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1. 发明申请

WO2012042714A1 リチウム抽出方法及び金属回収方法审中-公开
标题翻译：锂提取方法和金属回收方法
公开(公告)号：WO2012042714A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/003995
申请日：2011-07-13
申请人：株式会社日立製作所 , 小島泰子 , 山口欣秀 , 岡本正英
发明人：小島　泰子 , 山口　欣秀 , 岡本　正英
IPC分类号： C22B26/12 , B09C1/02 , B09C1/08 , C22B3/04 , C22B7/00 , C22B23/00 , H01M10/54
CPC分类号： C25C1/22 , C22B7/007 , C22B26/12 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/54 , Y02P10/234 , Y02W30/84
摘要：　煩雑な工程を使用せず、かつ、比較的簡便な設備によって、リチウムイオン電池からリチウムを回収する方法を提供するために、リチウムとコバルトを含むリチウムイオン電池の正極材からリチウムを抽出するリチウム抽出方法において、正極材を酸性溶液に５０℃以下で浸漬して、酸性溶液中にコバルトイオンの滲出を抑えながらリチウムイオンを選択的に滲出させ、正極材のリチウムの含有量が十分なうちにリチウムイオンの滲出を止めることを特徴とする。
摘要翻译：提供了使用相对简单的设备从锂离子电池中回收锂的方法，而不使用繁琐的工艺。一种从含有锂和钴的锂离子电池的正极材料中提取锂的锂提取方法，其特征在于将正极材料浸入50℃以下的酸性溶液中，选择性地浸出锂离子在抑制钴离子的浸出的同时进入酸性溶液，并且停止锂离子的浸出，同时正极材料中所含的锂的量足够。

2. 发明申请

WO2011030517A1 接続材料、半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：连接材料，半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2011030517A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/005313
申请日：2010-08-30
申请人：株式会社日立製作所 , 岡本正英 , 池田靖 , 村里有紀
发明人：岡本　正英 , 池田　靖 , 村里　有紀
IPC分类号： H01L21/52 , C22C18/04 , C22C21/00
CPC分类号： C22C18/04 , B22F2998/00 , B23K1/0016 , B23K2201/42 , B32B15/017 , C22C21/00 , C22C21/06 , H01L23/04 , H01L23/3107 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29147 , H01L2224/29211 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T29/49826 , Y10T428/12736 , B22F7/062 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01083 , H01L2924/01031 , H01L2924/01082 , H01L2924/01049 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/05599
摘要：　従来のＺｎ／Ａｌ／Ｚｎクラッド材を用いた接続を行う場合、接続部の熱抵抗を少なくとも現行の高鉛はんだ並みとするためには、接続部の厚さは現行のはんだの２倍（約１００μｍ）以下とする必要がある。またＡｌ層の応力緩衝能を十分に発現するためには、Ａｌ層の厚さを出来る限り厚くする必要がある。十分な接続性を得るためには、接続時に約２ｇ／ｍｍ２以上の荷重で加圧する必要があり、量産コストが著しく上昇してしまうという課題を有する。　半導体素子と、フレームと、前記半導体素子と前記フレームとを接続する接続部と、を有し、前記接続部はＺｎ－Ａｌ合金を含み、前記接続部と前記半導体素子との界面および前記接続部と前記フレームとの界面は、Ａｌ酸化物膜の面積が界面全体の面積に対して０％以上５％以下であることを特徴とする半導体装置である。
摘要翻译：在使用常规Zn-Al-Zn复合材料进行连接的情况下，连接部分的厚度必须等于或小于当前使用的焊料的厚度的两倍（即等于或小于约100μm ），以使连接部分的耐热性至少等于目前使用的高铅焊料的耐热性。此外，为了具有足够的Al层的应力吸收性能，需要尽可能地增加Al层的厚度。存在为了获得充分的连接性能的问题，在连接时需要大约2g / mm 2以上的负荷的加压，大大提高了制造成本。公开了一种半导体器件，其具有将半导体元件和框架彼此连接的半导体元件，框架和连接部。连接部分包含Zn-Al合金，并且在连接部分和半导体元件之间的界面以及连接部分和框架之间的界面处，Al氧化物膜的面积为整个面积的0-5％的界面。

