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1. 发明申请

WO2006126516A1 窒化物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：WO2006126516A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/310204
申请日：2006-05-23
申请人：ローム株式会社 , 田中治夫 , 園部雅之
发明人：田中治夫 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/187
摘要：　ＳｉＣ基板を用いることにより、垂直型の発光素子としながら、基板と窒化物半導体層との格子不整合に伴う窒化物半導体層の膜質の低下に伴う発光出力の低下を防止し、かつ、基板側に進む光も有効に利用し得る窒化物半導体発光素子を提供する。　ＳｉＣ基板１上に、屈折率が互いに相違する低屈折率層２１と高屈折率層２２とが交互に積層される光反射層２が直接設けられ、その光反射層２上に、発光層形成部３を少なくとも有するように窒化物半導体層が積層される半導体積層部５が設けられている。そして、半導体積層部５の上面側に上部電極７が、ＳｉＣ基板１の裏面に下部電極８がそれぞれ設けられている。
摘要翻译：氮化物半导体发光元件，由于由于衬底和氮化物半导体层之间的晶格失配而导致的氮化物半导体层的膜质量恶化导致的发射输出劣化被抑制，并且也可以有效地使用行进到衬底的光，同时允许光通过使用SiC衬底，发光元件为垂直型。将具有不同折射率的低折射率层（21）和高折射率层（22）交替堆叠的光反射层（2）直接布置在SiC衬底（1）上。在光反射层（2）上，在光反射层（2）上配置有层叠氮化物半导体层至少具有发光层形成部（3）的半导体层叠部（5）。在半导体多层部分（5）的上平面侧，布置有上电极（7），并且在SiC衬底（1）的背面上布置有下电极（8）。

2. 发明申请

WO2006006556A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2006006556A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/012751
申请日：2005-07-11
申请人：ローム株式会社 , 浅原浩和 , 酒井光彦 , 西田敏夫 , 園部雅之
发明人：浅原浩和 , 酒井光彦 , 西田敏夫 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387
摘要：　半導体発光素子は、半導体発光部と、この半導体発光部の一方側に配置された表面電極と、前記半導体発光部の他方側に配置され、前記半導体発光部の発光波長に対して透明な導電性基板と、この導電性基板の前記半導体発光部とは反対側の面である背面の第１領域にオーミック接合するようにパターン形成された背面電極と、前記導電性基板の背面の前記第１領域以外の第２領域を被覆するように形成され、前記半導体発光部の発光波長に対して透明な背面絶縁層とを備える。
摘要翻译：半导体发光元件设置有半导体发光部分; 配置在半导体发光部的一侧的正面电极; 导电板，其布置在所述半导体发光部的另一侧，并且对于所述半导体发光部的发光波长的光透明; 背面电极图案形成为具有与背面上的与导电板的半导体发光部相对的平面的第一区域的欧姆结; 以及背面绝缘层，其形成为覆盖除了导电板的后平面上的第一区域以外的第二区域，并且对于半导体发光部件的发光波长是透明的。

