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    • 2. 发明申请
    • 半導体装置、及びその製造方法
    • 半导体器件及其制造方法
    • WO2006051816A1
    • 2006-05-18
    • PCT/JP2005/020538
    • 2005-11-09
    • 日本電気株式会社三浦 貞彦林 喜宏
    • 三浦 貞彦林 喜宏
    • H01L21/8246H01L27/10H01L27/105
    • G11C11/16B82Y10/00H01L27/228
    •  本発明による半導体装置は、メモリアレイと、メモリアレイと同一基板上に形成された周辺回路部とを備えている。メモリアレイは、MTJと、MTJにデータを書き込む書き込み電流が流されるワード線とビット線とを含む。ワード線とビット線とは、それぞれ、導体部と、導体部を被覆するヨーク層とを含む。その一方で、周辺回路部の配線からは、強磁性層が排除されている。かかる構成の半導体装置では、周辺回路部の配線から強磁性層が積極的に排除されているため、配線のインダクタンスの増加によって周辺回路部が誤動作することを防止することができる。
    • 公开了一种半导体器件,其包括存储器阵列和形成在与存储器阵列相同的衬底中的外围电路。 存储器阵列包括一个MTJ,以及一个字线和位线,用于将数据写入MTJ的写入电流通过该位线。 字线和位线分别具有覆盖导体部分的导体部分和轭体层。 同时,从外围电路的布线中消除铁磁层。 由于在具有这种结构的半导体器件中铁磁层容易从外围电路的布线中消除,所以可以防止由布线的电感增加引起的外围电路的故障。
    • 9. 发明申请
    • 半導体装置及びその製造方法
    • 半导体器件及其制造方法
    • WO2006001356A1
    • 2006-01-05
    • PCT/JP2005/011578
    • 2005-06-24
    • 日本電気株式会社天野 真理多田 宗弘林 喜宏
    • 天野 真理多田 宗弘林 喜宏
    • H01L21/3205
    • H01L21/76843H01L21/76829H01L21/76831H01L21/76832H01L21/76835H01L21/76847H01L21/76864H01L21/76873
    •  配線保護膜と銅との界面における密着性を向上させ、界面における銅拡散を抑制してエレクトロマイグレーションやストレス誘起ボイドの発生を防止し、信頼性の高い配線を有する半導体装置を提供する。  半導体素子が形成された半導体基板1上に層間絶縁膜2、第一エッチングストップ膜3aが積層されており、その上部に、ダマシン法により、第一バリアメタル膜4aに囲まれた第一合金配線5aが形成され、第一合金配線5aの上面は第一配線保護膜6aにより覆われている。第一合金配線5aの上面を被覆する第一配線保護膜6a中には、第一合金配線5a中に含まれる金属元素のうちの少なくとも一つの金属元素が含まれている。
    • 公开了一种具有高可靠性布线的半导体器件,其中在布线保护膜和铜之间的界面处的粘附性得到改善,使得在界面处的铜扩散被抑制,从而防止电迁移和应力引起的空隙。 在形成有半导体器件的半导体衬底(1)上形成层间绝缘膜(2)和第一蚀刻阻挡膜(3a),并且第一合金布线(5a)被第一阻挡金属膜( 4a)通过镶嵌法形成在其上。 第一合金布线(5a)的上表面被第一布线保护膜(6a)覆盖。 包含在第一合金布线(5a)中的至少一个金属元素包含在覆盖第一合金布线(5a)的上表面的第一布线保护膜(6a)中。