3. 发明申请

WO2005124850A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的半导体器件和生产方法
公开(公告)号：WO2005124850A1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/JP2005/010921
申请日：2005-06-15
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 池田靖 , 岡本正英 , 春田亮 , 鍵井秀政 , 岡浩偉 , 中村弘幸
发明人：池田靖 , 岡本正英 , 春田亮 , 鍵井秀政 , 岡浩偉 , 中村弘幸
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05644 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01063 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01032 , H01L2924/00012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205
摘要： A power semiconductor device having a semiconductor element die-mount-connected onto a lead frame in a leadless manner. Die-mount-connection between a semiconductor element (1) and a lead frame (2) that have large thermal expansion coefficient difference between them, wherein the connection is made by an intermetallic compound layer (200) having a melting point of at least 260aeC or by a leadless solder having a melting point of 260aeC through 400aeC, and thermal stress caused by a temperature cycle is buffered by a metal layer (100) having a melting point of at least 260aeC. The leadless die-mount-connection can be made without being melted at reflowing and without causing chip-crack under a thermal stress.
摘要翻译：一种功率半导体器件，具有半导体元件，其以无引线方式管芯安装到引线框架上。在半导体元件（1）和引线框架（2）之间的模具安装连接，它们之间具有大的热膨胀系数差，其中，连接是由熔点至少为260aeC的金属间化合物层（200）制成的或通过熔点为260aeC至400aeC的无铅焊料，并且由温度循环引起的热应力由熔点至少为260ae℃的金属层（100）缓冲。无引线模具安装连接可以在回流时不熔化而不会在热应力下引起芯片裂纹。

4. 发明申请

WO2012026061A1 金属回収方法及び金属回収装置审中-公开
标题翻译：金属回收方法和金属回收装置
公开(公告)号：WO2012026061A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/JP2011/003849
申请日：2011-07-06
申请人：株式会社日立製作所 , 小島泰子 , 山口欣秀 , 岡本正英
发明人：小島　泰子 , 山口　欣秀 , 岡本　正英
IPC分类号： C22B26/12 , C22B3/04 , C22B3/42 , C22B7/00 , C22B23/00 , C22B47/00 , H01M10/54
CPC分类号： C22B7/007 , C22B3/42 , C22B26/12 , H01M6/52 , H01M10/0525 , H01M10/54 , Y02P10/234 , Y02W30/84
摘要：　煩雑な工程を使用せず、かつ、比較的簡便な設備によって、リチウムイオン電池から金属を回収する有価金属回収方法を提供するために、リチウムと遷移金属元素との複合酸化物を含む正極材を、酸性溶液で溶解させ、リチウムイオン及び遷移金属イオンとを含む酸性溶液を塩基陰イオン交換樹脂に通液し、初めの期間Ｄにイオン交換樹脂から溶出した遷移金属イオンの濃度比が高い溶液を第一の容器に回収し、その後の期間Ｅに溶出したＬｉイオンの濃度比が高い溶液を第二の容器に回収することで、金属イオンの分離を行う。
摘要翻译：一种用于从锂离子电池中回收金属的有价值的金属回收方法，而不需要麻烦的步骤和使用比较简单的设备。将含有锂/过渡金属复合氧化物的正极材料溶解在酸溶液中; 得到的含锂离子和过渡金属离子的酸性溶液通过碱阴离子交换树脂; 并且通过在初始阶段（D）收集从阴离子交换树脂洗脱的溶液到第一容器中分离金属离子，所述溶液具有高相对浓度的过渡金属离子，并收集溶液在随后的期间（E）进入第二容器，所述溶液具有高的相对浓度的锂离子。

5. 发明申请

WO2008075723A1 金属条、コネクタ、および金属条の製造方法审中-公开
标题翻译：金属条，连接器和金属条制造方法
公开(公告)号：WO2008075723A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/074441
申请日：2007-12-19
申请人：株式会社日立製作所 , 岡本正英 , 池田靖
发明人：岡本正英 , 池田靖
IPC分类号： C25D7/00 , C25D5/12 , C25D5/50 , H01R13/03
CPC分类号： H01R13/03 , C25D5/12 , C25D5/50 , C25D7/0614
摘要：　金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上にCuめっき、さらにその上にSnめっきを施す。前記Cuめっきの厚さは、（Cuめっき＋Snめっき）に対するCuめっきの割合が3～7mass％となるようにする。前記SnめっきにZn, Al, Si, Mg, Tiのうちの1種以上の金属を1mass％以下含有させる。前記の特徴を有するコネクタをSnの融点以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層とSnめっき層との間にCu-Sn化合物層を形成する。
摘要翻译：金属条的基材金属镀有Ni，然后镀有Cu，然后用Sn镀。将Cu镀层的厚度设定为具有3-7质量％的Cu镀层与（Cu镀覆+ Sn镀层）之和的比例。 Sn镀层含有选自Zn，Al，Si，Mg和Ti中的至少一种金属的1质量％以下的质量％。在熔点为Sn以上的温度下对具有上述特征的连接体进行热处理，在Ni镀层和Sn镀层之间形成Cu-Sn化合物层。

