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1. 发明申请

WO2007032563A1 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：接线结构和半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2007032563A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/318799
申请日：2006-09-15
申请人：日本電気株式会社 , 伊藤文則 , 林喜宏 , 竹内常雄
发明人：伊藤文則 , 林喜宏 , 竹内常雄
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76825 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/7682 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：多層配線を形成するプロセスにおいて、ビア層間絶縁膜及び配線層間絶縁膜にビアホールおよび配線溝を形成した後に、開口部側壁に電子線もしくは紫外線を照射し１ｎｍ以下の空孔径を有する高強度な多孔質変質層を形成する半導体装置。
摘要翻译：一种半导体器件，其用于在多层互连形成工艺期间通过在通孔层之间形成绝缘膜中的通孔和布线槽，形成具有高达1nm的孔直径的高强度多孔改性层布线层之间的绝缘膜，然后用电子束或紫外线照射开口侧壁。

2. 发明申请

WO2006126536A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006126536A1
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：PCT/JP2006/310242
申请日：2006-05-23
申请人：日本電気株式会社 , 田上政由 , 林喜宏 , 小野寺貴弘
发明人：田上政由 , 林喜宏 , 小野寺貴弘
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76825 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829
摘要：　低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置における配線製造時にハードマスクやキャップ絶縁膜の除去を行うと、密着性不良や配線層間絶縁膜部分への付き抜け不良が発生し、配線特性や信頼性の低下を発生する。この問題を解決するため、本発明においては、ハードマスクを取り切って、露出した配線層間絶縁膜３１３の表面に配線層間絶縁膜３１３とは組成が異なる均一な膜厚の改質層３１４を形成することにより、その上に形成するビア層間絶縁膜３１８との密着性の向上及びエッチングの突き抜け不良を抑制する。改質層３１４は、Ｃｕ－ＣＭＰ後に配線層間絶縁膜３１４が露出した状態において、Ｃｕ－ＣＭＰ後の後洗浄、上部ビア層間絶縁膜形成前の真空プラズマ処理または真空ＵＶ処理等により、形成することができる。
摘要翻译：当在制造具有低介电常数的层间绝缘膜的半导体器件的互连件的同时去除硬掩模和帽绝缘膜时，发生不良粘合和缺陷穿孔到布线层间绝缘膜部分，导致互连特性的劣化和可靠性。在本发明中，完全去除硬掩模，并且在绝缘膜（313）的暴露表面上形成具有不同于互连层间绝缘膜（313）的组成的均匀厚度的改性层（314），因此提高对形成在改性层（314）上的通孔层间绝缘膜（318）的粘合性，并抑制蚀刻缺陷。改性层（314）可以在Cu-CMP和真空等离子体处理或真空UV处理之后的后清洗形成，在绝缘膜（313）在Cu- CMP。

3. 发明申请

WO2006016678A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006016678A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014855
申请日：2005-08-12
申请人：日本電気株式会社 , 天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
发明人：天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76877 , H01L23/528 , H01L23/53233 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　多層配線が半導体基板上方に形成された絶縁膜中の所定の領域に形成されている。この多層配線を構成する少なくともひとつの層に位置するデュアルダマシン配線は、銅を主成分とする合金からなる。前記合金の添加成分として含まれている少なくともひとつの金属元素は、その前記デュアルダマシン配線のビア内部における濃度が、そのビアが接続された上層の配線の幅の相違に応じて決められている。即ち、この上層の配線の幅が大きいほど、接続されたビア内部における前記少なくともひとつの金属元素の濃度が高い。これにより、配線の抵抗上昇を抑制しつつ、ストレス誘起ボイドの発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
摘要翻译：在形成在半导体衬底的上部的绝缘膜中的规定区域中形成多层布线。位于构成多层布线的至少一层的双镶嵌线由具有铜作为主要成分的合金构成。对于作为合金的添加成分含有的至少一种金属元素，根据连接有通孔的上层布线的宽度的差异来决定双镶嵌布线的通孔内部的浓度。也就是说，上层布线越宽，连接的通孔内的一个金属元件的浓度越高。因此，在抑制布线的电阻增加的同时，抑制应力引起的空隙的产生，提高可靠性。

