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1. 发明申请

WO2009039847A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子设备
公开(公告)号：WO2009039847A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001590
申请日：2008-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , DEUTSCHE THOMSON OHG , BEHRINGER, Martin Rudolf , SINGER, Frank , SCHWARZ, Thomas , KUHLMANN, Werner , STEEGMÜLLER, Ulrich , KNITTEL, Joachim
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , SINGER, Frank , SCHWARZ, Thomas , KUHLMANN, Werner , STEEGMÜLLER, Ulrich , KNITTEL, Joachim
IPC分类号： G11B7/12 , G11B33/14 , G11B7/085
CPC分类号： G11B7/12 , G11B7/08576 , G11B7/124 , G11B7/1359
摘要： Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung mit einer Laserquelle (3), einer Detektoreinrichtung (5) und einer Prismenoptik (6), welche ausgebildet ist ein emittiertes Licht der Laserquelle (3) einem optischen Speichermedium (8) zuzuführen und Licht, welches von dem optischen Speichermedium (8) reflektiert wird der Detektoreinrichtung (5) zuzuführen. Die optoelektronische Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Trägerplatte (1) vorgesehen ist, auf welcher zumindest ein Pad (2) aus thermisch leitfähigem Material angeordnet ist, und die Laserquelle (3) und/oder die Prismenoptik (6) auf dem zumindest einen Pad (2) angeordnet sind bzw. ist.
摘要翻译：本发明涉及一种光电子器件，包括一个激光源（3），检测器装置（5）和从所述激光源（3）的光学存储介质（8），并提供光，形成一个发射的光的棱镜透镜（6），其从光学检测器装置（5）被反射的存储介质（8）的供应量。该光电器件的特征在于，载板（1）被提供在其上的至少一个衬垫（2）由导热材料制成的，并且激光源（3）和/或棱镜的光学元件（6）到所述至少一个衬垫（2）被布置和是。

2. 发明申请

WO0016410A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT CONTAINING LATTICE MISMATCHED SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：具有栅格水平半导体材料的半导体结构元件
公开(公告)号：WO0016410A3
公开(公告)日：2000-06-08
申请号：PCT/DE9902847
申请日：1999-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HOMMEL DETLEF
发明人： BEHRINGER MARTIN RUDOLF , HOMMEL DETLEF
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L29/22
CPC分类号： H01L31/02963 , H01L31/0296 , H01L31/0352
摘要： The invention relates to a semiconductor component in which in one and the same semiconductor body a first semiconductor material (1) having a first lattice constant, such as ZnSe, is combined with a second semiconductor material (2) having a second lattice constant, such as ZnTe, and the first and second lattice constants differ from each other. The first semiconductor material (1) forms at least one partial area of a matrix (4) in which a plurality of submonolayer islands (5) are embedded which comprise the second semiconductor material (2). This permits the production of highly doped zones in materials which are difficult to dope as highly.
摘要翻译：一种半导体器件的组合，其中在一个第一半导体材料并具有第一晶格常数为Biespiel的ZnSe与第二半导体材料（2）具有第二晶格常数为相同的半导体主体（1），例如，的ZnTe和所述第一和第二晶格常数彼此不同。第一半导体材料（1）至少形成在一个矩阵（4），其中多个亚单层岛（5）被嵌入的部分区域，具有第二半导体材料（2），并因此使得能够产生高掺杂区域在材料很难掺杂得如此之高。

3. 发明申请

WO2013041279A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2013041279A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/064891
申请日：2012-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin, Rudolf , KLEMP, Christoph , TÅNGRING, Ivar , HEIDBORN, Peter
发明人： BEHRINGER, Martin, Rudolf , KLEMP, Christoph , TÅNGRING, Ivar , HEIDBORN, Peter
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei sich der Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptfläche (21) und einer zweiten Hauptfläche (22) erstreckt; die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (5), einen ersten Bereich (3) eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Bereich (4) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist; der erste Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der ersten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; der zweite Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der zweiten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; zumindest eine Schicht des aktiven Bereichs auf einem arsenidischen Verbindungshalbleitermaterial basiert; und der erste Bereich oder der zweite Bereich bezogen auf die jeweilige Ausdehnung in vertikaler Richtung zumindest zur Hälfte auf einem phosphidischen Verbindungshalbleitermaterial basieren.
摘要翻译：提供了一种具有半导体本体的半导体层序列（2），发射辐射的半导体芯片（1），其中，所述半导体本体具有在第一主表面（21）和第二主表面（22）之间的垂直方向上的半导体层序列; 具有用于产生辐射活性区域的半导体层序列（5），第一区域（3）具有第一导电类型和第二区域（4）从所述第一第二导电类型不同的导电类型的; 所述第一区域在所述第一主表面和所述有源区之间的垂直方向上延伸; 所述第二区域在所述第二主表面和有源区之间的垂直方向上延伸; 上的arsenidischen化合物半导体材料的有源区中的至少一个层是基于; 并且第一区域或基于在半至少基于一个phosphidic化合物半导体材料的垂直方向的各个膨胀的第二区域。