6. 发明申请

WO2013047046A1 接着剤及び接着構造の解体方法审中-公开
标题翻译：粘合剂及其拆卸结构的方法
公开(公告)号：WO2013047046A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/JP2012/071537
申请日：2012-08-27
申请人：株式会社日立製作所 , 南場千絵 , 岡本正英 , 岡村昌幸
发明人：南場　千絵 , 岡本　正英 , 岡村　昌幸
IPC分类号： C09J201/00 , C09J4/02 , C09J11/06 , C09J163/00
CPC分类号： C09J11/06 , C08G59/226 , C08K5/15 , C08K5/34 , C08L63/00 , C09J5/06 , C09J163/00 , C09J2205/302 , C09J2433/00 , C09J2463/00
摘要：　本願発明は、動作時には高い接着強度を有し、耐熱性、耐湿性等の信頼性が高い接着剤であって、解体時には、外部刺激により容易に解体することができる接着剤を提供する。　本願発明は、C原子と、N、O、S原子のうち１つ以上の原子で構成された環状構造を有する化合物を接着剤に添加する。この環状化合物は、添加しても使用時には接着剤の信頼性を損なわないが、立体的ひずみが大きく、適度な加熱により容易に環状化合物が分解する。環状化合物の分解により、接着剤層が脆化し接着構造を解体する。
摘要翻译：本发明提供了一种粘合剂，其在操作中具有良好的粘合强度，并且在耐热性，耐湿性等方面具有高可靠性，并且可以通过外部刺激容易地进行拆卸拆卸过程中的粘合剂。在本发明中，将由C原子和一个或多个选自Ni，O和S原子的原子形成的环状结构的化合物加入到粘合剂中。如果添加环状化合物，则化合物在使用过程中不损害粘合剂的可靠性，但是增加三维应变，并且当适当加热时，环状化合物容易分解。粘合剂层被脆化，并且通过环状化合物的分解将粘附的结构分解。

7. 发明申请

WO2012070193A1 滲出液および金属回収方法审中-公开
标题翻译：浸出溶液和金属收集方法
公开(公告)号：WO2012070193A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/JP2011/006308
申请日：2011-11-11
申请人：株式会社日立製作所 , 山田泰子 , 山口欣秀 , 岡本正英
发明人：山田　泰子 , 山口　欣秀 , 岡本　正英
IPC分类号： C22B26/12 , C22B3/04 , C22B7/00 , H01M10/54
CPC分类号： C22B26/12 , C22B7/007 , H01M6/52 , H01M10/052 , H01M10/54 , Y02P10/234 , Y02T10/7011 , Y02W30/84
摘要：　本発明は、煩雑な工程を使用せず、かつ、比較的簡便な設備によって、リチウムイオン電池から金属を回収する有価金属回収方法を提供することを目的とする。　上記目的のために、本発明では、リチウムと遷移金属元素との複合酸化物を含む正極活物質を、ｐHが４～７の弱酸性を示す溶液を用いて、Li／Co選択比が高く、また、高Ｌｉ回収率となるようにリチウムを選択滲出させ、滲出した溶液からリチウムを回収する。リチウム滲出後の酸性溶液は、気体の発生などにより、酸性が自然消滅する溶質を用いることにより、中和工程を不要にするとともに、廃液を減少させる。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种使用相对简单的设备从锂离子电池中收集金属的有价值的金属收集方法，而不需要任何复杂的工艺。在本发明中，为了达到上述目的，使用pH值为4-7的弱酸性溶液，从包含锂和过渡金属元素的复合氧化物的正极活性物质中选择性地析出锂，使得 Li / Co选择比增加，Li收率高，从浸出液中收集锂。对于在锂浸出后获得的酸性溶液，可以消除酸性溶液的任何中和步骤，并且可以通过使用可产生气体等的溶质来降低酸性溶液的浪费量使酸性溶液的酸度自然消失。