4. 发明申请

WO2005053009A1 多孔質絶縁膜及びその製造方法並びに多孔質絶縁膜を用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：多孔绝缘膜，其制造方法和使用多孔绝缘膜的半导体器件
公开(公告)号：WO2005053009A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/JP2004/017697
申请日：2004-11-29
申请人：日本電気株式会社 , 原田恵充 , 林喜宏 , 伊藤文則 , 肱岡健一郎 , 竹内常雄
发明人：原田恵充 , 林喜宏 , 伊藤文則 , 肱岡健一郎 , 竹内常雄
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　半導体装置を構成する絶縁膜として有効な多孔質絶縁膜の作製方法、該絶縁膜の上下界面に接する半導体材料と高い密着性を有する多孔質絶縁膜の作製方法を提供。　少なくとも一つ以上の、分子中に環状シリカ骨格を有し且つ該環状シリカ骨格に少なくとも一つ以上の不飽和炭化水素基が結合されている有機シリカ化合物の分子蒸気、を含む気体をプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質絶縁膜の成長を行う。
摘要翻译：公开了一种在半导体器件中用作绝缘膜的多孔绝缘膜的制造方法。还公开了一种制造与绝缘膜的上下界面接触的半导体材料具有良好粘附性的多孔绝缘膜的方法。通过将气体引入等离子体中，在半导体衬底上生长多孔绝缘膜，该等离子体中的气体含有至少一种或多种有机二氧化硅化合物的分子蒸气，所述有机二氧化硅化合物在分子中具有环状二氧化硅骨架，二氧化硅骨架至少一个或更多的不饱和烃基键合。

5. 发明申请

WO2005013356A1 溝配線を有する半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：具有用于制造半导体器件的TRENCH接线和工艺的半导体器件
公开(公告)号：WO2005013356A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/010183
申请日：2004-07-16
申请人：日本電気株式会社 , 大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76813 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3143 , H01L21/31633 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：【課題】　多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。【解決手段】　半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２～２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２～２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２～２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２～２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。
摘要翻译：本发明通过避免由于未对准引起的诸如短路和通孔电阻增加的问题而提供了高度可靠的多层布线。解决问题的手段半导体器件包括第一布线层（201）和层间绝缘层（202-208）。第一布线层（201）设置在基板的上表面上并且包括第一布线。层间绝缘层（202-208）设置在第一布线层（201）上，并且包括具有与第一布线连接的一端的通孔和与通孔的另一端连接的第二布线。层间绝缘层（202-208）的相对介电常数低于氧化硅膜的相对介电常数。层间绝缘层（202-208）的上部由从下部位置顺序形成的氧化硅膜（206），氮化硅膜（207）和氧化硅膜（208）构成。

6. 发明申请

WO2004107434A1 配線構造およびその製造方法审中-公开
标题翻译：接线结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2004107434A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2004/007791
申请日：2004-05-28
申请人：日本電気株式会社 , NECエレクトロニクス株式会社 , 多田宗弘 , 林喜宏 , 原田恵充 , 伊藤文則 , 大竹浩人 , 宇佐美達矢
发明人：多田宗弘 , 林喜宏 , 原田恵充 , 伊藤文則 , 大竹浩人 , 宇佐美達矢
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
摘要翻译：公开了一种用于连接半导体器件的多层布线结构，其通过在其中形成半导体器件的基板上形成金属布线而获得。布线结构没有这样的常规问题，即在多孔绝缘膜中形成细金属布线时，在彼此相邻的布线之间的绝缘被损坏或彼此相邻的布线之间的绝缘电阻由于产生漏电流而劣化。还公开了一种用于制造这种布线结构的方法。在形成有半导体器件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物质的绝缘阻挡层（413）。该绝缘阻挡层减少彼此相邻的布线之间的漏电流，从而提高绝缘可靠性。

7. 发明申请

WO2004008517A1 有機シロキサン共重合体膜、その製造方法、及び成長装置、並びに該共重合体膜を用いた半導体装置审中-公开
标题翻译：有机硅氧烷共聚物膜，其制造方法和沉积装置以及使用这种共聚物膜的半导体器件
公开(公告)号：WO2004008517A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008989
申请日：2003-07-15
申请人：日本電気株式会社 , 林喜宏
发明人：林喜宏
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： H01L21/76801 , C08G77/06 , C09D4/00 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3124 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , Y10T428/31663 , C08G77/04
摘要：半導体デバイスの多層銅配線を分離する層間絶縁膜に適する、下地あるいは上層の無機絶縁膜と接する界面においは、機械的強度と密着性に優れ、かつ膜全体としては、実効比誘電率の低い、絶縁性有機重合体膜を提供する。環状シロキサンと、直鎖状シロキサンとを原料とし、両者をプラズマ励起して重合させた有機シロキサン共重合体膜であり、無機絶縁膜と接する界面に、直鎖状シロキサン成分を主成分とする膜組成とすることで、緻密かつ密着性に優れた膜質の界面層を設け、膜内部には、環状シロキサン骨格に囲まれた空孔を内在する環状シロキサン成分と、直鎖状シロキサン成分とが混在し、相対的に密度を抑えた網目構造を有する層を有する、膜厚方向に組成変化を有する該共重合体膜に、銅薄膜を埋め込んだ多層配線を形成する。
摘要翻译：一种适用于层间绝缘膜的绝缘有机聚合物膜，其分离半导体器件的多层铜互连，其具有优异的机械强度和在与作为下层或上层的无机介电膜的界面处的粘合性和低有效相对介电常数为整个薄膜。有机硅氧烷共聚物膜是通过等离子体激发使作为原料的环状硅烷和直链硅氧烷聚合来制造的。有机硅氧烷共聚物膜具有主要由与无机介电膜界面的直链硅氧烷成分形成的膜组合物，从而构成具有优异粘合性的膜性质的致密界面层。有机硅氧烷共聚物膜中具有包含环状硅氧烷骨架所包围的空隙并具有直链硅氧烷成分并且具有密度相对降低的网络结构的循环硅烷组分的层。因此，这种共聚物膜具有组成在膜厚度方向上变化，并且通过在其中嵌入铜膜形成多层互连。