4. 发明申请

WO2012107291A1 LED-BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG MIT EINEM ERSTEN LED-CHIP UND EINEM ZWEITEN LED-CHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：与第一LED芯片和第二LED芯片LED照明设备和方法及其
公开(公告)号：WO2012107291A1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/051156
申请日：2012-01-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin, Rudolf , BAUR, Elmar
发明人： BEHRINGER, Martin, Rudolf , BAUR, Elmar
IPC分类号： F21K99/00
CPC分类号： H01L33/005 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine LED-Beleuchtungsvorrichtung (10) mit einem ersten LED-Chip (1) und einem zweiten LED-Chip (2) angegeben, wobei der erste LED-Chip (1) geeignet ist, Strahlung mit einer ersten Abstrahlcharakteristik (A1) zu emittieren und der zweiten LED-Chip (2) geeignet ist, Strahlung mit einer zweiten Abstrahlcharakteristik (A2) zu emittieren. Die erste Abstrahlcharakteristik (A1) und die zweite Abstrahlcharakteristik (A2) weisen temperaturabhängige Änderungen (ΔA 1T , ΔA 1T ) auf, wobei sich die temperaturabhängige Änderung (ΔA 1T ) der ersten Abstrahlcharakteristik (A1) und die temperaturabhängige Änderung (ΔΑ 2T ) der zweiten Abstrahlcharakteristik (A2) im Betrieb zumindest teilweise kompensieren oder so aufeinander synchronisiert sind, dass der Farbort stabil bleibt. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Beleuchtungsvorrichtung (10) angegeben.
摘要翻译：这是一个LED照明装置（10），具有第一LED芯片（1）和第二LED芯片（2），其特征在于，（1）第一发光二极管芯片能够吸收具有第一辐射图案（A1）对辐射的发射和第二LED芯片（2）适合于在第二辐射图（A2）发射辐射。第一辐射（A1）和第二辐射（A2）具有依赖于温度的变化（？A1T？A1T），具有的依赖于温度的变化，第一辐射（？A1T）（A1）和依赖于温度的变化（?? 2T）第二辐射图（A2）在操作期间或在至少部分地补偿是如此彼此同步，该色坐标保持稳定。此外，被指定的制造这样的照明装置（10）的方法。

5. 发明申请

WO2013045178A1 HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：半导体层序列，用于制造半导体层序列的光电子半导体芯片和方法
公开(公告)号：WO2013045178A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066318
申请日：2012-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , TÅNGRING, Ivar , BEHRINGER, Martin Rudolf
发明人： TÅNGRING, Ivar , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/34326
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet mindestens drei Quantentöpfe (2), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) mehrere Barriereschichten (3), von denen jeweils mindestens eine zwischen zwei benachbarten Quantentöpfen (2) angeordnet ist. Die Quantentöpfe (2) weisen einen ersten mittleren Indiumgehalt und die Barriereschichten (3) einen zweiten, kleineren mittleren Indiumgehalt auf. Eine zweite mittlere Gitterkonstante der Barriereschichten (3) ist dabei kleiner als eine erste mittlere Gitterkonstante der Quantentöpfe (2).
摘要翻译：在至少一个实施例中，一种用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）设置。半导体层序列（1）包括至少三个量子阱（2），其适于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3）的两个相邻的量子阱之间的至少一个被布置在每个壳体（2）。量子阱（2）具有第一平均铟含量和势垒层（3）向第二，较小的平均铟。势垒层的第二平均晶格常数（3）比量子阱（2）的第一平均晶格常数小。

