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1. 发明申请

WO2013041279A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2013041279A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/064891
申请日：2012-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BEHRINGER, Martin, Rudolf , KLEMP, Christoph , TÅNGRING, Ivar , HEIDBORN, Peter
发明人： BEHRINGER, Martin, Rudolf , KLEMP, Christoph , TÅNGRING, Ivar , HEIDBORN, Peter
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei sich der Halbleiterkörper mit der Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptfläche (21) und einer zweiten Hauptfläche (22) erstreckt; die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (5), einen ersten Bereich (3) eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Bereich (4) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps aufweist; der erste Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der ersten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; der zweite Bereich sich in vertikaler Richtung zwischen der zweiten Hauptfläche und dem aktiven Bereich erstreckt; zumindest eine Schicht des aktiven Bereichs auf einem arsenidischen Verbindungshalbleitermaterial basiert; und der erste Bereich oder der zweite Bereich bezogen auf die jeweilige Ausdehnung in vertikaler Richtung zumindest zur Hälfte auf einem phosphidischen Verbindungshalbleitermaterial basieren.
摘要翻译：提供了一种具有半导体本体的半导体层序列（2），发射辐射的半导体芯片（1），其中，所述半导体本体具有在第一主表面（21）和第二主表面（22）之间的垂直方向上的半导体层序列; 具有用于产生辐射活性区域的半导体层序列（5），第一区域（3）具有第一导电类型和第二区域（4）从所述第一第二导电类型不同的导电类型的; 所述第一区域在所述第一主表面和所述有源区之间的垂直方向上延伸; 所述第二区域在所述第二主表面和有源区之间的垂直方向上延伸; 上的arsenidischen化合物半导体材料的有源区中的至少一个层是基于; 并且第一区域或基于在半至少基于一个phosphidic化合物半导体材料的垂直方向的各个膨胀的第二区域。

2. 发明申请

WO2013045178A1 HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：半导体层序列，用于制造半导体层序列的光电子半导体芯片和方法
公开(公告)号：WO2013045178A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066318
申请日：2012-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , TÅNGRING, Ivar , BEHRINGER, Martin Rudolf
发明人： TÅNGRING, Ivar , BEHRINGER, Martin Rudolf
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01S5/34326
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet mindestens drei Quantentöpfe (2), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet sind. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) mehrere Barriereschichten (3), von denen jeweils mindestens eine zwischen zwei benachbarten Quantentöpfen (2) angeordnet ist. Die Quantentöpfe (2) weisen einen ersten mittleren Indiumgehalt und die Barriereschichten (3) einen zweiten, kleineren mittleren Indiumgehalt auf. Eine zweite mittlere Gitterkonstante der Barriereschichten (3) ist dabei kleiner als eine erste mittlere Gitterkonstante der Quantentöpfe (2).
摘要翻译：在至少一个实施例中，一种用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1）设置。半导体层序列（1）包括至少三个量子阱（2），其适于产生电磁辐射。此外，半导体层序列（1）包括多个势垒层（3）的两个相邻的量子阱之间的至少一个被布置在每个壳体（2）。量子阱（2）具有第一平均铟含量和势垒层（3）向第二，较小的平均铟。势垒层的第二平均晶格常数（3）比量子阱（2）的第一平均晶格常数小。

3. 发明申请

WO2013029847A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013029847A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/EP2012/063274
申请日：2012-07-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , TÅNGRING, Ivar , SCHMID, Wolfgang
发明人： TÅNGRING, Ivar , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2224/48463
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20). Weiterhin weist der Halbleiterchip (1) eine Oberseitenkontaktstruktur (3) an einer Strahlungshauptseite (23) der Halbleiterschichtenfolge (2) und eine Unterseitenkontaktstruktur (4) an einer der Strahlungshauptseite (23) gegenüberliegenden Unterseite (24) auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) mindestens zwei Gräben (5), die von der Strahlungshauptseite (23) hin zur Unterseite (24) reichen. In Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (23) gesehen sind die Oberseitenkontaktstruktur (3) und die Unterseitenkontaktstruktur (4) voneinander beabstandet angeordnet. Ebenfalls in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (23) gesehen befinden sich die Gräben (5) zwischen der Oberseitenkontaktstruktur (3) und der Unterseitenkontaktstruktur (4).
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1），其包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）中的至少一个实施例。此外，半导体芯片（1）具有上半导体层序列（2）和在所述辐射主侧（23）的底部（24）相反的一个底接触结构（4）的辐射主侧（23）顶接触结构（3）。此外，半导体芯片（1）包括至少两个沟槽（5）的辐射主侧（23）朝向丰富的底部（24）的。在主辐射侧（23）的平面图中看到的，顶接触结构（3）和底接触结构（4）被布置成间隔开。还可以看到在主放射侧（23）的俯视图是在沟槽（5）的顶接触结构（3）和底接触结构（4）之间。

4. 发明申请

WO2019025209A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019025209A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/EP2018/069759
申请日：2018-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/48
摘要： Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen Halbleiterchip (1), der zur Emission von Strahlung eingerichtet ist, ein Reflexionselement (2), das im Strahlengang des Halbleiterchips angeordnet ist und zur Strahlungsreflexion vorgesehen ist, wobei das Reflexionselement (2) ein Matrixmaterial (21) und darin eingebettet Diffusorpartikel (22) und Füllpartikel (23) aufweist, wobei die Diffusorpartikel (22) und die Füllpartikel (23) sich voneinander unterscheiden, wobei die Füllpartikel (23) eine Matrix (231), in die Streupartikel (232) eingebettet sind, und/oder eine Keramik (234), in der die Streupartikel gesintert vorliegen, aufweisen.

