩
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
摘要：　本発明の目的は、半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、高靱性でかつ、大面積・高品質なダイヤモンド基板及びその製造法を提供することである。　ダイヤモンド単結晶基板の表面にダイヤモンド多結晶膜を積層させてダイヤモンド複合基板とする。該複合基板は、ダイヤモンド単結晶基板の最も面積の大きい主たる面を｛１００｝面とし、この面に平行な対面に、前記ダイヤモンド多結晶膜が積層されていることが好ましい。該ダイヤモンド単結晶基板３を、主たる面の面方位が揃った複数個のダイヤモンド単結晶体から構成し、これら複数個のダイヤモンド単結晶体を該ダイヤモンド多結晶層４によって接合してダイヤモンド複合基板２としてもよい。また、該ダイヤモンド単結晶を種結晶として、その表面に気相合成ダイヤモンド単結晶を設けても良い。
摘要翻译：高品质的高韧性金刚石基材，用于半导体材料，电子部件，光学部件等; 及其制造方法。通过在金刚石单晶衬底的表面上叠加金刚石多晶膜来制造金刚石复合衬底。对于该金刚石复合基板，优选通过重叠的金刚石多晶膜形成与{100}面的金刚石单晶基板的最大面积的主面平行的面相反的面。金刚石复合基板（2）可以通过从多个金刚石单晶形成金刚石单晶基板（3）而提供，其中主平面的取向被均匀化，并通过金刚石多晶层（4）连接多个金刚石单晶。此外，使用金刚石单晶作为晶种，可以在其表面上叠加通过气相合成形成的金刚石单晶。

3. 发明申请

WO2008093389A1 マイクロ波プラズマＣＶＤ装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体CVD系统
公开(公告)号：WO2008093389A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/JP2007/051381
申请日：2007-01-29
申请人：住友電気工業株式会社 , 植田暁彦 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
发明人：植田暁彦 , 目黒貴一 , 山本喜之 , 西林良樹 , 今井貴浩
IPC分类号： C23C16/511 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：　大面積で高品質なダイヤモンド薄膜等が作製可能な条件下でのプラズマ位置制御が満足に行えるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を提供する。マイクロ波２０を導入するための開口部２を上部中心に持つ真空槽１と、真空槽内に基材を支持するための基材支持台１１と、開口部にマイクロ波を誘導するための導波管と、真空槽内にマイクロ波を導入するための誘電体窓２２と、導波管及び開口部及び誘電体窓の中心に位置する丸棒部２３と、真空保持のために真空槽上部と組み合わせて誘電体窓を挟む電極部２４と、で構成される真空槽にマイクロ波を導入するためのアンテナ部２５と、を備えるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であって、誘電体窓が隠蔽されるように電極部２４端面が誘電体窓より幅広く形成されており、且つ、電極部２４の真空槽中心側の面に所定のサイズの凹部２６が形成されているマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。
摘要翻译：微波等离子体CVD系统可以在能够沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下令人满意地进行等离子体的位置控制。微波等离子体CVD系统包括在上部中心具有用于引入微波（20）的孔（2）的真空室（1）。用于在真空室中支撑基板的基板支撑基座（11）; 用于将微波引导到所述孔的波导; 用于将微波引入所述真空室的电介质窗口（22）和布置成将微波引入真空室的天线部分（25），并且由位于波导的中心的圆棒部分（23），孔和介电窗口以及电极部分（24）与真空室的上部结合以夹紧电介质窗口以保持真空。电极部分（24）的端面形成为比电介质窗宽，以隐藏电介质窗口，并且在电极部分（24）的中心侧的表面上形成预定尺寸的凹部（26）真空室。

4. 发明申请

WO2006048957A1 単結晶ダイヤモンド审中-公开
标题翻译：单晶钻石
公开(公告)号：WO2006048957A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/009688
申请日：2005-05-26
申请人：住友電気工業株式会社 , 山本喜之 , 目黒貴一 , 今井貴浩
发明人：山本喜之 , 目黒貴一 , 今井貴浩
IPC分类号： C30B29/04
CPC分类号： C30B25/105 , C30B25/20 , C30B29/04 , Y10T428/24355
摘要：　１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、結晶全体にわたり、結晶厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。前記単結晶ダイヤモンドは、これまでに得られなかった大型かつ高品質の単結晶ダイヤモンドであり、半導体デバイス用基板、更には低歪が要求される光学部品応用において極めて望ましい諸特性を有する。
摘要翻译：一种根据气相合成方法生长的单晶金刚石，其特征在于，作为由晶体的一个主平面照射被认为是合成的线性偏振辐射的结果彼此正交的两个线偏振光之间的相位差从相对的主平面发出的两个正交的线偏振光，在整个晶体中每100μm的晶体厚度最多为50nm以下。这种单晶金刚石是一种前所未有的大尺寸和高品质的单晶金刚石，其具有在半导体器件基板和需要低应变的光学部件应用中非常需要的特性。

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