6. 发明申请

WO2012038313A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012038313A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011/065950
申请日：2011-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin Rudolf , KLEMP, Christoph , RUPPRICH, Christoph
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , KLEMP, Christoph , RUPPRICH, Christoph
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01068 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) vorgesehen, der einen Halbleiterschichtenstapel (3) und einen Spiegel (2) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (3) weist eine aktive Schicht (3a) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Der Spiegel (2) ist an einer Unterseite des Halbleiterschichtenstapels (3) angeordnet. Der Spiegel (2) weist einen ersten Bereich (2a) und einen zweiten Bereich (2b) auf, wobei der erste Bereich (2a) Silber und der zweite Bereich (2b) Gold enthält. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一半导体层堆叠（3）和反射镜（2）的光电子半导体芯片（10）。半导体层堆叠（3）具有用于产生电磁辐射的有源层（3a）中。反射镜（2）被布置在所述半导体层堆叠（3）的下侧。反射镜（2）具有第一部分（2a）和第二部分（2b）中，其特征在于，银的第一部分（2a）和所述第二部分（2b）中含有金。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

7. 发明申请

WO2012168316A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, DISPLAY MIT EINEM DERARTIGEN HALBLEITERCHIP UND VERWENDUNG EINES DERARTIGEN HALBLEITERCHIPS ODER EINES DISPLAYS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片这样的半导体芯片和使用此类半导体芯片或显示屏的显示
公开(公告)号：WO2012168316A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/EP2012/060730
申请日：2012-06-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin Rudolf , GÜNTHER, Oliver
发明人： BEHRINGER, Martin Rudolf , GÜNTHER, Oliver
IPC分类号： H01L33/44 , H05B33/08
CPC分类号： H05B33/08 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0845 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) aufweist. Der Halbleiterchip (10) ist in einem ersten Betriebsmodus (B1) und in einem zweiten Betriebsmodus (B2) betreibbar. Im ersten Betriebsmodus (B1) emittiert die Halbleiterschichtenfolge (1) Strahlung, während die Halbleiterschichtenfolge (1) im zweiten Betriebsmodus (B2) keine Strahlung emittiert. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist im ersten Betriebsmodus (B1) in Durchlassrichtung und im zweiten Betriebsmodus (B2) in Sperrrichtung betrieben. Weiter sind ein Display mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (10) und eine Verwendung als Kfz-Scheinwerfer (100) angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有具有用于产生辐射活性层（Ia）的一个设置在半导体层序列（1）的光电子半导体芯片（10）。半导体芯片（10）是在第一操作模式（B1），并且在第二操作模式（B2）是可操作的。在第一操作模式（B1）的发光半导体层序列（1）的辐射，而在第二操作模式（B2）的半导体层序列（1）不发射任何辐射。半导体层序列（1）是在向前方向和在相反方向上的第二操作模式（B2）操作的第一操作模式（B1）。此外，有多个这样的半导体芯片（10）的显示被示出，并且作为汽车前照灯（100）的用途。

8. 发明申请

WO2010069282A3 LUMINOUS MEANS AND PROJECTOR COMPRISING AT LEAST ONE LUMINOUS MEANS OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：灯和投影仪至少有一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A3
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/DE2009001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
发明人： LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
IPC分类号： H04N9/31
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In at least one embodiment of the luminous means (1), the latter comprises at least one semiconductor laser (2) which is designed to emit a primary radiation (P) having a wavelength of between 360 nm and 485 nm inclusive. Furthermore, the luminous means (1) comprises at least one conversion means (3) which is disposed downstream of the semiconductor laser (2) and is designed to convert at least part of the primary radiation (P) into secondary radiation (S) having a greater wavelength that is different from the primary radiation (P). In this case, the radiation (R) emitted by the luminous means (1) exhibits an optical coherence length amounting to at most 50 µm.
摘要翻译：在发光装置（1）的至少一个实施例中，这包括至少一个半导体激光器（2），该半导体激光器被设置为发射波长在360nm和485nm之间（包括端值）的初级辐射（P）。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换更大的波长。由发光装置（1）发射的辐射（R）表现出至多50μm的光学相干长度。

9. 发明申请

WO2010069282A2 LEUCHTMITTEL UND PROJEKTOR MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：灯和投影机，至少一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A2
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/DE2009/001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
发明人： LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H04N9/31 , G02F1/35
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 μm beträgt.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个半导体激光器（2），其适合于接收一个初级辐射（P）为360纳米和485纳米之间的波长发射。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换波长更长。通过在这种情况下，光源（1）辐射（R）发射的光示出了光学相干长度为至多50微米。

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