8. 发明申请

WO2008010591A1 多孔質絶縁膜の形成方法审中-公开
标题翻译：形成多孔绝缘膜的方法
公开(公告)号：WO2008010591A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/064407
申请日：2007-07-23
申请人：日本電気株式会社 , 山本博規 , 伊藤文則 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：山本博規 , 伊藤文則 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3124 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L2221/1047 , Y10T428/31663
摘要：　多孔質絶縁膜を形成する方法は、３員環ＳｉＯ環状構造と４員環ＳｉＯ環状構造とを持つ有機シリカ原料、又は、３員環ＳｉＯ環状構造と直鎖状有機シリカ構造とを持つ有機シリカ原料の気体を用い、プラズマ反応によって成膜する。高強度・高密着性を実現する多孔質の層間絶縁膜が得られる。
摘要翻译：公开了一种形成多孔绝缘膜的方法，其中通过使用具有三元SiO环状结构和四元SiO环状结构的有机二氧化硅材料气体或有机二氧化硅材料气体通过等离子体反应形成膜，三元SiO环状结构和线性有机二氧化硅结构。该方法能够获得具有高强度和高粘附性的多孔绝缘膜。

9. 发明申请

WO2007061134A1 多孔質絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：用于形成多孔绝缘膜的方法，用于制造半导体器件的装置，用于制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007061134A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2006/324040
申请日：2006-11-24
申请人：日本電気株式会社 , 多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
发明人：多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/312 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/3122 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：少なくとも有機シロキサンと不活性ガスとを反応室に供給し、プラズマ気相成長法によって絶縁膜を形成する方法において、成膜中に供給する有機シロキサンと不活性ガスとの体積比率を変化させることで、反応室における有機シロキサンの分圧を変化させる。これにより、半導体装置における絶縁膜の誘電率を低くするとともに当該絶縁膜の他の材料との密着性を向上させる。有機シロキサンが、少なくともケイ素、酸素、炭素及び水素を含む環状有機シロキサンであることが好ましく、成膜中に反応室の全圧が一定であることが好ましい。
摘要翻译：公开了一种通过等离子体沉积法形成绝缘膜的方法，同时将至少一种有机硅氧烷和惰性气体供应到反应室中。在该方法中，通过改变在形成膜期间供应的有机硅氧烷和惰性气体之间的体积比来改变反应室中有机硅氧烷的分压。因此，可以降低绝缘膜在半导体器件中的介电常数，同时提高绝缘膜与其它材料的粘合性。优选有机硅氧烷是至少含有硅，氧，碳和氢的环状有机硅氧烷，并且在成膜期间反应室中的总压力保持恒定。

10. 发明申请

WO2007043634A1 多層配線の製造方法审中-公开
标题翻译：制造多层布线的方法
公开(公告)号：WO2007043634A1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/JP2006/320428
申请日：2006-10-06
申请人：日本電気株式会社 , 大竹浩人 , 林喜宏
发明人：大竹浩人 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76834 , H01L21/76835
摘要：第１の被エッチング絶縁膜６上に第１のマスク用絶縁膜７を形成する工程と、第１のマスク用絶縁膜７上に金属または金属化合物２８を成膜する工程と、金属または金属化合物２８の上面に第２のマスク用絶縁膜２９を形成する工程と、第２のマスク用絶縁膜２９上にレジストパターン３０を形成し（ａ）、第２のマスク用絶縁膜２９、金属または金属化合物膜２８を順次エッチングした後（ｂ）レジストパターン３０を剥離する工程（ｃ）と、第２のマスク用絶縁膜２９と、金属または金属化合物膜３０をマスクとして、第１のマスク用絶縁膜７、第１の被エッチング絶縁膜６をエッチングする工程（ｄ）と、を含む多層配線の製造方法。
摘要翻译：一种多层布线的制造方法包括在要蚀刻的第一绝缘膜（6）上形成第一掩模绝缘膜（7）的步骤; 在第一掩模绝缘膜（7）上形成金属或金属化合物（28）的步骤; 在金属或金属化合物（28）的上平面上形成第二掩模绝缘膜（29）的步骤; （a）在第二掩模绝缘膜（29）上形成抗蚀剂图案（30）的步骤，（b）连续蚀刻第二掩模绝缘膜（29）和金属或金属化合物膜（28），然后（c）剥离抗蚀剂图案（30）; 以及通过使用第二掩模绝缘膜（29）和金属或金属化合物膜（30）作为掩模来蚀刻第一掩模绝缘膜（7）和第一绝缘膜（6）的步骤（d）。

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