5. 发明申请

WO2018177807A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2018177807A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/EP2018/057001
申请日：2018-03-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , RAFAEL, Christine , TÅNGRING, Ivar
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/60
摘要： In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.

6. 发明申请

WO2017085063A1 LED-FILAMENTE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LED-FILAMENTEN UND RETROFITLAMPE MIT LED-FILAMENT 审中-公开
标题翻译： LED灯丝，生产LED灯丝的方法以及用LED灯丝改造灯泡的方法
公开(公告)号：WO2017085063A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/EP2016/077743
申请日：2016-11-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHLERETH, Thomas , LAMFALUSI, Tamas , TÅNGRING, Ivar
IPC分类号： F21K9/23 , H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/56
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/23 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H05K3/284 , H05K2201/10106 , H05K2201/10113 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein LED-Filament (14) mit einem Trägerelement (2) mit einer reflektierenden ersten Hauptfläche (5), auf der eine Vielzahl an LED-Chips (4) in einer Reihe entlang einer Haupterstreckungsrichtung (3) aufgebracht ist und einer ersten elektrischen Kontaktstelle (10) auf einem ersten Endbereich (15) der ersten Hauptfläche (5) des Trägerelements (2) angegeben. Die LED-Chips (4) sind hierbei seriell elektrisch verschaltet sind. Es wird ein weiteres LED-Filament, zwei Verfahren zur Herstellung eines LED-Filaments sowie eine Retrofitlampe mit einem LED-Filament angegeben.
摘要翻译：具有支撑构件（2）的LED灯丝（14）具有反射的第一主表面（5），多个LED芯片（4）排成一列沿着主延伸方向（3）和第一电接触点（10）被施加在所示的牵引带元件（2）的第一主表面（5）的第一端部部分（15）上。在这种情况下，LED芯片（4）串联电连接。还有另一种LED灯丝，两种制造LED灯丝的方法，以及一种带有LED灯丝的改型灯。

7. 发明申请

WO2014029633A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014029633A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/EP2013/066656
申请日：2013-08-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar , EBBECKE, Jens , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einem ersten Barrierebereich (21) und einem zweiten Barrierebereich (22) aufweist. Der aktive Bereich (20) ist zwischen dem ersten Barrierebereich (21) und dem zweiten Barrierebereich (22) angeordnet. In dem ersten Barrierebereich (21) ist zumindest eine Ladungsträgerbarriereschicht (3) angeordnet, die zugverspannt ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体本体（1）具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（2），第一势垒区（21）和一个第二势垒区（22）。第一势垒区之间的有源区（20），（21）和布置在所述第二势垒区（22）。在第一势垒区（21）具有一个载流子阻挡层（3）被布置在至少这是拉应力。此外，半导体芯片（10）上设置有这样的半导体本体。

8. 发明申请

WO2020094442A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020094442A1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：PCT/EP2019/079378
申请日：2019-10-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar , NAGEL, Peter
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/44 , H01L33/60
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich, einem Wellenlängenkonversionselement umfassend einen Konversionsbereich und einen Opferbereich und einem Formkörper, in den der Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement zumindest teilweise eingebettet sind und der zumindest stellenweise direkt an den Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement angrenzt angegeben. Der Konversionsbereich ist dazu eingerichtet zumindest einen Teil der in dem aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu einer elektromagnetischen Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu konvertieren. Der Konversionsbereich ist zwischen dem Opferbereich und dem Halbleiterkörper angeordnet. Der Opferbereich ist für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs durchlässig. Der Formkörper und der Opferbereich weisen Spuren eines Abtragungsprozesses auf, und der Formkörper ist als Reflektor für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und für die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs ausgebildet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

9. 发明申请

WO2019141480A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2019141480A1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：PCT/EP2018/085910
申请日：2018-12-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： TÅNGRING, Ivar , RÖMER, Rebecca , JURENKA, Claudia
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsseite (10) und ein Konversionselement (2) auf der Emissionsseite. Das Konversionselement ist zur Konversion einer von dem Halbleiterchip im bestimmungsgemäßen Betrieb emittierten Primärstrahlung eingerichtet. Das Konversionselement ist in zumindest eine erste Schicht (21) und eine zweite Schicht (22) unterteilt. Die erste Schicht ist zwischen der zweiten Schicht und der Emissionsseite angeordnet. Die erste Schicht umfasst ein erstes Matrixmaterial (210) mit darin eingebrachten Leuchtstoffpartikeln (211). Die zweite Schicht umfasst ein zweites Matrixmaterial (220) mit darin eingebrachten Leuchtstoffpartikeln (221). Das erste Matrixmaterial der ersten Schicht weist einen größeren Brechungsindex auf als das zweite Matrixmaterial der zweiten Schicht.

10. 发明申请

WO2019068478A1 KONVERSIONSMATERIAL UND STRAHLUNG EMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019068478A1
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：PCT/EP2018/075498
申请日：2018-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： RÖMER, Rebecca , TÅNGRING, Ivar
IPC分类号： C09K11/02 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/025 , C09K11/02 , H01L33/501
摘要： Es wird ein Konversionsmaterial angegeben, umfassend ein Matrixmaterial (30), Partikel eines ersten Leuchtstoffs (10), die in dem Matrixmaterial (30) eingebettet sind, und Partikel eines zweiten Leuchtstoffs (20), die in dem Matrixmaterial (30) eingebettet sind, wobei die Partikel des zweiten Leuchtstoffs (20) kleiner als die Partikel des ersten Leuchtstoffs (10) sind und/oder eine geringere Dichte aufweisen und wobei die Partikel des zweiten Leuchtstoffs (20) eine Beschichtung (25) aufweisen. Es wird weiterhin ein Strahlung emittierendes Bauelement enthaltend das Konversionsmaterial angegeben.

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