3. 发明申请

WO2005109530A1 半導体発光素子およびその製法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005109530A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2005/008510
申请日：2005-05-10
申请人：ローム株式会社 , 酒井光彦 , 好田慎一 , 園部雅之 , 中原健
发明人：酒井光彦 , 好田慎一 , 園部雅之 , 中原健
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/32
摘要：　ｎ側電極と窒化物半導体層との接触抵抗を安定して小さくすることができる構成のｎ側電極を有する半導体発光素子、さらには簡単な製造工程で、窒化物半導体層とのオーミックコンタクトが得られ、かつ、表面にはワイヤボンディングを行いやすいＡｕ層を有するｎ側電極が形成された窒化物半導体発光素子およびその製法を提供する。　たとえばサファイア（Ａｌ 2 Ｏ 3 単結晶）などからなる基板（１）の表面に発光層を形成する半導体層（２～８）が積層されて、その表面に透光性導電層（９）を介してｐ側電極（１０）が形成されている。また、積層された半導体層（４～８）の一部がエッチングにより除去されて露出したｎ形層（４）にｎ側電極（１１）が形成されている。このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層（１１ａ）により形成されている。実際のＬＥＤのｎ側電極としては、この表面にさらにバリアメタル層（１１ｂ）を介してＡｕ層（１１ｃ）が形成されている。
摘要翻译：公开了一种包括具有能够稳定地抑制n侧电极和氮化物半导体层之间的接触电阻的结构的n侧电极的半导体发光器件。还公开了一种氮化物半导体发光器件，其中通过简单的制造工艺可以获得与氮化物半导体层的欧姆接触，并且其表面形成有具有易于引线接合的Au层的n侧电极。在蓝宝石（Al 2 O 3单晶）基板（1）的表面上，例如，构成发光层的半导体层（2-8）分层配置，在该表面形成有p侧电极（10）通过透光导电层（9）。在通过蚀刻去除一部分半导体层（4-8）而露出的n型层（4）上形成n侧电极（11）。与n型层接触的n侧电极的一侧由Al层（11a）构成。实际LED的n侧电极还包括通过阻挡金属层（11b）在Al层的表面上形成的Au层（11c）。

4. 发明申请

WO2008153130A1 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件和制造氮化物半导体的方法
公开(公告)号：WO2008153130A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060855
申请日：2008-06-13
申请人：ローム株式会社 , 中西康夫 , 中田俊次 , 藤原徹也 , 千田和彦 , 園部雅之
发明人：中西康夫 , 中田俊次 , 藤原徹也 , 千田和彦 , 園部雅之
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/325
摘要：　ＡｌＮバッファ層上に積層される窒化物半導体の結晶品質等の品質を良くし、光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体の製造方法を提供する。　サファイア基板１上にＡｌＮバッファ層２が形成され、その上に、順に、ｎ型ＡｌＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層４、ｐ型ＧａＮ層５の窒化物半導体が積層されている。また、ｎ型ＡｌＧａＮ層３表面にｎ電極７が、ｐ型ＧａＮ層５の上にｐ電極６が形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮ層３は、光やキャリアを閉じ込めるためのクラッド層としての役割を有する。また、ＡｌＮバッファ層２は、成長温度９００°C以上において、Ａｌ原料の供給とＮ原料の供給とを交互に行って作製される。　
摘要翻译：本发明提供一种氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有改善的光输出，其具有改善层压在AlN缓冲层上的氮化物半导体的质量，例如晶体质量。在蓝宝石衬底（1）上形成AlN缓冲层（2），在缓冲层上形成n型AlGaN层（3），InGaN / GaN活性层（4）和p型 GaN层（5）依次层叠。在n型AlGaN层（3）的表面上形成n电极（7），在p型GaN层（5）上形成p电极（6）。 n型AlGaN层（3）用作限制光和载流子的覆层。通过在900℃以上的生长温度下交替地供给Al材料和N材料来制造AlN缓冲层（2）。

5. 发明申请

WO2007091653A1 窒化物系半導体素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：WO2007091653A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052266
申请日：2007-02-08
申请人：ローム株式会社 , 園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也
发明人：園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/305 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01S5/3063 , H01S5/32341
摘要：　窒化物系半導体素子は、ｎ－ＧａＮ層１０３と、ｎ－ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０ 19 ～２×１０ 20 個／cm 3 でＭｇをドーピングし、９００～１２００°Cの範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００～１２００°Cの範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ－ＧａＮ層１０７とを備える。
摘要翻译：公开了一种氮化物半导体器件，其包括n-GaN层（103），形成在n-GaN层（103）上的有源层（104），掺杂有Mg的第一AlGaN层（105）从5×10 19至2×10 20个/ cm 3，并在生长温度为900℃的有源层（104）上形成 -1200℃，在第一AlGaN层（105）上以900-1200°的生长温度形成的第二AlGaN层（106）和形成在第二AlGaN层（106）上的p-GaN层（107））。