8. 发明申请

WO2012121353A1 希土類磁石からの希土類金属回収装置および希土類金属回収方法审中-公开
标题翻译：从稀土磁体中回收稀土金属的装置和方法
公开(公告)号：WO2012121353A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/056032
申请日：2012-03-08
申请人：株式会社日立製作所 , 財団法人生産技術研究奨励会 , 宮本雄 , 岡本正英 , 岡部徹
发明人：宮本　雄 , 岡本　正英 , 岡部　徹
IPC分类号： C22B59/00 , B09B3/00 , C22B7/00 , C22B9/02 , C22B26/22
CPC分类号： C22B59/00 , C22B7/004 , H01F1/0575 , H01F41/0253 , Y02P10/212
摘要：　希土類磁石からの溶融マグネシウムによる希土類金属抽出と、抽出された希土類金属を含むマグネシウムと希土類磁石の残成分Ｆｅ－Ｂ合金との分離に加えて、抽出された希土類金属を含むマグネシウムからの希土類金属とマグネシウムへの分離、当該マグネシウムの精製・再利用も可能とする希土類磁石から希土類金属を回収する希土類金属回収装置および回収方法において、前記回収装置は希土類金属抽出反応容器とマグネシウム回収容器からなり、前記希土類金属抽出反応容器中で希土類金属を有する磁石から、溶融した液体のマグネシウムに前記希土類金属を抽出させ、前記希土類金属が抽出された残りの磁石と、前記希土類金属を溶解させた液体のマグネシウムとを分離し、前記分離された希土類金属を含む液体のマグネシウムから、前記マグネシウムを気化させて、前記マグネシウム回収容器へ移動させることによって、前記希土類金属と前記マグネシウムを回収する。
摘要翻译：一种稀土金属回收装置和稀土金属回收方法，其可以从稀土磁体中回收稀土金属，并且可以用熔融镁从稀土磁体中提取稀土金属，镁之间的分离其中含有提取的稀土金属和稀土磁体的残留组分即Fe-B合金，将其中含有所提取的稀土金属的镁分离成稀土金属和镁，并且纯化/再利用镁。回收装置包括稀土金属提取反应容器和镁收集容器，其中稀土金属从其中含有稀土金属的磁体中提取到稀土金属萃取反应容器中的熔融镁中，磁体从其中提取稀土金属和溶解有稀土金属的液态镁彼此分离，镁从其中包含分离的稀土金属的液态镁蒸发，并将蒸发的镁转移进入镁收集容器中，从而回收稀土金属和镁。

9. 发明申请

WO2012029470A1 接合材料、その製造方法、および接合構造の製造方法审中-公开
标题翻译：结构材料及其制造方法及结构结构的制造方法
公开(公告)号：WO2012029470A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/JP2011/067335
申请日：2011-07-28
申请人：日立電線株式会社 , 山口拓人 , 岡本正英 , 池田靖 , 黒田洋光 , 黒木一真 , 秦昌平 , 小田祐一
发明人：山口　拓人 , 岡本　正英 , 池田　靖 , 黒田　洋光 , 黒木　一真 , 秦　昌平 , 小田　祐一
IPC分类号： B23K35/22 , B23K1/00 , B23K35/14 , B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/40 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C18/00 , C22C18/02 , C22C21/00 , H01L21/52 , H05K3/34 , B23K101/40
CPC分类号： B23K35/0238 , B21B3/00 , B23K1/0016 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/302 , B23K35/38 , B23K35/383 , B23K2201/40 , B32B15/017 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C22F1/08 , C22F1/165 , H01L21/50 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/2784 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2224/8382 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12792 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/83205
摘要：　半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保することを目的とする。半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a, 102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a, 102bの外側がX系金属層103a,103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。
摘要翻译：所公开的连接材料，其制造方法和接合结构的制造方法利用无铅材料，并确保半导体元件与框架或基板之间，或金属板与另一金属板之间的接合部的高可靠性。对于半导体元件和框架或基板之间的接合，通过使用包括Zn基金属层（101），两侧的Al基金属层（102a，102b）和X-型金属层即使在富含氧的环境下，Al基金属层（102a，102b）外侧的金属基金属层（103a，103b）（X = Cu，Au，Ag或Sn），表面的X系金属层保护Zn和Al免于氧化，直到所述接合材料熔化，保持所述接合材料作为焊料的润湿性和粘合性，并确保接合部的高可靠性。

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