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1. 发明申请

WO2004107434A1 配線構造およびその製造方法审中-公开
标题翻译：接线结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2004107434A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/JP2004/007791
申请日：2004-05-28
申请人：日本電気株式会社 , NECエレクトロニクス株式会社 , 多田宗弘 , 林喜宏 , 原田恵充 , 伊藤文則 , 大竹浩人 , 宇佐美達矢
发明人：多田宗弘 , 林喜宏 , 原田恵充 , 伊藤文則 , 大竹浩人 , 宇佐美達矢
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
摘要翻译：公开了一种用于连接半导体器件的多层布线结构，其通过在其中形成半导体器件的基板上形成金属布线而获得。布线结构没有这样的常规问题，即在多孔绝缘膜中形成细金属布线时，在彼此相邻的布线之间的绝缘被损坏或彼此相邻的布线之间的绝缘电阻由于产生漏电流而劣化。还公开了一种用于制造这种布线结构的方法。在形成有半导体器件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物质的绝缘阻挡层（413）。该绝缘阻挡层减少彼此相邻的布线之间的漏电流，从而提高绝缘可靠性。

2. 发明申请

WO2006137237A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006137237A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/310253
申请日：2006-05-23
申请人：日本電気株式会社 , 天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
发明人：天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76835 , H01L21/76841 , H01L21/76873 , H01L21/76883 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2221/1036 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　半導体基板上方に形成された絶縁膜中の所定の領域に、配線を形成するための溝を形成し、その表面にバリアメタル膜を形成する。バリアメタル膜上に銅又は銅合金膜を形成した後、その膜上に室温から４００°Cの範囲で酸化反応の標準生成エネルギーが負であり且つバリアメタル膜よりも標準生成エネルギーの絶対値が大きい酸素吸収膜を形成し、２００乃至４００°Cの範囲の温度で加熱する。これにより、バリアメタル膜と銅界面における密着性を向上させ、界面における銅拡散を抑制してエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションの発生を防止し、信頼性の高い配線を有する半導体装置を提供することができる。
摘要翻译：在形成在半导体衬底上的绝缘膜中的规定区域中形成用于形成布线的沟槽，并且在沟槽的表面上形成阻挡金属膜。在阻挡金属膜上形成铜或铜合金膜之后，在室温至400℃的范围内具有负的标准氧化反应的形成能并且具有标准形成能的绝对值较大的氧吸收膜在铜或铜合金膜上形成阻挡金属膜，并且将氧吸收膜在200-400℃的温度范围内加热。因此，通过抑制界面上的铜扩散来防止阻挡金属膜和铜界面之间的粘附，防止电迁移和应力迁移的产生，并且提供具有高度可靠的布线的半导体器件。

3. 发明申请

WO2006001356A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006001356A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：PCT/JP2005/011578
申请日：2005-06-24
申请人：日本電気株式会社 , 天野真理 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：天野真理 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L21/76847 , H01L21/76864 , H01L21/76873
摘要：　配線保護膜と銅との界面における密着性を向上させ、界面における銅拡散を抑制してエレクトロマイグレーションやストレス誘起ボイドの発生を防止し、信頼性の高い配線を有する半導体装置を提供する。　半導体素子が形成された半導体基板１上に層間絶縁膜２、第一エッチングストップ膜３ａが積層されており、その上部に、ダマシン法により、第一バリアメタル膜４ａに囲まれた第一合金配線５ａが形成され、第一合金配線５ａの上面は第一配線保護膜６ａにより覆われている。第一合金配線５ａの上面を被覆する第一配線保護膜６ａ中には、第一合金配線５ａ中に含まれる金属元素のうちの少なくとも一つの金属元素が含まれている。
摘要翻译：公开了一种具有高可靠性布线的半导体器件，其中在布线保护膜和铜之间的界面处的粘附性得到改善，使得在界面处的铜扩散被抑制，从而防止电迁移和应力引起的空隙。在形成有半导体器件的半导体衬底（1）上形成层间绝缘膜（2）和第一蚀刻阻挡膜（3a），并且第一合金布线（5a）被第一阻挡金属膜（ 4a）通过镶嵌法形成在其上。第一合金布线（5a）的上表面被第一布线保护膜（6a）覆盖。包含在第一合金布线（5a）中的至少一个金属元素包含在覆盖第一合金布线（5a）的上表面的第一布线保护膜（6a）中。