6. 发明申请

WO2007069523A1 ＩｎＧａＮの製造方法审中-公开
标题翻译：生产InGaN的工艺
公开(公告)号：WO2007069523A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2006/324438
申请日：2006-12-07
申请人：ローム株式会社 , 園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也 , 玉井慎一
发明人：園部雅之 , 伊藤範和 , 堤一陽 , 藤原徹也 , 玉井慎一
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：　Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。　本発明に係るＩｎＧａＮ層の製造方法は、７００°C～７９０°Cの成長温度、３０Å／分～９３Å／分の成長速度及び１．７６×１０－５モル／分～３．５３×１０－５モル／分のトリメチルインジウムの流量の条件下でＩｎＧａＮ層を成長させる。
摘要翻译：本发明提供了一种InGaN的制造方法，其不会发生显着的In偏析，并且可以在提高In的组成比的同时实现InGaN层的高结晶度。生产InGaN层的方法包括在700℃至790℃的生长温度和30埃/分钟的生长速率至93埃/分钟的条件下生长InGaN层，并且三甲基铟流速为1.76×10 -6 5mol / min至3.53×10 -5 mol / min。

7. 发明申请

WO2006085514A1 半導体発光素子およびその製法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其方法
公开(公告)号：WO2006085514A1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：PCT/JP2006/302026
申请日：2006-02-07
申请人：ローム株式会社 , 酒井光彦 , 山口敦司 , 中原健 , 園部雅之 , 筒井毅
发明人：酒井光彦 , 山口敦司 , 中原健 , 園部雅之 , 筒井毅
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/60
摘要：　半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰する光を有効に取り出し、外部量子効率を向上させた構造の窒化物半導体発光素子およびその製法を提供する。　たとえばサファイアなどからなる基板１の表面に窒化物半導体からなる第１導電形層および第２導電形層を含む半導体積層部６が設けられ、その半導体積層部６の表面側の第１導電形層（たとえばｐ形層５）に電気的に接続して第１電極（たとえばｐ側電極８）が設けられ、第２導電形層（たとえばｎ形層３）に電気的に接続して第２電極（たとえばｎ側電極９）が形成されている。そして、半導体積層部６の少なくともチップ周囲において、半導体積層部が柱状に林立した柱状部６ａが残存し、柱状部６ａの周囲はｎ形層３が露出するように、半導体積層部６の一部がエッチングにより除去されている。
摘要翻译：一种氮化物半导体发光器件，其具有通过有效地取出在半导体多层部分和衬底内重复全反射的光衰减而具有增强的外部量子效率的结构。在由例如蓝宝石制成的基板（1）的表面上设置包括由氮化物半导体构成的第一导电型层的半导体多层部（6）。提供与半导体多层部分（6）的表面侧上的第一导电类型层（例如，p型层（5））电连接的第一电极（例如，p侧电极（8）），并且提供与第二导电型层（例如，n型层（3））电连接的第二电极（例如，n侧电极（9））。通过蚀刻去除半导体多层部分（6）的一部分，使得至少在半导体多层部分（6）的芯片周围留下作为半导体多层部分（6）的列的柱状部分（6a），并且 n型层（3）暴露在柱状部分（6a）周围。

8. 发明申请

WO2006006555A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2006006555A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/012749
申请日：2005-07-11
申请人：ローム株式会社 , 浅原浩和 , 酒井光彦 , 園部雅之 , 西田敏夫
发明人：浅原浩和 , 酒井光彦 , 園部雅之 , 西田敏夫
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　半導体発光素子は、第１導電型の第１コンタクト層、第２導電型の第２コンタクト層およびこれらに挟まれた活性層を有する半導体発光部とを備えている。この素子は、さらに、前記第２コンタクト層の表面にオーミック接触し、この第２コンタクト層の表面のほぼ全域を覆うとともに、前記半導体発光部の発光波長に対して透明な透明電極と、この透明電極のほぼ全域に対向して配置され、前記透明電極と電気的に接続されているとともに、前記半導体発光部から前記透明電極を透過してきた光を前記半導体発光部に向けて反射する金属反射膜とを備えている。
摘要翻译：一种半导体发光器件，包括第一导电类型的第一接触层，第二导电类型的第二接触层和夹在所述接触层之间并具有有源层的半导体发光单元。半导体发光器件还包括与第二接触层的表面欧姆接触的透明电极，同时覆盖第二接触层的大致整个表面并且对于半导体发光单元的发射波长是透明的，以及金属反射膜，与透明电极的大致整个区域相对设置，同时与透明电极电连接，用于反射从半导体发光单元发射并透过透明电极朝向半导体发光单元的光。

9. 发明申请

WO2007091637A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007091637A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052220
申请日：2007-02-08
申请人：ローム株式会社 , 堤一陽 , 伊藤範和 , 園部雅之 , 玉井慎一
发明人：堤一陽 , 伊藤範和 , 園部雅之 , 玉井慎一
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本発明の半導体発光素子は、基板（１）と、基板（１）に支持されたｎ－ＧａＮ層（２）と、ｎ－ＧａＮ層（２）よりも基板（１）に対して離間した位置に形成されたｐ－ＧａＮ層（７）と、ｎ－ＧａＮ層（２）およびｐ－ＧａＮ層（７）の間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む活性層（４）と、活性層（４）とｐ－ＧａＮ層（７）との間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む昇華防止層（５）と、昇華防止層（５）とｐ－ＧａＮ層（７）とに挟まれており、かつその厚さ方向においてＩｎの組成比がｐ－ＧａＮ層（７）に近づくほど小となるように傾斜させられているＩｎ組成傾斜層（６）とを備えている。
摘要翻译：一种半导体发光器件，包括衬底（1）; 由衬底（1）支撑的n-GaN层（2）; p-GaN层（7）设置在与衬底（1）的间隔大于n-GaN层（2）的位置处的位置处; 含有设置在n-GaN层（2）和p-GaN层（7）之间的InGaN的有源层（4）; 包含设置在有源层（4）和p-GaN层（7）之间的InGaN的升华防止层（5）; 并且插入在升华防止层（5）和其中In组成比在厚度方向上倾斜的p-GaN层（7）之间的组成梯度层（6）以与p-GaN 层（7）减少。

10. 发明申请

WO2007063833A1 窒化物半導体発光素子审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2007063833A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/JP2006/323681
申请日：2006-11-28
申请人：ローム株式会社 , 園部雅之 , 伊藤範和 , 酒井光彦
发明人：園部雅之 , 伊藤範和 , 酒井光彦
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18358 , B82Y20/00 , H01L33/105 , H01L33/32 , H01S5/34333
摘要：　本発明は、反射率の低減を防ぐとともに、活性層の品質が低下し輝度が低下することがない光反射層を有する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とするものである。　本発明の窒化物半導体レーザは、たとえば、基板（１）上に設けられ、屈折率が互いに相違する低屈折率層（２１）と高屈折率層（２２）とが交互に積層された第１の光反射層（２）上に設けられた発光層形成部（３）とを少なくとも有しており、第１光反射層の低屈折率層２１は、Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層（０≦ｘ≦１）の単層構造で形成されており、第１の光反射層の高屈折率層（２２）は、Ａｌ y Ｇａ 1-y Ｎ層（０≦ｙ≦０.５、ｙ＜ｘ）またはＩｎ t Ｇａ 1-t Ｎ層（０＜ｔ≦０.５）と、Ｉｎ u Ｇａ 1-u Ｎ層（０＜ｕ≦１、ｔ＜ｕ）との多層構造で形成されている。
摘要翻译：提供一种具有光反射层的氮化物半导体发光器件，其能够防止由于有源层的质量劣化而导致的反射率降低和亮度降低。氮化物半导体激光器例如设置在基板（1）上，并且至少具有设置在包含低折射率层（21）和高折射率层（21）的第一光反射层（2）上的发光层形成部分（3）（22），每个具有不同的折射率并交替地堆叠在一起。第一光反射层的低折射率层（21）由Al x Ga 1-x N层的单层结构形成（其中0 = x = 1）。第一光反射层的高折射率层（22）由Al Y y Ga 1-y N层的多层结构形成（其中0 = y = 0.5和y

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