4. 发明申请

WO2007132879A1 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置审中-公开
标题翻译：半导体器件，半导体器件制造方法和半导体制造设备
公开(公告)号：WO2007132879A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/JP2007/060012
申请日：2007-05-16
申请人：日本電気株式会社 , 多田宗弘 , 大竹浩人 , 伊藤文則 , 林喜宏 , 山本博規
发明人：多田宗弘 , 大竹浩人 , 伊藤文則 , 林喜宏 , 山本博規
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/312 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/53295 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/31633 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。　第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
摘要翻译：提供了一种多层布线技术，其通过其获得布线之间的高粘合性和高绝缘可靠性，同时在布线之间保持有效的低电容。在半导体器件中，第一绝缘膜包括一层或多层包括硅，氧和碳的硅氧烷结构的绝缘膜。第一绝缘膜中的硅氧烷结构具有比硅原子数大的碳原子数，并且至少在第一绝缘膜与金属之间的界面或第一绝缘膜与第二绝缘膜之间的界面上，形成层。改性层的单位体积碳原子数小于第一绝缘膜中的碳原子数，每单位体积的氧原子数多于第一绝缘膜的氧原子数。

5. 发明申请

WO2007091574A1 多層配線構造および多層配線の製造方法审中-公开
标题翻译：多层布线结构及制作多层布线的方法
公开(公告)号：WO2007091574A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/052056
申请日：2007-02-06
申请人：日本電気株式会社 , 大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　ダマシン構造の配線において、ＴＤＤＢ耐圧劣化を防止するとともに、平坦性を維持してフォーカスマージンの劣化を防止する。　シリコン炭窒化膜２０５、ＳｉOCH膜２０６、シリコン酸化膜２０７からなる層間絶縁膜中に溝配線２１３を形成する〔（e）〕。ドライエッチングあるいはウエットエッチングによって、シリコン酸化膜２０７の研磨面の配線に近い部分をエッチングする。〔（f）〕。Ｃｕキャップ膜としてシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ）２１４を形成する。〔（g）〕。その上にさらに層間絶縁膜を形成し、導電性プラグ、溝配線等を形成する。
摘要翻译：提供了一种用于防止TDDB耐电压劣化并且保持平坦度以防止聚焦余量劣化的镶嵌结构的布线。在由碳化硅 - 氮化物膜（205），SiOCH膜（206）和氧化硅膜（207）构成的层间绝缘膜中形成沟槽布线（[213]）（e）]。通过干蚀刻或湿蚀刻在抛光面的布线附近的部分刻蚀（f）]氧化硅膜（207）。形成碳化硅 - 氮化物膜（SiCN）（214）[（g）]作为Cu帽膜。进一步在其上形成层间绝缘膜以形成导电插塞，沟槽布线等。

6. 发明申请

WO2006016678A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006016678A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/JP2005/014855
申请日：2005-08-12
申请人：日本電気株式会社 , 天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
发明人：天野真理 , 多田宗弘 , 古武直也 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76877 , H01L23/528 , H01L23/53233 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　多層配線が半導体基板上方に形成された絶縁膜中の所定の領域に形成されている。この多層配線を構成する少なくともひとつの層に位置するデュアルダマシン配線は、銅を主成分とする合金からなる。前記合金の添加成分として含まれている少なくともひとつの金属元素は、その前記デュアルダマシン配線のビア内部における濃度が、そのビアが接続された上層の配線の幅の相違に応じて決められている。即ち、この上層の配線の幅が大きいほど、接続されたビア内部における前記少なくともひとつの金属元素の濃度が高い。これにより、配線の抵抗上昇を抑制しつつ、ストレス誘起ボイドの発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
摘要翻译：在形成在半导体衬底的上部的绝缘膜中的规定区域中形成多层布线。位于构成多层布线的至少一层的双镶嵌线由具有铜作为主要成分的合金构成。对于作为合金的添加成分含有的至少一种金属元素，根据连接有通孔的上层布线的宽度的差异来决定双镶嵌布线的通孔内部的浓度。也就是说，上层布线越宽，连接的通孔内的一个金属元件的浓度越高。因此，在抑制布线的电阻增加的同时，抑制应力引起的空隙的产生，提高可靠性。

7. 发明申请

WO2005013356A1 溝配線を有する半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：具有用于制造半导体器件的TRENCH接线和工艺的半导体器件
公开(公告)号：WO2005013356A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/010183
申请日：2004-07-16
申请人：日本電気株式会社 , 大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：大竹浩人 , 田上政由 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76813 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3143 , H01L21/31633 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：【課題】　多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。【解決手段】　半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２～２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２～２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２～２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２～２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。
摘要翻译：本发明通过避免由于未对准引起的诸如短路和通孔电阻增加的问题而提供了高度可靠的多层布线。解决问题的手段半导体器件包括第一布线层（201）和层间绝缘层（202-208）。第一布线层（201）设置在基板的上表面上并且包括第一布线。层间绝缘层（202-208）设置在第一布线层（201）上，并且包括具有与第一布线连接的一端的通孔和与通孔的另一端连接的第二布线。层间绝缘层（202-208）的相对介电常数低于氧化硅膜的相对介电常数。层间绝缘层（202-208）的上部由从下部位置顺序形成的氧化硅膜（206），氮化硅膜（207）和氧化硅膜（208）构成。

8. 发明申请

WO2008010591A1 多孔質絶縁膜の形成方法审中-公开
标题翻译：形成多孔绝缘膜的方法
公开(公告)号：WO2008010591A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/064407
申请日：2007-07-23
申请人：日本電気株式会社 , 山本博規 , 伊藤文則 , 多田宗弘 , 林喜宏
发明人：山本博規 , 伊藤文則 , 多田宗弘 , 林喜宏
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3124 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L2221/1047 , Y10T428/31663
摘要：　多孔質絶縁膜を形成する方法は、３員環ＳｉＯ環状構造と４員環ＳｉＯ環状構造とを持つ有機シリカ原料、又は、３員環ＳｉＯ環状構造と直鎖状有機シリカ構造とを持つ有機シリカ原料の気体を用い、プラズマ反応によって成膜する。高強度・高密着性を実現する多孔質の層間絶縁膜が得られる。
摘要翻译：公开了一种形成多孔绝缘膜的方法，其中通过使用具有三元SiO环状结构和四元SiO环状结构的有机二氧化硅材料气体或有机二氧化硅材料气体通过等离子体反应形成膜，三元SiO环状结构和线性有机二氧化硅结构。该方法能够获得具有高强度和高粘附性的多孔绝缘膜。

9. 发明申请

WO2007061134A1 多孔質絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：用于形成多孔绝缘膜的方法，用于制造半导体器件的装置，用于制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007061134A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2006/324040
申请日：2006-11-24
申请人：日本電気株式会社 , 多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
发明人：多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/312 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/3122 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要：少なくとも有機シロキサンと不活性ガスとを反応室に供給し、プラズマ気相成長法によって絶縁膜を形成する方法において、成膜中に供給する有機シロキサンと不活性ガスとの体積比率を変化させることで、反応室における有機シロキサンの分圧を変化させる。これにより、半導体装置における絶縁膜の誘電率を低くするとともに当該絶縁膜の他の材料との密着性を向上させる。有機シロキサンが、少なくともケイ素、酸素、炭素及び水素を含む環状有機シロキサンであることが好ましく、成膜中に反応室の全圧が一定であることが好ましい。
摘要翻译：公开了一种通过等离子体沉积法形成绝缘膜的方法，同时将至少一种有机硅氧烷和惰性气体供应到反应室中。在该方法中，通过改变在形成膜期间供应的有机硅氧烷和惰性气体之间的体积比来改变反应室中有机硅氧烷的分压。因此，可以降低绝缘膜在半导体器件中的介电常数，同时提高绝缘膜与其它材料的粘合性。优选有机硅氧烷是至少含有硅，氧，碳和氢的环状有机硅氧烷，并且在成膜期间反应室中的总压力保持恒定。

10. 发明申请

WO2007032261A1 多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：用于形成多孔绝缘膜和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007032261A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/317819
申请日：2006-09-08
申请人：日本電気株式会社 , 多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
发明人：多田宗弘 , 古武直也 , 竹内常雄 , 林喜宏
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2221/1036 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　環状シロキサン原料モノマーを用いた多孔質絶縁膜の形成方法であって、炭化水素の脱離を抑制し、低密度な膜を形成できる方法を提供する。　少なくとも環状有機シロキサン原料１０１を反応室に供給し、プラズマ気相成長法によって絶縁膜を形成する方法において、環状有機シロキサン原料１０１と、環状有機シロキサン原料１０１を構成する化学構造の一部を含む化合物原料１０３との混合ガスを用いる多孔質絶縁膜の形成方法により、上記課題を解決する。化合物原料１０３は、環状有機シロキサン原料１０１の側鎖の一部を含む化合物であることが好ましい。
摘要翻译：公开了通过使用环状硅氧烷原料单体形成多孔绝缘膜的方法，其能够通过抑制烃的分离形成低密度膜。具体公开的是通过将至少一种环状有机硅氧烷原料（101）供应到反应室中，通过等离子体气相沉积形成绝缘膜的方法。在该多孔绝缘膜的形成方法中使用由环状有机硅氧烷原料（101）和含有环状有机硅氧烷原料（101）的化学结构的一部分的化合物原料（103）构成的混合气体。复合原料（103）优选为含有环状有机硅氧烷原料（101）侧链的一部分的化合物。

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